Добавил:
Upload
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:Презентации Тв эл / 7. Спецприборы.ppt
Структура энергетических зон гетероперехода
Структура полупроводникового лазера
Лазеры с квантово- размерными слоями
Потенциальная
прямоугольная яма конечной глубины
U 0 , x 0 U x 0,0 x a
U 0 , x a
|
|
|
|
Потенциальная |
|
|||||||
|
|
прямоугольная яма |
||||||||||
d 2 |
конечной глубины |
|||||||||||
1,3 (x) |
|
|
|
2m |
U0 Е 1,3 (x) 0 |
|
||||||
|
|
|
|
|
0 |
|
||||||
|
|
dx2 |
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
k1 |
2m0 |
|
U0 E |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2 |
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
d 2 (x) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
1,3 |
|
|
k 2 (x) 0 |
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
dx 2 |
|
|
|
1 |
|
1,3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
d |
2 (x) |
|
|
|
2m |
0 |
Е (x) 0 |
|
|||
|
|
2 |
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
dx2 |
|
|
|
2 |
|
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Потенциальная
прямоугольная яма конечной глубины
1 (x) A1 exp k1x , x 0;
2 (x) С sin k2 x ,0 x a;
3 (х) B3е k1х , x а.
Потенциальная
прямоугольная яма конечной глубины
•При уменьшении толщины базы гетероструктур начинают
наблюдаться квантово-размерные эффекты. Для этого толщина базы
(L) должна стать соизмеримой с длиной волны де Бройля , то есть составлять десятки ангстрем
LZ Б h
p
Диаграмма энергетических уровней КРС на основе AlxGa1–xAs / GaAs /
AlxGa1–xAs
В яме укладывается целое число полуволн.
n 2a
k a n
|
|
x |
|
|
x,t |
2 |
|
||
a |
sin |
a |
n |
|
|
|
|
||