ФизЭлектроника PDF-лекции / (Лекция 7-8)
.pdfЛекция 7
Особенности движения потоков заряженных частиц
Необходимость применения вакуума.
Попытки транспортировки заряженные частицы в пространстве, заполненном газом, при нормальном давлении не могут привести к положительным результатам.
В 1 см3 газа содержится:
n = 10,6 ×1018 P частиц
T
При атмосферном давлении 760 мм.рт.ст. и Т=300ºК в 1 см3 содержится:
n = 10,6 ×1018 760 = 26 ,8 ×1018 частиц 300
И при движении частицы в этих условиях длина свободного пробега составит:
l = 1,53 ×10−5 |
T |
= 1,53 ×10−5 |
300 |
= 0,6 ×10−5 см. |
|
760 |
|||
|
P |
|
При такой ничтожно малой длине свободного пробега ускорение невозможно. Частица, ещё не получив нужной энергии, рассеется в результате столкновения с молекулами газа. Т.е. требуется создание вакуума.
Физические процессы в вакууме сильно зависят от соотношения между числом взаимных столкновений молекул и числом столкновений молекул со стенками вакуумного объема.
Частота столкновений между молекулами Км обратно пропорциональна длине свободного пробега:
|
|
vap |
|
|
1 |
∞ |
|
8kT |
|
|
Km |
= |
|
, где vap |
= |
|
∫vdnv = |
|
|
- среднеарифм. скорость молекул. |
|
|
|
|
||||||||
|
|
l |
|
|
n |
0 |
|
πm |
Среднее число соударений со стенкой Кс, приходящихся в единицу времени на одну молекулу:
Kc |
= |
vap |
, |
|
|||
|
|
dэф |
где dэф – эффективный размер вакуумной камеры (для сферического сосуда
диаметром D: dэф = 2 D , для беск. трубы диаметром D: dэф = D , для двух
3
беск. параллельных плоскостей на расстоянии D: dэф = 2D ).
Отношение Кс/Км называется критерием Кнудсена:
Kn = Kc Km = ldэф
В зависимости от значения этого критерия различают вакуум: низкий,
средний, высокий.
Низкий вакуум (Кn<<1) – взаимные столкновения между молекулами преобладают над столкновениями молекул газа со стенками. Длина свободного пробега << размера вакуумного объема.
Средний вакуум (Кn≈1) – частота взаимных столкновений молекул равна частоте столкновений со стенками объема.
Высокий вакуум (Кn>1) – частота столкновений со стенками камеры превышает частоту взаимных столкновений.
Для часто встречающегося в ускорительной технике давления 10-6мм рт.ст.
длина свободного пробега:
l = 1,53 ×10−5 300 = 4590см = 45,9 м. 10−6
Расчет длины св. пробега и рассеяния представляют сложную задачу (см.
пример). Расчеты показывают, что для успешной работы большинства устройств давление выбирается из расчета, чтобы потери из-за рассеяния не превышали 10-15%.
Ипри расчете рассеяния на газе устанавливаются три основные величины:
1.рабочее давление в камере
2.амплитуда колебаний основной группы частиц, вызванных столкновениями
3.величина потерь, вызванных рассеянием.
Потери
В предыдущих разделах мы рассмотрели основы эмиссионной электроники,
протекания тока в условиях вакуумного диода и наиболее общие закономерности движения частиц. Следует отметить, что в процессе такого рассмотрения мы пренебрегали рассмотрением процессов потерь частиц и их энергии, которых существует значительное число.
В последующем материале мы постараемся сосредоточить свое внимание на рассмотрении основных каналов потерь:
1.рассеяние электронных пучков на молекулах остаточного газа
2.ионизация;
3.радиационные потери (тормозное излучение);
1. Рассеяние электронных пучков на молекулах остаточного газа.
Как было показано ранее, в диапазоне давления 10-3Па и выше потери частиц в результате рассеяния на атомах остаточного газа становятся заметными и их необходимо учитывать при рассмотрении процесса транспортировки пучков заряженных частиц.
В этих условиях становится существенным эффект изменения направления движения электронов пучка при их взаимодействии с атомами. При последовательных многократных взаимодействиях этот эффект приводит к рассеянию (расширению) электронного пучка.
Эффективное сечение – величина, характеризующая вероятность перехода системы сталкивающихся частиц в результате их рассеяния как упругого, так и неупругого в определенное конечное состояние.
А) Закономерности рассеяния при однократном упругом
взаимодействии.
Под упругим взаимодействии понимается взаимодействие без изменения энергии электрона и рассевающего центра. В этом случае взаимодействие сводится к отклонению траектории электрона, что сказывается, в конечном счете, на одном из основных из параметров – интенсивности.
В кулоновском поле неподвижного положительного заряженного атомного ядра угол отклонения траектории электрона описывается выражением:
tgΘ |
= |
|
e |
|
( |
|
e |
|
Z ) |
= |
e2 Z |
(4.1) |
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
2 |
|
|
mv2b mv2b |
|
Где θ - угол, характеризующий изменение направления траектории (см. рис.). e Z - заряд ядра, e - абсолютное значение заряда электрона, Z - атомный номер, v - скорость электрона, b - прицельный параметр – минимальное расстояние, на котором электрон прошел бы мимо ядра (без столкновения),
если бы взаимодействие между ними отсутствовало.
Из этого соотношения видно, что:
1.Наиболее сильно рассеиваются легкие частицы, а тяжелые частицы рассеиваются слабее.
2.Поскольку tgθ ~ 1/b, а более вероятны далекие взаимодействия, то преобладают рассеяния на малые углы. Однако, поскольку в реальном случае прицельный параметр ограничен размерами атома (bmax ≈ a), то очевидно, что углы рассеяния не могут принимать сколь угодно малые значения. Иными словами, из-за эффекта экранирования рассеяние на очень малые углы маловероятно.
3.Чем меньше передаваемая ядру энергия, тем меньше и угол рассеяния
угол отклонения
Траектории движения заряженных частиц в поле одного заряда ( q = 1 ) того же знака, что и падающие частицы, а внизу угловое распределение
частиц после их рассеяния. Угол (в градусах) отчитывается от направления первоначального движения частиц.
Рассмотрим процесс рассеяния электронов пучка на тонком слое газа.
Толщину слоя ∆z будем считать достаточно малой (т.е. при прохождении
электроны испытывают однократные взаимодействия). Количество атомов в
этом случае, приходящихся на площадь, равную площади поперечного
сечения пучка S определяется формулой:
ns = nS z
n – концентрация атомов.
Траектории электронов, проходящие этот слой, будут испытывать
отклонения на различные углы θ , которые зависят от прицельных
параметров относительно рассеивающих центров. Если ток пучка – I, то
через слой в единицу времени будет проходить N ′ = |
I |
|
e |
|
электронов. |
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Определим, какое количество этих электронов имеют прицельный параметр в диапазоне b ÷ b + db . Выделим вокруг каждого рассеивающего центра кольцо,
ограниченное радиусами b ÷ b + db . Площадь этого кольца - 2πbdb . Тогда число электронов, имеющих прицельный параметр в указанном интервале:
dN ′ = 2πbdbns
N S
Где 2πbdbns |
- суммарная площадь всех кольцевых площадок, S - площадь |
||||||||||
поперечного сечения потока. |
|
|
|
|
|
|
|||||
С учетом того, что ns = nS |
z , получаем: |
|
|
|
|
|
|
||||
|
dN ′ |
= 2πbdbn z = n 2πbdb |
(4.2) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
N ′ |
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Где n z = n1 |
- число атомов выделенного слоя, приходящихся на единицу |
||||||||||
площади поперечного сечения пучка. |
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
dN ′ |
|
e2 Z |
2 |
cosΘ |
||
Используя (4.1), преобразуем (4.2) к виду: |
|
= πn |
|
|
|
2 |
dΘ (4.3) |
||||
N ′ |
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
1 |
mv2 |
|
sin3 Θ |
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2 |
|
dN ′
В этом случае N ′ - относительное число частиц, рассеянных в интервале
Θ ÷Θ + dΘ .
(либо это вероятность отклонения электрона на угол в указанном интервале).
Отсюда следует, что преобладающим является вероятность отклонения на малые углы θ.
Введем в рассмотрение телесный угол dΩ , образованный двумя конусными поверхностями:
dΩ = 2π sinΘdΘ = 4π sinΘ 2 cosΘ 2 dΘ
Тогда:
dN ′ |
= |
n |
e2 Z |
2 |
dΩ |
|
|
|
|
1 |
|
|
|
|
|
(4.4) |
|
N ′ |
|
|
sin4 Θ |
|
||||
|
4 |
mv2 |
|
2 |
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
фиксируется малый телесный угол рассеяния dΩ, то такое сечение обычно называют дифференциальным сечением
Чаще дифференциальное сечение записывают в виде:
Таким образом, все частицы, проходящие через кольцо слева попадают в кольцо справа
Это формула Резерфорда, она определяет относительное число частиц,
рассеянных в телесный угол dΩ . Обычно эта формула им еет вид:
|
dN ′ |
= n σ(Θ )dΩ |
|
|
|
|
|||
|
N ′ |
|
|
|
|
||||
|
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
где σ(Θ ) = |
1 |
e2 Z |
2 |
1 |
|
- дифференциальное попереечное сечение |
|||
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
sin4 Θ |
|
||||||
|
|
|
4 mv2 |
|
2 |
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
рассеяния.
При анализе рассеяния используется также полное эффективное сечение рассеяния, определяе мое:
4π
σ~ = ∫σ(Θ )dΩ
0
Существуют уточнения формулы рассеяния, учитывающ ие эффект экранировки поля ядра орбитальными электронами и конечный размер ядра.
Учет эффекта экранирровки приводит к ограничению максимального прицельного параметра значением, равным радиусу атома
bmax |
|
= ra = 7 ,4 ×10−9 Z − 1 |
3 , что определяет min угол рассеяния: |
||||||
Θ |
|
|
e2 Z |
|
10−4 |
4 |
|
||
min |
= |
= |
Z 3 |
||||||
tg |
|
|
|
|
|
||||
2 |
mv2 r |
2γβ 2 |
|||||||
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
a |
|
|
|
|
Учет конечного радиуса ядра rя определяет min значение прицельного параметра:
bmin ≈ rя
Тогда: tg Θmax = |
e2 Z |
|
mv2 r |
||
2 |
||
|
я |
Для оценочных расчетов rя можно пользоваться формулой:
1 |
атомное массовое число, R0 » 1,5 ×10−13 |
|||
rя » R0 A 3 А – |
||||
Тогда: tg Θmax |
» |
1 |
2 |
|
Z 3 |
||||
|
||||
2 |
2γβ 2 |
|
В работе (Алексеев Б.В., Абакумов А.И., Виноградов В.С., Теплофизика высоких температур, 1981,19 №4 с.883-884 «Сечение упругого рассеяния быстрых электронов») были получены простые аналитические выражения для определения полного и транспортного сечения с погрешностью менее
30% для 8 ≤ Z ≤ 54 и 10KeV ≤ Z ≤ 1MeV . lnσполн = A − B ln Ek
lnσтр = С − Вln Ek
A = −46 ,7375 + 0,7913 ln Z ; B = 1,2753 −0,0898 ln Z ;
C = −51,7693 + 1,4322 ln Z ; D = 1,7665 −0,0386 ln Z
Б) Рассеяние электронов при многократном взаимодействии.
Расчету потерь ускоряемых частиц из-за рассеяния на остаточном газе в результате многократного взаимодействия посвящено значительное число работ (см. Известия вузов Физика №1 1961 стр.20-24 А.Г.Власов « К расчету потерь ускоряемых частиц из-за рассеяния на газе»)
Примерный ход электронной траектории при многократных взаимодействиях показан на рис. В точках A, B, C, D траектории происходит столкновение электрона с атомами и изменение направления его движения на углы θi .
Пусть в результате N столкновений на пути x частица испытает последовательную серию отклонений θ1, θ2,...., θN. Каждый из этих углов θi
определяется конкретными условиями данного столкновения (например,
значением параметра удара bi), так что вообще говоря θ1 ≠ θ2 ≠ θ3 ≠ ... ≠ θN.
Каждое из этих отклонений может быть направлено в любую сторону относительно предшествующего, т.е. они статистически независимы и равновероятны по разным направлениям, т.е. суммарное отклонение будет
N
равно нулю: ∑Θi = 0 . Поэтому результирующий угол рассеяния не может
i=1
служить мерой многократного рассеяния.
В качестве меры отклонения движения электрона от первоначального направления используется средний квадрат углов отклонения:
|
|
1 |
k |
|
|
Θ |
2 = |
∑Θi |
2 , k- количество столкновений. |
||
k |
|||||
|
|
i=1 |
|
В работе (Miller F.A., Gerardo J.B. J.Appl. Phys. 1972, v43, №7, p.3008-3013 «Electron bean propagation in high-pressure gases»), где исследовалось распространение электронных пучков в атмосфере газа при повышенных давлениях, рекомендуется следующая формула для оценочных расчетов
|
|
2 |
2 |
|
2 |
|
1 |
|
Θmax |
|
|
|
|||||||
Θ |
|
= 8πr0 |
nZ |
|
|
|
z ln |
|
|
|
|
β 4γ 2 |
Θmin |
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
где r0 - классический радиус электрона = 2,83 ×10−15 m n - плотность газа – м3
Θmax ,Θmin - максимальный и минимальный углы рассеяния, определяемые как указывалось ранее.