39. Основные характеристики полевых транзисторов

Статические стоковые х-ки. Семейство стоковых (выходных) х-к полевого транзистора, выражающих зав-ть , изображено на рис.

Обл стоковых х-к, соотв-ая напряжениям 0<U_с.и.<U_с.и.пер, наз крутой или омической. Последнее название связано с тем, что дифференциальное сопротивление канала полевого транзистора в данной обл определяется напряжением на затворе. Участки стоковых х-к, снятые при U_с.и.>U_с.и.пер, соответствуют перекрытию канала(или насыщению). При напряжении U_с.и, большем напряжения перекрытия, увеличивается длина перекрытой части канала и его сопротивление.

Cтоковые х-ки полевого транзистора с управляющим p-n – переходом могут быть достаточно точно представлены аналитической зав-тью тока I_с от напряжения U_с.и ,U_з.и и U_з.и.отс

Для крутой области:

для полой обл:

Статические вольт-амперные х-ки передачи, наз. также стокозатворной, проходной или х-кой управления полевого транзистора, отображает зав-ть в режиме перекрытия канала. Эти х-ки описывает ур-е

При увеличении напряжения U_з.и.. cмещающего p-n- перехода в обратном направлении, ток стока уменьшается, а при U_з.и.= U_з.и,отс ток стока становиться равным нулю.

Х-ки передачи полевого транзистора может быть использована для определения напряжения отсечки

Входные х-ки, или затворные полевых транзисторов выражают графическую зав-ть . На рис. Показана входная х-ка полевого транзистора с управляющ-имp-n- переходом и каналом n – типа. При рабочих напряжениях на затворе p-n- переход затвор-канал смещается в обратном направлении и входной ток транзистора незначителен. При прямом смещении на затворе p-n- переход затвор-канал отпирается и входной ток резко увеличивается

40. Основные параметры полевых транзисторов

крутизна (х-ет крутизну проходной транзистора в точке покоя)-

Внутренне сопротивление (х-ет наклон выходной ВАХ на пологом участке):

Статический коэффициент усиления по напряжению:

42. Полевой тр-р с изолированным затвором с встроенным каналом.

ПТ с изолир. затвором – это такие тр-ры, затвор которых изолирован от проводящего канала материалом диэлектрика или окисью кремния. Т.о. по структуре конструктивно получается, затвор – металлический слой, проводящий канал – полупроводник, изолятор – диэлектрик. По технологическому принципу изготовления различают 2 типа таких тр-ров: с индуцированным и со встроенным каналом.

ПТ со встроенным каналом – это такие тр-ры, у кот. при их изготовлении уже проводящий канал между истоком и стоком есть.

рис. 1.

В таком тр-ре канал выполняется уже в процессе изготовления.

Uз = 0, U > 0(+), U < 0(-).

Uз = 0, – между стоком и истоком уже существует канал и Ic имеет некоторое значение.

U < 0, – электроны из канала отталкиваются, а дырки притягиваются. В результате канал обедняется основными носителями - режим обеднения. Канал сужается, Ic уменьшается и хар-ки смещаются вниз.

U > 0, – дырки отталкиваются от канала, а электроны притягиваются. Канал обогащается основными носителями. Он расширяется и Ic увеличивается, характеристики смещаются вверх.

Параметры полевого транзистора.

1. внутреннее сопротивление:

Ri = ΔUc / ΔIc , при Uз = const.

2. крутизна характеристики:

S = ΔIc / ΔUз , при Uс = const.

3. коэффициент усиления:

K = Ri•S.

4. мощность рассеивания:

Pc = Ic рт•Uc рт.