Туннельный пробой

Основные носители заряда могут переходить из одной области в другую, только если их энергия больше высоты потенциального барьера p-n перехода. Однако при некоторых обстоятельствах носители могут проходить(туннелировать) через потенциальный барьер даже тогда, когда их энергия меньше высоты потенциального барьера. При этом энергия носителей не меняется. Необходимые условия туннелирования: малая ширина потенциального барьера, наличие заполненных уровней с другой стороны барьера, откуда происходит туннелирование, и наличие свободных уровней с такой же энергией с противоположной стороны.Такие условия соблюдаются в p-n переходах на основе сильнолегированных материалов. В случае обратного смещения с повышением напряжения происходит взаимное смещение энергетических зон, и при некоторых напряжениях зона p-области будет перекрывается с зоной проводимости n-области. Если заполненные валентные уровни совмещаются с незаполненными уровнями зоны проводимости, то электроны из p-области будут туннелировать в n-область. Повышение обратного тока вследствие туннельного эффекта было названо туннельным пробоем.

Напряжение туннельного пробоя уменьшается с увеличением температуры окружающей среды. Это связано с тем, что с повышением температуры уменьшается ширина запрещенной зоны.

Лавинный пробой

Лавинный пробой обусловлен ударной ионизацией атомов полупроводника в области p-n перехода под действием сильного электрического поля. Если ширина перехода больше длины свободного пробега, то неосновные носители в электрическом поле могут получить энергию, достаточную для ионизации атомов кристаллической гратки. При этом образуется пара свободных носителей, которые в свою очередь, ускоряются полем и могут вызвать новую ионизацию.

В случае когда одна начальная пара носителей заряда провоцирует появления больше одной пары новых носителей, процесс ионизации развивается лавинообразно, как и самостоятельный разряд в газе.

С ростом температуры окружающей среды напряжение лавинного пробоя возрастает, так как при этом уменьшается длина свободного пробега электронов и для возникновения пробоя необходимы более высокие напряженности электрического поля.

Тепловой пробой

Тепловой пробой возникает вследствие нарушения теплового баланса, когда количество тепла, которое выделяется в p-n переходе во время прохождения обратного тока, становится больше количества тепла которое отводится от него.

Во время прохождения обратного тока в p-n переходе выделяется мощность P = U_обр. * I_обр., что приводит к небольшому увеличению его температуры. В свою очередь, увеличение температуры вследствие термогенерации носителей приводит к увеличению обратного тока.

Если количество тепла которое выделяется в участке объемного заряда, меньше количества выведенного, то в p-n переходе устанавливается постоянная температура(она всегда меньше температуры окружающей среды) и соответствующий обратный ток. С ростом обратного напряжения будет расти и мощность, которая выделяется в переходе и соответственно обратный ток.

В случае когда количество тепла которое выделяется в p-n переходе, становится больше количества тепла которое отводится от него, то нарушается тепловой баланс и обратный ток увеличивается лавиноподобно. Происходит тепловой пробой. Так как в участке перехода значительно увеличивается концентрация носителей, эго сопротивления падает, вследствие чего уменьшается спад напряжения на переходе. На обратной ветке ВАХ появляется отрезок с отрицательным дифференциальным сопротивлением.

Несмотря на уменьшение напряжения, тепловой пробой продолжает развиваться, потому что скорость роста обратного тока оказывается больше от скорости уменьшения напряжения напряжения и по этому мощность, которая выделяется в p-n переходе, продолжает расти. Тепловой пробой приводит к термическому разрушению p-n перехода и вывода прибора из строя.

Тепловой пробой характерен для p-n переходов с большим обратным током. Чаще всего он наблюдается в германиевых приборах.

Если не принять соответствующие меры по ограничению обратного тока во время туннельного и лавинного пробоев, то они переходят в тепловой пробой, что приводит к необратимым процессам в p-n переходе.

11. Теория МОП-транзистора.

Этот четырехполюсный прибор состоит из полупроводниковой подложки p-типа, в которой сформированы (например, с помощью ионной имплантации) две высоколегированные n+-области - сток и исток. Металлический электрод, отделенный от подложки слоем окисла, называется затвором. В последнее время в качестве затвора используются высоколегированный поликремний, а также некоторые комбинации поликремния и силицидов.

Основными геометрическими параметрами структуры являются:

• длина канала L - расстояние между металлургическими границами n+-p-переходов стока и истока

• ширина канала Z

• толщина слоя изолятора d

• глубина переходов r_j

• уровень легирования подложки N_A

В кремниевых интегральных схемах отдельный MOП-транзистор окружен в целях изоляции областью с толстым слоем окисла, который называется пассивирующим или полевым (в отличие от тонкого слоя подзатворного окисла).

Рассматривая работу прибора, мы будем все напряжения отсчитывать от потенциала истока, т. е. считать его заземленным. Когда напряжение на затворе отсутствует, электрическая цепь исток - сток представляет собой два n+ - р-перехода, включенных навстречу друг другу. При этом в ней может протекать очень малый ток, равный току утечки обратносмещенного перехода. Если же к затвору приложено достаточно большое положительное напряжение, у границы с диэлектриком образуется инверсионный слой или канал, соединяющий n+ -области стока и истока.

• Затворное напряжение, которое необходимо для индуцирования проводящего канала у поверхности полупроводника называется пороговым V_T(при заряде подвижных электронов Q_n=0 )

Проводимость этого инверсионного канала модулируется при изменении напряжения на затворе. Тыловой контакт к подложке может находиться либо под тем же опорным потенциалом, что и исток, либо под напряжением, соответствующим обратному смещению n+ - p-перехода исток-подложка. Напряжение обратного смещения подложки также влияет на проводимость инверсионного канала

12. Режим обогащения, обеднения, инверсии. Поверхностный заряд.

Реж.обогащения: Подключим напряжение любой полярности между стоком и истоком. В этом случае электрический ток не пойдет, поскольку между зонами N⁺ находиться область P, не пропускающая электроны. Далее, если подать на затвор положительное напряжение относительно истока U_зи, возникнет электрическое поле. Оно будет выталкивать положительные ионы (дырки) из зоны P в сторону подложки. В результате под затвором концентрация дырок начнет уменьшаться, и их место займут электроны, притягиваемые положительным напряжением на затворе.

Когда U_зи достигнет своего порогового значения, концентрация электронов в области затвора превысит концентрацию дырок. Между стоком и истоком сформируется тонкий канал с электропроводностью N-типа, по которому пойдет ток I_си. Чем выше напряжение на затворе транзистора U_зи, тем шире канал и, следовательно, больше сила тока. Такой режим работы полевого транзистора называется режимом обогащения.

Реж.обеднения: Подключим к транзистору напряжение между стоком и истоком Uси любой полярности. Оставим затвор отключенным (U_зи = 0). В результате через канал пойдет ток I_си, представляющий собой поток электронов.

Далее, подключим к затвору отрицательное напряжение относительно истока. В канале возникнет поперечное электрическое поле, которое начнет выталкивать электроны из зоны канала в сторону подложки. Количество электронов в канале уменьшиться, его сопротивление увеличится, и ток I_си уменьшиться. При повышении отрицательного напряжения на затворе, уменьшается сила тока. Такое состояние работы транзистора называется режимом обеднения.

Инверсный режим: по процессам в канале противоположен активному режиму, т.е. поток носителей зарядов в канале протекает не от истока к стоку, а наоборот — от стока к истоку. Для инверсного режима требуется только изменение полярности напряжения на канале, полярность напряжения на затворе остается неизменной. В таком режиме транзистор также может использоваться для усиления. Обычно из-за конструктивных различий между областями стока и истока усилительные свойства транзистора в инверсном режиме проявляются хуже, чем в режиме активном. Впрочем, в некоторых видах МДП-транзисторов конструктивная ассиметрия минимальна, что приводит к симметричности выходных статических характеристик такого транзистора относительно изменения полярности напряжения сток—исток. Данный режим практически никогда не используется в усилительных схемах, но для аналоговых переключателей на полевых транзисторах он оказывается полезен. Однако здесь есть одна ловушка, в которую довольно легко попасть начинающему. Дело в том, что в большинстве МДП-транзисторов (особенно в мощных) производители соединяют подложку с истоком внутри корпуса прибора, что фактически означает, что в этих транзисторах между истоком и стоком имеется диод который не позволяет подавать на переход исток—сток инверсное напряжение, превышающее прямое падение напряжения на этом диоде, т.е. инверсный режим в таком транзисторе попросту невозможен. Вообще, в случае полевых транзисторов о режиме работы вспоминают гораздо реже, чем для биполярных. Дело здесь в том, что каждый конкретный тип полевого транзистора имеет конструкцию строго ориентированную на выполнение какой-то конкретной функции (усиление слабых сигналов, ключ и т.п.), все документируемые параметры транзистора в этом случае характеризуют его работу именно в основном режиме при выполнении предназначенной функции. Поэтому имеет смысл говорить просто о нормальном режиме работы, когда все соответствует документации, или о ненормальном, который в документации просто не предусмотрен (да и вряд ли кому-то понадобиться использовать его в схемах).

На величину порогового напряжения сильное влияние оказыва­ет также положительный поверхностный заряд, возможность появ­ления которого была рассмотрена в § 7.4.3. Поле этого заряда, складываясь с полем затвора при U_зи > 0, понижает пороговое напряжение транзисторов с каналом n-типа. При малой концентрации примеси (акцепторов) в подложке пороговое напряжение под влиянием положительного поверхностного заряда может уменьшиться дo нуля и даже стать отрицательным, т.е. вместо транзистора с ин­дуцированным каналом получится транзистор со встроенные каналом. Обычно требуется положительное пороговое напряжение около 1 В. Это значение на практике обеспечивают ионным внедре­нием акцепторов в полупроводниковый слой под затвором. Отрицательный заряд акцепторных ионов в этом слое компенсирует действие положительного поверхностного заряда. Начальное зна­чение порогового напряжения можно увеличить, повышая концент­рацию примесей в подложке при производстве, но в этом случае компенсация действия положительного заряда вызывает нежела­тельное увеличение емкостей истокового и стокового переходов. Применение ионного легирования позволило освоить надежное производство n-канальных МДП-транзисторов.

13. Вольт-фарадная характеристика в режиме малого сигнала.

14. Реальный МОП-транзистор.

15. Иделаьный МОП-транзистор. Принцип работы.

Полевой транзистор (ПТ) является униполярным прибором, в котором количество носителей в токе через проводящую область определяется электрическим полем, приложенным к поверхности (или p-n-переходу) полупроводника. В полевом транзисторе поток электронов направлен от истока, представляющего омический контакт, через проводящий канал к стоку, также представляющему омический контакт (рис. 1). Канал имеет длину в направлении протекания тока и соответственно ширину в направлении, перпендикулярном току и поверхности.

В полевом транзисторе с p-n-переходом управляющим электродом (затвором) является слой полупроводника, тип проводимости которого (р-тип) противоположен типу проводимости канала (n-тип). Управляющий p-n-переход, обратно смещённый относительно канала, образует изолирующий обеднённый слой, который, распространяясь в проводящий канал, эффективно ограничивает его размеры. Увеличение отрицательного потенциала вызывает дальнейшее сужение канала, уменьшающее его проводимость, а уменьшение отрицательного потенциала наоборот, приводит к расширению канала, увеличивающему его проводимость. При определённом значении напряжения на затворе, называемом напряжением отсечки, проводимость канала в идеальном случае уменьшается до нуля.

Нормальная работа ПТ с каналом р-типа обеспечивается подачей положительного смещения на затвор.

Рис. 1. Схематичное изображение полевого транзистора с p-n-переходом. 1 - исток; 2 - затвор p-типа; 3 - сток; 4 - обеднённая область; 5 - канал n-типа; 6 - затвор p-типа.

Максимальный ток стока и максимальная крутизна у ПТ с управляющим р-n-переходом (как с каналом р-типа, так и с каналом n-типа) наблюдается при нулевом смещении на затворе. При подаче прямого смещения на затвор ПТ появляется прямой ток через участок затвор-исток и резко уменьшается входное сопротивление транзистора.

Идеальный МОП транзистор представляет собой усилитель с бесконечным входным сопротивлением и генератором тока на выходе.

16. Идеальный МОП-транзистор. Вольт амперная характеристика.

Полевой транзистор характеризуется следующей ВАХ:

Здесь зависимости тока стока I_с от напряжения при постоянном напряжении на затворе Uзи определяют выходные, или стоковые, характеристики полевого транзистора. На начальном участке характеристик U_си + |U_зи| < U_зап ток стока I_с возрастает с увеличением U_си. При повышении напряжения сток - исток до U_си = U_зап - |U_зи| происходит перекрытие канала и дальнейший рост тока I_с прекращается (участок насыщения). Отрицательное напряжение U_зи между затвором и истоком смещает момент перекрытия канала в сторону меньших значений напряжения U_си и тока стока I_с. Участок насыщения является рабочей областью выходных характеристик полевого транзистора. Дальнейшее увеличение напряжения U_си приводит к пробою р-n-перехода между затвором и каналом и выводит транзистор из строя.

На ВАХ I_с = f(U_зи) показано напряжение U_зап. Так как U_зи ≤ 0 p-n-переход закрыт и ток затвора очень мал, порядка 10^-8…10^-9 А, поэтому к основным преимуществам полевого транзистора, по сравнению с биполярным, относится высокое входное сопротивление, порядка 10¹⁰…10¹³ Ом. Кроме того, они отличаются малыми шумами и технологичностью изготовления.

17. Идеальный полевой транзистор с управляющим p-n-переходом: принцип действия, рабочии характеристики.

Схематически полевой транзистор с управляющим p-n переходом можно представить в виде пластины, к торцам которой подключены электроды, исток и сток. На рис. показана структура и схема включения полевого транзистора с каналом n-типа:

В транзисторе с n-каналом основными носителями заряда в канале являются электроны, которые движутся вдоль канала от истока с низким потенциалом к стоку с более высоким потенциалом, образуя ток стока I_c. Между затвором и истоком приложено напряжение, запирающее p-n переход, образованный n-областью канала и p-областью затвора.

При подаче запирающего напряжения на p-n-переход U_зи на границах канала возникает равномерный слой, обедненный носителями заряда и обладающий высоким удельным сопротивлением. Это приводит к уменьшению проводящей ширины канала.

Изменяя величину этого напряжения, можно изменить сечение канала и, следовательно, изменять величину электрического сопротивления канала. Для полевого n-канального транзистора потенциал стока положителен по отношению к потенциалу истока. При заземленном затворе от стока к истоку протекает ток. Поэтому для прекращения тока на затвор нужно подать обратное напряжение в несколько вольт.

Значение напряжения U_зи, при котором ток через канал становится практически равен нулю, называется напряжением отсечки U_зап

Таким образом, полевой транзистор с затвором в виде p-n-перехода представляет собой сопротивление, величина которого регулируется внешним напряжением.

18. Структура биполярного транзистора и принцип его работы.

Принцип работы: Как уже говорилось в статье о типах проводимости в полупроводниках, в веществе P-типа находятся положительно заряженные ионы - дырки. Вещество N-типа насыщено отрицательно заряженными электронами. В транзисторе концентрация электронов в области N значительно превышает концентрацию дырок в области P.

Подключим источник напряжения между коллектором и эмиттером V_КЭ (V_CE). Под его действием, электроны из верхней N части начнут притягиваться к плюсу и собираться возле коллектора. Однако ток не сможет идти, потому что электрическое поле источника напряжения не достигает эмиттера. Этому мешает толстая прослойка полупроводника коллектора плюс прослойка полупроводника базы. еперь подключим напряжение между базой и эмиттером V_BE, но значительно ниже чем V_CE (для кремниевых транзисторов минимальное необходимое V_BE - 0.6V). Поскольку прослойка P очень тонкая, плюс источника напряжения подключенного к базе, сможет "дотянуться" своим электрическим полем до N области эмиттера. Под его действием электроны направятся к базе. Часть из них начнет заполнять находящиеся там дырки (рекомбинировать). Другая часть не найдет себе свободную дырку, потому что концентрация дырок в базе гораздо ниже концентрации электронов в эмиттере.

В результате центральный слой базы обогащается свободными электронами. Большинство из них направится в сторону коллектора, поскольку там напряжение намного выше. Так же этому способствует очень маленькая толщина центрального слоя. Какая-то часть электронов, хоть гораздо меньшая, все равно потечет в сторону плюса базы. В итоге мы получаем два тока: маленький - от базы к эмиттеру I_BE, и большой - от коллектора к эмиттеру I_CE.

Если увеличить напряжение на базе, то в прослойке P соберется еще больше электронов. В результате немного усилится ток базы, и значительно усилится ток коллектора. Таким образом,при небольшом изменении тока базы I_B, сильно меняется ток коллектора I_С. Так и происходитусиление сигнала в биполярном транзисторе. Cоотношение тока коллектора I_С к току базы I_Bназывается коэффициентом усиления по току. Обозначается β, hfe или h21e, в зависимости от специфики расчетов, проводимых с транзистором.

β = I_C / I_B

19. Параметры биполярного транзистора: На постоянном токе, в режиме малого сигнала.

К основным параметрам транзистора относятся:

• Статический коэффициент усиления по току:

B = Iк / Iб

Его величина находится а пределах 50…250

• Дифференциальный коэффициент усиления по току:

при Uкэ = const

• Статический коэффициент передачи тока эмиттеру:

• Дифференциальный коэффициент передачи тока эмиттеру:

Коэффициенты α0 и α практически одинаковы. Их значения находятся в пределах 0,9…0,998 и являются функциями температуры и напряжения Uкэ

• Дифференциальное выходное сопротивление:

при Uбэ = const

• Дифференциальное входное сопротивление:

при Uкэ = const

20. Частотные свойства биполярного транзистора.

Процесс распространения инжектированных в базу неосновных носителей заряда от эмиттерного до коллекторного перехода идет диффузионным путем. Этот процесс достаточно медленный, и инжектированные из эмиттера носители достигнут коллектора не ранее чем за время диффузии носителей через базу. Такое запаздывание приведет к сдвигу фаз между током Iэ и током Iк. При низких частотах фазы токов Iэ, Iк и Iбсовпадают.

Частота входного сигнала, при которой модуль коэффициента усиления  уменьшается в  раз по сравнению со статическим значением β0, называется предельной частотой усиления по току биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером

fβ – предельная частота (частота среза) fгр – граничная частота (частота единичного усиления)

21. Явления наблюдаемые при высоком уровне инжекции в биполярном транзисторе.

В режиме насыщения оба перехода транзистора находятся в открытом состоянии. На рис. 3.7 приведена структура транзистора и показаны потоки носителей, протекающие в режиме насыщения. Как видно из рисунка, в этом режиме и эмиттер, и коллектор инжектируют электроны в базу, в результате чего в структуре протекают два встречных сквозных потока электронов (нормальный и инверсный). От соотношения этих потоков зависит направление токов, протекающих в цепях эмиттера и коллектора. Вследствие двойной инжекции база транзистора очень сильно насыщается избыточными электронами, из-за чего усиливается их рекомбинация с дырками, и рекомбинационный ток базы оказывается значительно выше, чем в активном или инверсном режимах. Следует также отметить, что в связи с насыщением базы транзистора и его переходов избыточными носителями заряда, их сопротивления становятся очень маленькими. Поэтому цепи, содержащие транзистор, находящийся в режиме насыщения, можно считать короткозамкнутыми. Учитывая то, что в режиме насыщения напряжение между электродами транзистора составляет всего несколько десятых долей вольта, часто считают, что в этом режиме транзистор представляет собой эквипотенциальную точку.

22. Модели транзистора в режиме малого сигнала.

23. Зарядовая модель биполярного транзистора.

24. Транзистор в режиме переключения.

В режиме переключения транзистор работает как электронный ключ: он либо заперт и обладает высоким сопротивлением, либо включен и его сопротивление мало. В ключевом режиме транзистор включается последовательно с нагрузкой и, когда он выключен, ток через нагрузку близок к нулю, и все напряжение от внешнего источника прикладывается к транзистору (т. А на рис. 67). Когда транзистор включен (т. В на рис. 67), то ток через транзистор большой и приближается к предельно возможному в данной схеме Eк/Rк , где Rк - нагрузочное сопротивление в коллекторной цепи.

Когда транзистор выключен, на его эмиттер либо подается отрицательное смещение, либо не подается совсем, и транзистор находится в режиме отсечки. Когда транзистор включен, то на его эмиттерный переход подано прямое смещение, а коллекторный переход находится либо под небольшим положительным смещением, либо под нулевым смещением, т.е. в режиме насыщения.

К достоинствам режима переключения относится то, что во включенном и выключенном состоянии мощность, рассеиваемая на транзисторе, может быть существенно меньше, чем мощность, рассеиваемая в нагрузке, и, таким образом, он может коммутировать мощность, превосходящую предельно допустимую мощность рассеивания самого транзистора (см. рис. 67). Помимо статической в транзисторе может рассеиваться значительная динамическая мощность во время включения и выключения транзистора, причем при большой частоте коммутаций эта мощность может превосходить мощность, рассеиваемую в статическом режиме, поэтому желательно, чтобы время включения и выключения (в течение которого рассеивается динамическая мощность) было как можно меньше. На рис. 68 показаны соответствующие экспериментальным результатам диаграммы токов транзистора при различных значениях амплитуды входных импульсов.

В представленных на рис. 67 диаграммах кривые 1 соответствуют усилительному режиму, для которого выполняется условие Iк = βIб, кривые 2, 3, 4 соответствуют случаям, когда во включенном состоянии транзистор находится в режим насыщения, в котором для тока коллектора справедливо Iк ≤ βIб. Для характеристики глубины насыщения вводят коэффициент насыщения S = Iк/ Iкн, где Iкн = βIбн соответствует границе насыщения. Как видно из графиков, чем глубже заходит транзистор в область насыщения (чем больше S), тем меньше время включения и больше время рассасывания заряда (полочка, предшествующая спаду тока) и, соответственно, время выключения.

25. Тиристоры.

Тири́стор — полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с тремя или более p-n-переходами и имеющий два устойчивых состояния: закрытое состояние, то есть состояние низкой проводимости, и открытое состояние, то есть состояние высокой проводимости.

Тиристор можно рассматривать как электронный выключатель (ключ). Основное применение тиристоров — управление мощной нагрузкой с помощью слабых сигналов, а также переключающие устройства. Существуют различные виды тиристоров, которые подразделяются, главным образом, по способу управления и по проводимости. Различие по проводимости означает, что бывают тиристоры, проводящие ток в одном направлении (например тринистор, изображённый на рисунке) и в двух направлениях (например, симисторы, симметричные динисторы).

Тиристор имеет нелинейную вольт-амперную характеристику (ВАХ) с участком отрицательного дифференциального сопротивления. По сравнению, например, с транзисторными ключами, управление тиристором имеет некоторые особенности. Переход тиристора из одного состояния в другое в электрической цепи происходит скачком (лавинообразно) и осуществляется внешним воздействием на прибор: либо напряжением (током), либо светом (для фототиристора). После перехода тиристора в открытое состояние он остаётся в этом состоянии даже после прекращения управляющего сигнала, если протекающий через тиристор ток превышает некоторую величину, называемую током удержания.

сновная схема тиристорной структуры показана на рис. 1. Она представляет собой четырёхслойный полупроводник структуры p-n-p-n, содержащий три последовательно соединённых p-n-перехода J1, J2, J3. Контакт к внешнему p-слою называется анодом, к внешнему n-слою —катодом. В общем случае p-n-p-n-прибор может иметь до двух управляющих электродов (баз), присоединённых к внутренним слоям. Подачей сигнала на управляющий электрод производится управление тиристором (изменение его состояния). Прибор без управляющих электродов называется диодным тиристором или динистором. Такие приборы управляются напряжением, приложенным между основными электродами. Прибор с одним управляющим электродом называют триодным тиристором или тринистором^[1] (иногда просто тиристором, хотя это не совсем правильно). В зависимости от того, к какому слою полупроводника подключён управляющий электрод, тринисторы бывают управляемыми по аноду и по катоду. Наиболее распространены последние.

Описанные выше приборы бывают двух разновидностей: пропускающие ток в одном направлении (от анода к катоду) и пропускающие ток в обоих направлениях. В последнем случае соответствующие приборы называются симметричными (так как их ВАХ симметрична) и обычно имеют пятислойную структуру полупроводника. Симметричный тринистор называется также симистором или триаком (от англ. triac). Следует заметить, что вместо симметричных динисторов, часто применяются их интегральные аналоги, обладающие лучшими параметрами.

Тиристоры, имеющие управляющий электрод, делятся на запираемые и незапираемые. Незапираемые тиристоры, как следует из названия, не могут быть переведены в закрытое состояние с помощью сигнала, подаваемого на управляющий электрод. Такие тиристоры закрываются, когда протекающий через них ток становится меньше тока удержания. На практике это обычно происходит в конце полуволны сетевого напряжения.

Типичная ВАХ тиристора, проводящего в одном направлении (с управляющими электродами или без них), приведена на рис 2. Она имеет несколько участков:

• Между точками 0 и 1 находится участок, соответствующий высокому сопротивлению прибора — прямое запирание.

• В точке 1 происходит включение тиристора.

• Между точками 1 и 2 находится участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением.

• Участок между точками 2 и 3 соответствует открытому состоянию (прямой проводимости).

• В точке 2 через прибор протекает минимальный удерживающий ток I_h.

• Участок между 0 и 4 описывает режим обратного запирания прибора.

• Участок между 4 и 5 — режим обратного пробоя.

Вольтамперная характеристика симметричных тиристоров отличается от приведённой на рис. 2 тем, что кривая в третьей четверти графика повторяет участки 0—3 симметрично относительно начала координат.

По типу нелинейности ВАХ тиристор относят к S-приборам.

26. ПАВ – резонаторы и фильтры.

27. Монолитные фильтры.

28. Материалы для изготовления изделий пьезо- и акусто- электроники.