- •Электрические цепи и спк. Лекции 5-й семестр. Лектор: Поляхов м.Ю. Избирательные усилители.
- •Резонансные усилители с контуром.
- •Расчет схем резонансных усилителей
- •Резонансные усилители с цепями.
- •Вариант резонансного звена (двойной т-образный мост).
- •На основе двойного т-образного моста.
- •Резонансный усилитель с двумя видами ос: пос и оос.
- •Полосовые усилители.
- •Генераторы синусоидальных колебаний (гск).
- •Автогенераторы с цепями.
- •Автогенератор типа с трансформаторной связью.
- •Безтрансформаторная схема автогенератора с индуктивной трехточкой.
- •Емкостная трехточка.
- •Автогенераторы с контуром. Простейшая схема генератора на основе моста Вина.
- •Электронные ключи.
- •Диодные ключи.
- •Транзисторные ключи.
- •Ключи на бпт.
- •Характеристики входной цепи.
- •Характеристики выходной цепи.
- •Динамические процессы в ключах на бпт.
- •Ключи на полевых транзисторах.
- •Динамические параметры.
Ключи на полевых транзисторах.
1. .
При нулевом напряжении на затворе , ключ на полевом транзисторе будет открыт. Чтобы разомкнуть ключ, нужно подать отрицательное напряжение, большее, чем.
Когда транзистор открыт (ключ замкнут), величина сопротивления канала сток-исток , падение напряжения на самом транзисторе:.
Когда транзистор закрыт (ключ разомкнут), .
P.S.: когда транзистор закрыт, существует остаточный ток стока , который сильно зависит от температуры.
Для :
При нормальных условиях:
При :
Динамические параметры.
Схема замещения:
где буквы ихарактеризуют, соответственно открытое и закрытое состояние транзистора,
время спада,
время фронта.
Пульсации на зависимости обусловлены тем, что емкостьне может мгновенно перезарядиться,начинает подниматься, происходит незначительное увеличение потенциала на стоке.
По мере разряда напряжение на стоке приближается к идеальному случаю.
Мгновенное интенсивное увеличение напряжения на затворе .
Так как , ане может перезарядиться мгновенно, тонезначительно возрастает.
2. или.
Речь пойдет о ключах на полевых транзисторах с изолированным затвором.
В зоне проводимость канала. В зонеподтягиваем носители из подложки.
В плане управления транзистором здесь все наоборот по сравнению с предыдущем случаем:
Если , то транзистор закрыт.
Если , то транзистор открыт.
Сопротивление в запертом состоянии:
Учитывая емкости, нарисуем зависимости:
Постоянная времени запаздывания запирания:
Время нарастания приводится в справочнике при конкретном.
В промежутке времени начинает формироваться канал, обладающий собственным сопротивлением.