Добавил:
Upload
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:Презентации Тв эл / 7. Спецприборы.ppt
• Поглощение в различных областях
Фотодиоды
|
Dn np0 |
|
Dp pn0 |
|
|
|
Vсм |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
1 |
|
|||
j q |
|
|
|
exp |
|
|||||
|
Ln |
|
Lp |
|
|
T |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
Vсм |
|
|
|
|
J |
s |
exp |
|
1 . |
Формула Шокли. |
|||
|
||||||||
|
|
|
T |
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
||
I Iф Is
Iф q Nф А
ВАХ фотодиода
Фэ Nф hNф h с
Существует три режима работы фотодиода:
•фотодиодный (фотогальванический) режим – III квадрант;
•фотовольтаический (вентильный) режим – IV квадрант;
•режим лавинного счетчика фотонов.
• Поглощение в различных областях
•Частотные характеристики фотодиода определяются двумя
составляющими: временем диффузии носителей до ОПЗtI ( временем пролета2 через ОПЗ (
tд x 2 Dнн
)tди ).
tI wi 
max
Структура рiп-фотодиода
•Эти фотодиоды находят широкое применение в линиях оптической связи, так как их время фотоответа составляет 10-8 …10-10 с, и оптронах, то есть приборах, совмещающих источник и приемник излучения.