7. Выводы по результатам курсовой работы

В данной курсовой работе произведена разработка логического элемента по упрощенной заданной функции. Упрощение было произведено с помощью карт Карно, упрощенная функция приведена к базису И-, ИЛИ-НЕ и имеет вид :

Далее, в соотвествии с упрощением, была составлена электрическая схема, включающая заданную нелинейную нагрузку- общую для группы переключающих транзисторов. Затем произвели аналитический расчет параметров транзисторов схемы и определили геометрические размеры затворов последних.

Геометрические размеры транзисторов Т₂, Т₃, Т₄ ,Т₅

L = 9 (мкм).

W = 12 (мкм).

Геометрические размеры для нагрузочного транзистора Т₁:

W = 6 (мкм),

L = 90 (мкм).

Электрическая схема, описанная в PSPICE, обсчитывалась для определения статических и динамических параметров схемы.

Логический уровень “1” получился отличным от заданного на 3%, а логический уровень “0” получился отличным от заданного на 0.8%.

По полученным геометрическим размерам построена топология логического элемента и вкратце рассказаны основные этапы технологического маршрута изготовления МДП-транзистора с совмещенным алюминиевым затвором, что является главной особенностью данной технологии. Вообще технологический маршрут с Al-затвором включаетпять фотолитографии :

1. Разделительная диффузия.

2. Формирование областей стока и истока.

3. Формирование тонкого под затворного окисла.

4. Формирование защитного окисла и контактных окон.

5. Металлизация.

Получился логический элемент с длинной 224 мкм, шириной 144 мкм и общей площадью 32256 мкм². Топология разработана по методу -проектирования с учетом всех заданных топологических ограничений и допусков.

Список используемой литературы :

1. Конспект лекций по микросхемотехнике.

2. Основы топологического проектирования, Онацько В. Ф.

3. Микросхемотехника, Алексенко А. Г.

11

- -