Диплом Messir 2002г (отл) / polirovka / Введение

Введение.

Развитие микроэлектроники идет в соответствии с устойчивой тенденцией уменьшения топологических размеров элементов, увеличения степени интеграции и диаметра пластин.

Увеличение диаметра кремниевых пластин, используемых для изготовления СБИС и ССИС и уменьшение топологических размеров элементов явлются важными элементами увеличения производительности и цены изделия, приведенной к одному квадратному сантиметру кристалла. Это достигается за счет увеличения числа кристаллов на пластине.

В то же время, при уменьшении топологических размеров, ужесточаются требования к макрогеометрическим параметрам пластин. Поэтому особое внимание следует уделить одной из важнейших операций в производстве кремниевых пластин химико-механическому полированию (ХМП). Ее важность заключается в том, что всегда при улучшении микрогеометрических параметров пластины происходило ухудшение макрогеометрических параметров, достигнутых при шлифовании.

Используемое сейчас в нашей стране оборудование для операции ХМП работает на пределе своих возможностей. Параметры пластин диаметром 150 мм, которые полируются на нашем оборудовании, уже не удовлетворяют мировым стандартам, а пластин диаметром 200 мм не удовлетворяют даже нашим стандартам.

Таким образом, в связи с растущей потребностью на кремниевые пластины большого диаметра, усовершенствование операции ХМП является одной из проблем, стоящих в данный момент перед отечественными производителями кремниевой промышленности.

В рамках данной работы будет рассмотрен один из путей решения этой проблемы, а именно полирование склеенных между собой в единый блок пластин на станке двухсторонней полировки.

2