3 Методика выполнения работы

Для снятия вольт - яркостных и частотных характеристик ЭЛК используется установка, структурная схема которой приведена на рис.10.

ЭЛК, на обкладки которого подается переменное напряжение с генератора ГЗ-34, помещен в светонепроницаемую камеру. Камера имеет окно, в которое вставляется чувствительный элемент люксметра Ю-17. В работе производится измерение интегральной яркости излучения.

Рис. 10. Схема измерительной установки.

Яркость В излучения измеряется в кд/м²(НТ) и определяется как яркость площадки, дающей силу света 1 кд с каждого квадратного метра в направлении нормали. Люксметр измеряет освещенность (интенсивность светового потока) в лк (Лм/м²).

Связь между яркостью и освещенностью имеет вид

.

Установка величины к частоте питающего переменного напряжения производится непосредственно по индикаторам генератора ГЗ - 34.

4 Порядок выполнения работы

1. Используя описание данной лабораторной работы и технические описания генератора ГЗ-34 и люксметра Ю-17, снять зависимость Е = f(U) для нескольких фиксированных значений частоты по указанию преподавателя.

2. Снять зависимость Е = f() для нескольких фиксированных значений питающего напряжения U по указанию преподавателя.

3. Рассчитать значения В, lgB,.

4. Построить графики зависимостей lg B = f() и В = f().

5. Произвести сравнение полученных графиков с видом зависимостей, приведенных в описании лабораторной работы.

Вопросы для самостоятельной работы

1. Что такое люминесценция?

2. Виды люминесценции.

3. Закон Стокса. Закон Вавилова.

4. Классификация видов люминесценции по происходящим в люминофоре процессам. Люминофоры и их классификация.

5. Виды электролюминесценции.

6. Устройство электролюминесцентного конденсатора.

Дополнительная литература

1. Прикладная электролюминесценция / Под ред. М. В. Фока. -М.: Сов. радио, 1974. - 317с.

2. Электролюминесцентные источники света / И. К Верещагин, Б. А. Ковалев, Л. Д. Косяченко, С. М. Кокин; под ред. И. К. Верещагина. - М.: Энергоиздат, 1990. - 168 с.

Лабораторная работа № 7 «исследование времени жи3ни неосновных носителей заряда в полупроводниках»

1 Цель работы

Ознакомление с методикой измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниках с помощью изучения переходных процессов в диоде.

2 Общие сведения

Время жизни неосновных носителей заряда является одним из основных параметров полупроводниковых материалов, который необходимо учитывать при проектировании и изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных схем. Величина его определяет значение таких важных функциональных характеристик приборов, как коэффициент усиления транзисторов, время переключения высокочастотных диодов, эффективность солнечных батарей и т.д.

Для определения времени жизни неосновных носителей заряда обычно применяют исследование временного или пространственного изменения концентрации неравновесных носителей заряда, создаваемых внешним возбуждением. При изучении пространственного распределения неравновесных носителей определяют величину их диффузионной длины L, которая однозначно связана с временем жизни соотношением

,

где D - коэффициент диффузии неосновных носителей заряда. Наиболее распространенными способами определения времени жизни является метод модуляции проводимости точечного контакта и метод светового зонда.