Технология СБИС / sbis / osazhd / osaz_osr

Основные реакцииОсновные реакции, необходимые для осаждения

диэлектрических и поликремниевых пленок

Материал пленкиРеагентыТемпература осаждения, °CДвуокись кремнияSiH4+ CO2+ H2

SiCl2H2+ N2O

SiH4+ N2O

SiH4+ NO

Si(OC2H5)4

SiH4+ O2 

850-950

850-950

750-850

650-750

650-750

400-450

 Нитрид кремния

SiH4 + NH3

SiCl2H2 + NH3700 - 900

650 - 750Плазмохимический 

нитрид кремнияSiH4 + NH3

SiH4 + N2250 - 350

250 - 350Плазмохимическая двуокись кремнияSiH4 + N2O200 - 350ПоликремнийSiH4600 - 650