Добавил:
Upload
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:Презентации Тв эл / 7. Спецприборы.ppt
X
- •Электронный учебно- методический комплекс
- •Спонтанные (а) и вынужденные (б, в) переходы
- •Принцип работы СФР
- •Процесс релаксации избыточной энергии электрона в зоне проводимости
- •К понятию квазиуровня Ферми
- •параллельного пучка света в плоском слое изотропного
- •Коэффициент поглощения
- •Коэффициент поглощения для Ge, Si и GaAs
- ••СФР - прибор для регистрации электро-магнитного излучения, принцип действия которого
- ••Простейший ФР представляет собой тонкий слой однородного полупроводникового материала, заключенный между двумя металлическими
- ••Темновое сопротивление Rт – сопротивление ФП в отсутствие падающего на него излучения в
- •Чувствительность ФП (чувствительность к потоку излучения) S – отношение изменения
- ••СФР является пассивным элементом, т.е. для его работы необходима батарея питания U0. Изменение
- •Виды переходов
- •Фотодиоды
- •• Поглощение в различных областях
- •Фотодиоды
- •ВАХ фотодиода
- •Существует три режима работы фотодиода:
- •• Поглощение в различных областях
- ••Частотные характеристики фотодиода определяются двумя
- •Структура рiп-фотодиода
- ••Эти фотодиоды находят широкое применение в линиях оптической связи, так как их время
- •Лавинные фотодиоды
- •Лавинный фотодиод
- ••ЛФД изготовляют с pin-структурой, на основе гетероструктур (варизонной структурой, т.е. структурой с плавным
- •Фотодиоды на основе барьеров Шоттки
- •Фотодиод Шоттки Au- n-GaP
- •ПРИБОРЫ С ЗАРЯДОВОЙ
- •диэлектрик- полупроводник
- •Структура металл-
- •Структура металл-
- •Заряды в окисле
- •ПЗС с поверхностным каналом (ПК)
- •Формирователи видео сигналов (ФВС)
- •Перенос заряда
- •Эффективность переноса
- •Темновой ток
- •Структуры ПЗС
- •ПЗС с объемным каналом
- •Функционирование ПЗС с обедненным каналом
- •После удаления заряда из канала переноса
- •Полупроводниковые источники оптического излучения
- ••Для излучения фотонов и их последующего вывода из полупроводникового материала необходимо, чтобы энергия
- •Межзонная рекомбинация
- •Инверсная населенность
- •Накачка
- •Энергетические диаграммы и распределение носителей заряда по энергиям
- •Спонтанные и вынужденные
- •Спонтанная рекомбинация
- •Вынужденная
- •Спонтанные и вынужденные
- •Светодиоды и
- •Инжекционная
- •Инжекционная
- •Эффективность
- •Эффективность
- •Светодиоды –
- •Достоинства светодиодов:
- •Спектральная
- •Излучательная рекомбинация, обусловленная межзонными электронными переходами
- ••Фотоны, генерируемые в области перехода, испускаются во всех направлениях, однако наблюдателя достигает лишь
- •Внутренний квантовый
- •Коэффициент инжекции электронов в p–область
- •Коэффициент инжекции электронов в p–область
- •Эффект «сверхинжекции» в nр -гетеропереходе
- •диаграмма гетероперехода р-GaAs- Ga1-хAlхAs
- •Энергетические
- •Энергетическая диаграмма на GaN- гетероструктурах
- •Внешний квантовый
- •Коэффициент выхода света Г
- •Излучающий элемент СД плоской конструкции (а) и с
- •Один из первых образцов с
- •Полупроводниковые
- •Слово «лазер» (LASER) — аббревиатура английского выражения Light Amplification by Stimulated Emission of
- •Первый инжекционный лазер был сделан в 1962 г. одновременно в СССР
- •полупроводниковых лазеров относятся:
- •Диапазон длин волн, охватываемый диодными лазерами
- ••В отличие от светодиодов, в
- •Ватт-амперная характеристика лазерного диода
- ••При плотности тока ниже Jt преобладают спонтанные переходы, при плотности тока выше Jt
- •Изменение спектра излучения полупроводникового лазера при увеличении тока выше порогового
- •Резонатор
- •Резонатор Фабри-Перо
- •Резонатор
- •Схематическое изображение некоторых простых типов колебаний, образующих стоячие волны
- •Сравнение формы линии со спектром собственных
- •Резонатор
- ••Таким образом, полупроводниковые лазеры испускают вынужденное излучение, когерентное в пространстве и во времени,
- ••Инжекционные лазеры на основе гомогенных pn-переходов имеют высокое значение плотности порогового тока jt,
- ••Для компенсации потерь излучения необходимо увеличивать уровень инжекции и прямой ток. Это в
- •Гетероструктуры
- •Схема гетероперехода р-GaAs- Ga1-хAlхAs
- •Суперинжекция
- ••В гетеропереходах области инверсной населенности и рекомбинации практически совпадают. Можно снизить уровень легирования
- •Ватт-амперная характеристика лазерного диода на двойной гетероструктуре
- •Оптическое ограничение
- •Структура энергетических зон гетероперехода
- •Структура полупроводникового лазера
- •Лазеры с квантово- размерными слоями
- •Потенциальная
- •Потенциальная
- •Потенциальная
- ••При уменьшении толщины базы гетероструктур начинают
- •Диаграмма энергетических уровней КРС на основе AlxGa1–xAs / GaAs /
- •В яме укладывается целое число полуволн.
- •Плотности состояний в зоне
- •Линейка полосковых лазеров
Соседние файлы в папке Презентации Тв эл