Выводы по результатам курсовой работы

В данной курсовой работе произведена разработка логического элемента по упрощенной заданной функции. Упрощение было произведено с помощью карт Карно, упрощенная функция приведена к базису И-, ИЛИ-НЕ и имеет вид :

Далее, в соотвествии с упрощением, была составлена электрическая схема, включающая заданную нелинейную нагрузку- общую для группы переключающих транзисторов. Затем произвели аналитический расчет параметров транзисторов схемы и определили геометрические размеры затворов последних.

Геометрические размеры транзисторов Т₂, Т₃, Т₄:

L = 6 (мкм).

W = 56 (мкм).

Геометрические размеры для нагрузочного транзистора Т_н:

W = 27 (мкм),

L = 6 (мкм).

Электрическая схема, описанная в PSPICE, обсчитывалась для определения статических и динамических параметров схемы.

Логический уровень “0” получился отличным от заданного на 11.5%.

По полученным геометрическим размерам построена топология логического элемента и вкратце рассказаны основные этапы технологического маршрута изготовления МДП-транзистора с совмещенным поликремниевым затвором, что является главной особенностью данной технологии. Вообще технологический маршпут с Si*- затвором включаетчетыре фотолитографии :

1. Формирование локальных охранных областей.

2. Формирование Si*-ого затвора.

3. Формирование контактных окон.

4. Металлизация.

В моем случае получился логический элемент с длиной 162 мкм,

шириной 140 мкм и общей площадью 22680 мкм². Топология разработана по методу -проектирования с учетом всех заданных топологических ограничений и допусков.

Список используемой литературы :

1. Конспект лекций по микросхемотехнике.

2. Основы топологического проектирования, Онацько В. Ф.

3. Микросхемотехника, Алексенко А. Г.

- 12-