Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

DIPLOM1 / ДИПЛОМ / ВВЕДЕНИЕ / ВВЕДЕН~2

.DOC
Скачиваний:
10
Добавлен:
16.04.2013
Размер:
26.62 Кб
Скачать
  1. Выводы.

  1. Рассмотрены результаты исследований терморезистивных материалов и способы изготовления терморезисторов. Основными методами изготовления терморезисторв являются методы керамической технологии, характеризующиеся высокими температурами спекания терморезистивного материала. В настоящее время существует потребность в датчиках температуры выполненных методоми толстопленочной технологиис малыми геометрическими размерами (чип-терморезисторы) с параметрами:

  • Номинальное сопротивление: (0,5…5)107 Ом;

  • ТКС: менее –2,3 %/град;

  • Коэффициент температурной чувствительности: более 2000 К;

  • Рабочий интервал температур: 20…250 С;

  • Толщина резистивного слоя: до 100мкм;

  • Габаритные размеры: 12 мм.

  1. Целью настоящего исследования разработка технологии получения чип-терморезисторов с указанными характеристики. Для выполнения данной цели были выбраны две системы терморезистивных материалов: NiO–Li2O и NiO–CoO, свойства которых позволяют предположить, что на основе этих составов можно чип-терморезисторы с заданными параметрами. В качестве стеклосвязующего для терморезистивной пасты было выбрано стекло марки С–81, а в качестве органического связующего– 4ЭЦТ. Для контактов чип-терморезисторов была выбрана проводящая паста ПП–10.

Тут вы можете оставить комментарий к выбранному абзацу или сообщить об ошибке.

Мы не исправляем ошибки в тексте (почему?), но будем благодарны, если вы все же напишите об ошибках.

Соседние файлы в папке ВВЕДЕНИЕ