
-
Выводы.
-
Рассмотрены результаты исследований терморезистивных материалов и способы изготовления терморезисторов. Основными методами изготовления терморезисторв являются методы керамической технологии, характеризующиеся высокими температурами спекания терморезистивного материала. В настоящее время существует потребность в датчиках температуры выполненных методоми толстопленочной технологиис малыми геометрическими размерами (чип-терморезисторы) с параметрами:
-
Номинальное сопротивление: (0,5…5)107 Ом;
-
ТКС: менее –2,3 %/град;
-
Коэффициент температурной чувствительности: более 2000 К;
-
Рабочий интервал температур: 20…250 С;
-
Толщина резистивного слоя: до 100мкм;
-
Габаритные размеры: 12 мм.
-
Целью настоящего исследования разработка технологии получения чип-терморезисторов с указанными характеристики. Для выполнения данной цели были выбраны две системы терморезистивных материалов: NiO–Li2O и NiO–CoO, свойства которых позволяют предположить, что на основе этих составов можно чип-терморезисторы с заданными параметрами. В качестве стеклосвязующего для терморезистивной пасты было выбрано стекло марки С–81, а в качестве органического связующего– 4ЭЦТ. Для контактов чип-терморезисторов была выбрана проводящая паста ПП–10.