Глава II. Жорес Иванович Алферов
Жорес Иванович Алферов родился 15 марта 1930 года в Витебске и был вторым ребенком в семье, где рос сын Маркс (1924-1944),будучи студентом первого курса энергетического факультета Уральского индустриального института, осенью 1941 года ушел добровольцем на фронт, участвовал в обороне Сталинграда, в сражении на Курской дуге и погиб зимой 1944 года во время Корсунь-Шевченковской операции.
Родители Жореса Ивановича были родом из Белоруссии. Отец- Иван Карпович Алферов(1894-1982) участвовал в первой мировой войне, был гусаром и получил два георгиевских креста. В 1917 году став большевиком, воевал в гражданскую войну командиром кавалерийского полка. Окончив в 1935 году Промакадемию, стал одним из руководителей целлюлозно-бумажной промышленности страны: был директором заводов, комбинатов, начальником трестов, строил, восстанавливал и налаживал производство. Мать – Анна Владимировна (1900-1982), Розенблюм в девичестве, будучи женой «кочующего» отечественного работника руководила Советом жен-общественниц, также работала в библиотеке.
И мать и отец его умерли в одном и том же 1982 году. Прах их покоится на Лесном Комаровском кладбище под небольшим монументом работы ленинградского скульптора, народного художника СССР Михаила Константиновича Аникушина.
В 1935 году, после окончания отцом Промакадемии, семья начинает переезжать с места на место. Сталинград, Новосибирск, Барнаул, Сясьстрой, Туринск- это далеко не полный список тогдашних мест проживания семьи Алферовых, весьма большой географический разброс по стране.
Однако такой «кочевой» образ жизни никак не повлиял на успешную учебу тогда еще юного Жореса. В 1937 году он начал учиться в начальной школе в Новосибирске. Затем он учился в Барнауле и Сясьстрое, что находится в Ленинградской области. С пятого по восьмой класс он учился в уральском городе Туринске, где его отец всю войну проработал директором завода по производству пороховой целлюлозы. Занятия в школе проходили в три смены, последняя из которых заканчивалась в одиннадцать вечера. В свободное от учебы время Жорес работал на заводе. Девятый и десятый классы он заканчивал в единственной мужской школе города Минска, куда сразу после войны был направлен работать его отец. Именно в эти годы ученый загорелся страстью к физике. Интерес к этому предмету своим ученикам привил педагог Яков Борисович Мельцерзон. В 1947 году Жорес оканчивает школу с золотой медалью и поступает на электроэнергетический факультет Белорусского политехнического института, а после окончания первого курса переходит в Ленинградский электромеханический институт им. В. И. Ульянова (Ленина) на факультет электронной техники.
Студенческие годы Алферова были наполнены не только учебой. Во время летних каникул 1949 года он вместе с другими студентами ЛЭТИ участвовал в строительстве Красноборской электростанции. за один строительный сезон студенты построили плотину и один водоотводный канал, возвели здание ГЭС, смонтировали оборудование, соорудили линию электропередачи. Алферов работал в бригаде, осуществляющей строительство станций. 15 октября 1949 года Красноборская ГЭС дала ток, и в окрестных деревнях зажглись лампочки.
В 1950 году, будучи студентом третьего курса, Алферов начал выполнять экспериментальную работу в научно-исследовательской вакуумной лаборатории профессора Б. П. Козырева под руководством Наталии Ивановны Созиновой, которая занималась исследованием полупроводниковых фотоприемников в инфракрасной области спектра. Так полупроводники стали одной из главных тем исследования в жизни Алферова.
Жорес Иванович не только сам занимался научной работой, но и привлекал к этому студентов. В течение нескольких лет он был председателем научно-исследовательского общества ФЭТ, одним из организаторов проводившихся в ЛЭТИ научно-исследовательских конференций, выступал на них с докладами.
В 1951 году его студенческая работа была отмечена в числе лучших, за что он был вознагражден поездкой на строительство Волго-Донского канала и Сталинградской ГЭС. В декабре 1952 года во время выполнения дипломной работы, посвященной получению и исследованию фотопроводимости … (с. 203)
………………………………………..
По разработанной Жоресом Ивановичем в 70-х годах технологии высокоэффективных радиационностойких солнечных элементов на основе AlGaAs/GaAs гетероструктур в России впервые в мире было организовано крупномасштабное производство гетероструктурных солнечных элементов для космических кораблей. Одна из них, установленная в 1986 году на космической станции «Мир», проработала на орбите весь срок эксплуатации без существенного снижения мощности.
В конце 90-х годов одним из направлений работ, проводимых под руководством Жореса Ивановича, становится получение и исследование наноструктур пониженной размерности: квантовых, проволок и квантовых точек.
В 1993-1994 годах впервые в мире созданы гетеролазеры на основе структур с квантовыми точками – «искусственными атомами». В 1995 году он впервые демонстрирует инжекционный гетеролазер на квантовых точках, работающий в непрерывном режиме при комнатной температуре. Принципиально важным стало расширение спектрального диапазона лазеров с использование квантовых точек на подложках арсенида галлия. Таким образом, исследованиями Жореса Ивановича и его сотрудниками заложены основы принципиально новой электроники на основе гетероструктур с очень широким диапазоном применения, известным сегодня как «зонная инженерия».
Благодаря своим личностным качествам Жоресу Ивановичу удалось создать чрезвычайно эффективно работающую команду, объединяющую физиков и технологов. Среди его учеников два члена-корреспондента РАН, 15 докторов и 48 кандидатов наук.
Научная изобретательность Алферова получила широкое международное признание. Он был избран членом Франклинского университета (1971, США); действительным членом (академиком) РАН (АН СССР, 1979); иностранным членом АН ГДР (1987); почетным профессором Гаванского университета (Куба, 1987); иностранным членом АН Польши (1988); иностранным членом Национальной академии наук США (1990); иностранным членом Национальной инженерной академии наук США (1990); почетным членом Метрологической академии (СПб, 1994); иностранным членом Академии наук республики Беларусь (1995); иностранным членом Академии науки и технологии Кореи (1995); почетным членом Общества физики и технологии полупроводников Пакистана (1996);
почетным академиком Международной академии холода (1997); иностранным членом Оптического общества США (1997); действительным членом международной академии наук, экологии, безопасности человека и природы (1998); почетным доктором Института общей и ядерной физики Российского научного центра «Курчатовский институт» (1998); почетным доктором Санкт-Петербургского гуманитарного университета (1998); почетным доктором Санкт-Петербургского государственного технического университета (1998); действительным членом Международной академии наук высшей школы (2000); почетным доктором Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета (2001).
Помимо уже названных выше медали Стюарта Балантайна, Ленинской и Нобелевской премии ему были присуждены: Хьеллет-Пиккардовская премия Европейского физического общества (1978) за новые работы в области гетеропереходов; Государственная премия СССР (1984) за разработку изопериодических гетероструктур на основе четверных твердых растворов полупроводниковых соединений элементов 3-й и 5-й групп; награда симпозиума по GaAs (1987) за пионерские работы в области полупроводниковых гетероструктур на основе соединений элементов 3-й и 5-й групп и разработку инжекционных лазеров и фотодиодов; медаль Велькера (1987) за пионерские работы по теории и технике на основе соединений элементов 3-й и 5-й групп; премия А. П. Карпинского (ФРГ, 1989) за вклад в развитие физики и техники гетероструктур; премия М. Иоффе РАН (1996) за цикл работ «Фотоэлектрические преобразователи солнечного излучения на основе гетероструктур»;Орден «За заслуги перед Отечеством» III степени (4 июня 1999) — за большой вклад в развитие отечественной науки, подготовку высококвалифицированных кадров и в связи с 275-летием Российской академии наук; Общенациональная неправительственная Демидовская премия (РФ, 1999) за выдающийся вклад в развитие физики полупроводников и квантовой полупроводниковой электроники; Золотая медаль имени А. С. Попова (РАН, 1999) за цикл работ в области развития методов и средств радиоэлектроники;Орден «За заслуги перед Отечеством» II степени (2000); Премия Киото (Инамори фонд, Япония, 2001) — за успехи в создании полупроводниковых лазеров, работающих в непрерывном режиме при комнатных температурах — пионерский шаг в оптоэлектронике; Премия В. И. Вернадского (НАН Украины, 2001);Премия «Российский Национальный Олимп»- титул «Человек-легенда» (РФ, 2001); Орден Франциска Скорины (Белоруссия, 17 мая 2001) — за большой личный вклад в развитие физической науки, организацию белорусско-российского научно-технического сотрудничества, укрепление дружбы народов Белоруссии и России; Золотая медаль (SPIE, 2002); Награда «Золотая тарелка» (Академия достижений, США, 2002); Орден князя Ярослава Мудрого (Украина, 15 мая 2003) — за весомый личный вклад в развитие сотрудничества между Украиной и Российской Федерацией в социально-экономической и гуманитарной сферах;Орден «За заслуги перед Отечеством» I степени (14 марта 2005) — за выдающиеся заслуги в развитии отечественной науки и активное участие в законотворческой деятельности; Международная энергетическая премия «Глобальная энергия» (Россия, 2005);Орден «За заслуги перед Отечеством» IV степени (15 марта 2010) — за заслуги перед государством, большой вклад в развитие отечественной науки и многолетнюю плодотворную деятельность; награда «Почётный орден РАУ»- удостоен звания «Почётный доктор Российско-Армянского (Славянского) университета» (ГОУ ВПО Российско-Армянский (Славянский) университет, Армения, 2011).
Очень большое внимание Жорес Иванович уделяет проблеме образования: ему удалось воплотить в жизнь свою давнюю мечту, озвученную еще Петром I, о тесной связи образования и науки. Начал он с того, что в 1973 году основал совместно с Тулькевичем в ЛЭТИ базовую кафедру радиоэлектроники. Вслед за этим были созданы базовые кафедры в ФТИ и в Ленинградском политехническом институте (ныне Санкт-Петербургский государственный политехнический университет ). 1988 году они были объединены в базовый физико-технический факультет СПбГТУ, а Жорес Иванович стал его деканом. Следующим шагом в улучшении отбора и подготовки физиков явилась организация при ФТИ базового физико-технического лицея, в работе которого Жорес Иванович Алферов принимает самое активное участие. Благодаря его усилиям в 1999 году завершено строительство специального здания, в котором под одной крышей объединены лицей, кафедры ВУЗов и научно-учебные лаборатории. такие объединение существенно расширяет возможности системы непрерывного образования и подготовки научных работников, создание которой принадлежит Ж. И. Алферову.
Наряду с интенсивной научной и организационной работой в ФТИ Жорес Иванович выполняет большую научно-организационную работу вне института. Он вице-президент РАН, председатель президиума Санкт-Петербургского научного центра РАН, член бюро отделения общей физики и астрономии, главный редактор журнал «Письма в ЖТФ».
С 1989 по 1992 год он был народным депутатом СССР. С 1995 года по настоящее время – депутат Государственной Думы Федерального Собрания Российской Федерации, представитель подкомитета Комитета по науке и образованию Государственной Думы.
Ученый активно участвует в общественной и культурной жизни, подтверждением чего является его книга «Физика и жизнь» [3], которая за короткий промежуток времени была переиздана дважды.
Хочется привести слова ученого, который утверждает, что роль науки в жизни людей действительно неоценима: «Все, что создало человечество, оно создало благодаря науке» [3, c. 273].