Выводы по результатам курсовой работы
В данной курсовой работе произведена разработка логического элемента по упрощению заданной функции. Упрощение было произведено с помощью карты Карно, упрощенная функция приведена к базису И-, ИЛИ-НЕ и имеет вид :
Далее, в соответствии с упрощением, была составлена электрическая схема, включающая заданную квазилинейную нагрузку- общую для группы переключающих транзисторов. Затем произвели аналитический расчет параметров транзисторов схемы и определили геометрические размеры затворов последних.
Геометрические размеры транзисторов Т3, Т4:
L = 6(мкм).
W = 22 (мкм).
Геометрические размеры транзисторов Т2:
L = 6(мкм).
W = 11 (мкм).
Геометрические размеры для нагрузочного транзистора Тн:
W = 22 (мкм),
L = 6 (мкм).
Электрическая схема, описанная в PSPICE, обсчитывалась для определения статических и динамических параметров схемы.
U1=5 (B)
U0=0.64 (B)
UП=2.1149 (B)
U=4.36 (B)
0.1*U+ U0=1.08 (B)
0.5*U+ U0=2.824 (B)
0.9*U+ U0=4.568 (B)
U0пз=UП-U0=1.4709 (B)
U1пз=U1-UП=2.885 (В)
U1пу=2.53 (В)
U0пу=0.535 (В)
t01зд=17.011 (нс)
t10зд=3.0366 (нс)
tср=6.2109 (нс)
tф=85.084 (нс)
tздср=10.0238 (нс)
Логический уровень “0” получился отличным от заданного на 6.6 %.
По полученным геометрическим размерам построена топология логического элемента и рассказаны основные этапы технологического маршрута изготовления МДП-транзистора с самосовмещенным поликремниевым затвором, что является главной особенностью данной технологии. Вообще технологический маршрут с Si*- затвором включаетчетыре фотолитографии :
Формирование локальных охранных областей.
Формирование Si*-ого затвора.
Формирование контактных окон.
Металлизация.
В моем случае получился логический элемент с длинной 147 мкм,
шириной 92.4 мкм и общей площадью 13582.8 мкм2. Топология разработана по методу-проектирования с учетом всех заданных топологических ограничений и допусков.
Список используемой литературы :
Конспект лекций по микросхемотехнике.
Основы топологического проектирования, Онацько В. Ф.
Микросхемотехника, Алексенко А. Г.
-