Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Скачиваний:
6
Добавлен:
17.04.2013
Размер:
2.06 Кб
Скачать

Общая характеристика процесса осажденияОсаждение диэлектрических пленок и

поликристаллического кремния

Осаждение диэлектрических пленок широко используется для производства СБИС. Эти пленки:

формируют проводящие участки внутри схемы,

выполняют роль электрического изолятора между металлами,

защищают поверхность от воздействия окружающей среды.

Основные используемые материалы:

Поликремний - применяется как полуизолирующий материал для пассивации ИС.

SiO2 - предотвращает диффузию примесей щелочных металлов.

Si3N4 - применяется в качестве маски для травления окисла и как подзатворный диэлектрик.

SiN -  применяется как пассивирующий слой и защитный слой от механических повреждений.

Наиболее распространены метод осаждения из парогазовых смесей при атмосферном и пониженном давлении и плазмохимическое осаждение из парогазовых смесей.

Требования к осаждаемым пленкам:

толщина пленки должна быть однородной в каждом приборе и на всех подложках, обрабатываемых во время одного технологического процесса,

структура и состав пленки должны быть полностью контролируемы и воспроизводимы,

метод осаждения должен быть безопасен, полностью воспроизводим, должен обеспечивать возможность автоматизации и быть дешевым.

Соседние файлы в папке osazhd