Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
DIPLOM1 / ДИПЛОМ / ВВЕДЕНИЕ / ВВЕДЕН~1.DOC
Скачиваний:
19
Добавлен:
16.04.2013
Размер:
1.47 Mб
Скачать
  1. Выводы.

Рассмотрены результаты исследований терморезистивных материалов и способы изготовления терморезисторов. Основными методами изготовления терморезисторв являются методы керамической технологии, характеризующиеся высокими температурами спекания терморезистивного материала (более 1000С). На сегодняшний день существует неудовлетворенная потребность рынка в датчиках температуры выполненных методоми толстопленочной технологиис малыми геометрическими размерами (чип-терморезисторы) с параметрами:

  • Номинальное сопротивление: (0,5…1)106 Ом;

  • ТКС: 2,3…4,5 %/град;

  • Коэффициент температурной чувствительности: 2000…4000 К

  • Рабочий интервал температур: 20…250 С;

  • Толщина резистивного слоя: до 100мкм;

  • Габаритные размеры: 12 мм.

Поэтому цель дальнейших исследований состоит в том. Чтобы разработать технологию получения чип-терморезисторов с указанными характеристики. Для этого были выбраны две системы терморезистивных материалов: NiO–Li2O и NiO–CoO. Так же были определены материалы для терморезистивной пасты:

  • Органическое связующие– 4ЭЦТ;

  • Стеклосвязующее– стекло С–81.

Была выбрана проводящая паста для контактов чип-терморезисторов: ПП–10.

Тут вы можете оставить комментарий к выбранному абзацу или сообщить об ошибке.

Оставленные комментарии видны всем.

Соседние файлы в папке ВВЕДЕНИЕ