Технология СБИС / sbis / osazhd / osaz_sin

Нитрид кремнияНитрид кремнияСтехиометричный Si3N4 используют для пассивирования поверхности полупроводниковых приборов (предохраняет от диффузии воды и ионов натрия, маска при локальном окислении кремния).

Химическое осаждение:

при атмосферном давлении и температуре 700 - 900 °C

3SiH4 + 4NH3 Si3N4 +12H2

при пониженном давлении и температуре 700 - 800 °C  

3SiH2Cl2 + 4NH3  Si3N4 + 6HCl + 6H2

Свойства нитрида кремния:

аморфный диэлектрик

коэффициент преломления 2.01

высокие растягивающие напряжения 100 ГПа

удельное сопротивление  1016 Oм·см

плотность 2.9 - 3.1 г/см3

диэлектрическая постоянная 6-7

ширина запрещенной зоны 5 эВ