Излучающий элемент СД плоской конструкции (а) и с

мезаструктурой (б)

Г=20%

Полусфера, Г=30-34%

усеченный эллипсоид, Г=25-27%

Один из первых образцов с

решеткой 8х8 светодиодов (фото Nature Materials)

Полупроводниковые

лазеры

Слово «лазер» (LASER) — аббревиатура английского выражения Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation, которое переводится как «усиление света вынужденным излучением».

•Идея применения полупроводников для генерации излучения была сформулирована Басовым Н.Г., Вулом Б.М., Поповым Ю.М. (Физический институт АН СССР).

•Первый полупроводниковый лазер был создан в 1960 г.

Первый инжекционный лазер был сделан в 1962 г. одновременно в СССР

(Басов Н.Г., Богданкевич О.В. – ФИАН и Наследов Д.Н. и др., Физтех, Ленинград) и в США (Р. Холл, М.Натан). Первые лазеры, выполненные на гомопереходах, обладали слишком высокой плотностью порогового тока (более 5·108 А/м2) и работали только в импульсном режиме при охлаждении до температуры жидкого азота (77 К).

полупроводниковых лазеров относятся:

•Компактность (малые размеры).

•Сравнительно малая инерционность (10–10 – 10–9 с.

•Высокий КПД: высокая эффективность преобразования подводимой энергии в энергию когерентного излучения.

•Широкий диапазон длин волн генерации (0,32 – 3,5 мкм) обусловлен использованием полупроводников с различной шириной запрещенной зоны (тройные и четверные соединения.

Диапазон длин волн, охватываемый диодными лазерами

•В отличие от светодиодов, в

полупроводниковых лазерах

преобладает вынужденное излучение. При выполнении лазерного условия необходимо также добиться накачки лазера, то есть определенной плотности тока Jt, называемой пороговой, когда возрастание интенсивности излучения в максимуме спектра будет больше потерь.