Выводы по результатам курсовой работы

В данной курсовой работе произведена разработка логического элемента по упрощенной заданной функции. Упрощение было произведено с помощью карт Карно, упрощенная функция приведена к базису И-, ИЛИ-НЕ и имеет вид :

Далее, в соотвествии с упрощением, была составлена электрическая схема, включающая заданную квазилинейную нагрузку- общую для группы переключающих транзисторов. Затем произвели аналитический расчет параметров транзисторов схемы и определили геометрические размеры затворов последних.

Геометрические размеры транзисторов T₂, Т₃, Т₄:

L = 6 (мкм).

W = 75 (мкм).

Геометрические размеры для нагрузочного транзистора Т_н(T₁):

W = 6 (мкм),

L = 24 (мкм).

Электрическая схема, описанная в PSPICE, обсчитывалась для определения статических и динамических параметров схемы.

U¹=6 (B)

U⁰=0.226 (B)

U^П=1.6883 (B)

U=5.774 (B)

0.1*U+ U⁰=0.8 (B)

0.5*U+ U⁰=3.11 (B)

0.9*U+ U⁰=5.42 (B)

U⁰_пз=U^П-U⁰=1.46 (B)

U¹_пз=U¹-U^П=4,31 (В)

U¹_пу=4 (В)

U⁰_пу=0,83 (В)

t⁰¹_зд=13,102 (нс)

t¹⁰_зд=0,81 (нс)

t_ср=1,85 (нс)

t_ф=72,9 (нс)

t_здср=6,956 (нс)

Логический уровень “0” получился отличным от заданного на 13%.

По полученным геометрическим размерам построена топология логического элемента и вкратце рассказаны основные этапы технологического маршрута изготовления МДП-транзистора с совмещенным поликремниевым затвором, что является главной особенностью данной технологии. Вообще технологический маршрут с Si*- затвором включаетчетыре фотолитографии :

1. Формирование локальных охранных областей.

2. Формирование Si*-ого затвора.

3. Формирование контактных окон.

4. Металлизация.

В моем случае получился логический элемент с длинной 216 мкм,

шириной 150 мкм и общей площадью 32400 мкм². Топология разработана по методу -проектирования с учетом всех заданных топологических ограничений и допусков.

Список используемой литературы :

1. Конспект лекций по микросхемотехнике.

2. Онацько В. Ф., Основы топологического проектирования.

3. Алексенко А. Г., Микросхемотехника.

- 14-