2. Выводы.

Рассмотрены результаты исследований терморезистивных материалов и способы изготовления терморезисторов. Основными методами изготовления терморезисторв являются методы керамической технологии, характеризующиеся высокими температурами спекания терморезистивного материала (более 1000С). На сегодняшний день существует неудовлетворенная потребность рынка в датчиках температуры выполненных методоми толстопленочной технологиис малыми геометрическими размерами (чип-терморезисторы) с параметрами:

• Номинальное сопротивление: (0,5…1)10⁶ Ом;

• ТКС: 2,3…4,5 %/град;

• Коэффициент температурной чувствительности: 2000…4000 К

• Рабочий интервал температур: 20…250 С;

• Толщина резистивного слоя: до 100мкм;

• Габаритные размеры: 12 мм.

Поэтому цель дальнейших исследований состоит в том. Чтобы разработать технологию получения чип-терморезисторов с указанными характеристики. Для этого были выбраны две системы терморезистивных материалов: NiO–Li₂O и NiO–CoO. Так же были определены материалы для терморезистивной пасты:

• Органическое связующие– 4ЭЦТ;

• Стеклосвязующее– стекло С–81.

Была выбрана проводящая паста для контактов чип-терморезисторов: ПП–10.