4. Контрольные вопросы

1. Чем отличается краевая и винтовая дислокации?

2. Объясните с помощью контура Бюргерса, почему дислокационная линия не может оборваться внутри кристалла?

3. Напряжение скольжения дислокации в металлическом кристалле порядка 10^–4G. Оцените, какое расстояние должно быть между дислокациями, чтобы движение одной из дислокаций вызвало бы движение другой.

4. Как будет выглядеть под микроскопом граница блока при исследовании поверхности кристалла в методе избирательного травления?

5. Чем обусловлена избирательность травления в местах выхода дислокаций?

6. Оцените, каким должно быть увеличение микроскопа, чтобы определить плотность дислокаций в пластически деформированном кристалле методом избирательного травления?

5. Список рекомендуемой литературы

1. Киттель Ч. Ведение в физику твердого тела. М., 1978.

2. Лахтин Ю.М., Леонтьева В.П. Материаловедение. М., 1990.

3. Шаскольская М.Н. .Кристаллография. М., 1976.

4. Травление полупроводников. М., 1964.

21