Выводы по результатам курсовой работы

В данной курсовой работе произведена разработка логического элемента по упрощению заданной функции. Упрощение было произведено с помощью карты Карно, упрощенная функция приведена к базису И-, ИЛИ-НЕ и имеет вид :

Далее, в соответствии с упрощением, была составлена электрическая схема, включающая заданную квазилинейную нагрузку- общую для группы переключающих транзисторов. Затем произвели аналитический расчет параметров транзисторов схемы и определили геометрические размеры затворов последних.

Геометрические размеры транзисторов Т₃, Т₄:

L = 3 (мкм).

W = 21 (мкм).

Геометрические размеры транзисторов Т₂:

L = 3 (мкм).

W = 11 (мкм).

Геометрические размеры для нагрузочного транзистора Т_н:

W = 2 (мкм),

L = 19 (мкм).

Электрическая схема, описанная в PSPICE, обсчитывалась для определения статических и динамических параметров схемы.

U¹=8 (B)

U⁰=0.2 (B)

U^П=1.9697 (B)

U=7.77 (B)

U⁰_пз=U^П-U⁰=1.77 (B)

U¹_пз=U¹-U^П=6.03 (В)

U¹_пу= (В)

U⁰_пу= (В)

t⁰¹_зд=4.12 (нс)

t¹⁰_зд=0.79 (нс)

t_ср=1.62 (нс)

t_ф=110 (нс)

t_здср=2.455 (нс)

Логический уровень “0” получился отличным от заданного на 15 %.

По полученным геометрическим размерам построена топология логического элемента и рассказаны основные этапы технологического маршрута изготовления МДП-транзистора с несамосовмещенным алюминиевым затвором, что является главной особенностью данной технологии. Вообще технологический маршрут с Al-затвором включаетчетыре фотолитографии :

1. Разделительная диффузия.

2. Формирование областей стока и истока.

3. Формирование тонкого под затворного окисла.

4. Формирование защитного окисла и контактных окон.

5. Металлизация.

Получился логический элемент с длинной 147 мкм, шириной 92.4 мкм и общей площадью 13582.8 мкм².

- 11-