Технология СБИС / sbis / osazhd / osaz_m3o
.htmОбщая характеристика процесса осажденияОсаждение диэлектрических пленок и
поликристаллического кремния
Осаждение диэлектрических пленок широко используется для производства СБИС. Эти пленки:
формируют проводящие участки внутри схемы,
выполняют роль электрического изолятора между металлами,
защищают поверхность от воздействия окружающей среды.
Основные используемые материалы:
Поликремний - применяется как полуизолирующий материал для пассивации ИС.
SiO2 - предотвращает диффузию примесей щелочных металлов.
Si3N4 - применяется в качестве маски для травления окисла и как подзатворный диэлектрик.
SiN - применяется как пассивирующий слой и защитный слой от механических повреждений.
Наиболее распространены метод осаждения из парогазовых смесей при атмосферном и пониженном давлении и плазмохимическое осаждение из парогазовых смесей.
Требования к осаждаемым пленкам:
толщина пленки должна быть однородной в каждом приборе и на всех подложках, обрабатываемых во время одного технологического процесса,
структура и состав пленки должны быть полностью контролируемы и воспроизводимы,
метод осаждения должен быть безопасен, полностью воспроизводим, должен обеспечивать возможность автоматизации и быть дешевым.