Часть II. Расчет ширины ступенчатого p – n-перехода часть III. Спектр натрия. Тонкие структуры (реферат)

Исследование спектров щелочных металлов при помощи приборов с большой разрешающей силой показало, что каждая линия этих спектров является двойной (дуплет). Так, например, характерная линия натрия жёлтая линия 3P  3Sсостоит из двух линий с длинами волн 5890Å,5896Å. То же относится и к другим линиям главной серии, а также к линиям других серий.

Заключение

Т.о. в ходе проведения курсового исследования было установлено, что наиболее широко распространены следующие типы p-n-переходов: точечные, сплавные, диффузионные и эпитаксиальные, рассмотрены особенности технологических процессов изготовления этих переходов. Опираясь на исходные данные была рассчитана ширинаp-n-перехода, которая составила:l₀=2.07910^-6м. В третьей главе курсового проекта кратко изложены основные подходы к определению особенностей поведения электрона с учетом спина во внешнем электрическом поле, дано теоретическое обоснование эффекта расщепления спектральных линий натрия, введено понятие тонкой структуры.

Приложение

Обозначения основных величин, принятые в работе

E_c - энергия соответствующая дну запрещённой зоны

E_F - фермиевская энергия

E_k- энергетическая ступень, образующаяся вp–n-переходе

E_max- максимальная напряжённость электрического поля

E_v - энергия соответствующая потолку валентной зоны

F_i - электрическая энергия

F_ip (F_in) - электростатическая энергия вp (n)-области

j- плотность тока

j_g0 - плотность тока термогенерации носителей заряда

j_ngp0 (j_pgp0) - плотность дрейфового тока, текущего черезp-n-переход изn-области (p-области) в p-область(n-область)

j_ngup0 (j_pgup0) - плотность диффузионного тока, текущего черезp-n-переход изn-области (p-области) в p-область(n-область)

j_z0 - плотность тока рекомбинации носителей заряда

l₀- ширина р-nперехода.

l_n0 (l_p0) - ширинаn (p) -области p-n-перехода

L_s - дебаевская длина

N- результирующая концентрация примеси

n (p) - концентрация электронов (дырок) в полупроводнике

n₀ (p₀) - равновесная концентрация электронов (дырок) в полупроводнике

N_a(N_d) - концентрация акцепторной (донорной) примеси.

n_i- собственная концентрация носителей заряда

n_n(n_p ) - концентрация электронов вn(р) области

n_no(n_po) - равновесная концентрация электронов вn(р) области

N_Э (N_Б) - абсолютная величина результирующей примеси в эмиттере (базе)

P(x)- распределение плотности объёмного заряда

p_p(p_n) - концентрация дырок в р (n) области

p_po(p_no)- равновесная концентрация дырок в р (n) области

p_Э(p_Б) - плотность объёмного заряда

q, e- заряд электрона

T- температура окружающей среды

V_k - энергия контактного поля

ε- напряженность электрического поля

ε - относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника

ε₀- диэлектрическая постоянная воздуха

μ_n(μ_p)- подвижность электронов (дырок)

τ_ε - время диэлектрической релаксации

φ- электрический потенциал

φ_k- контактная разность потенциалов

φ_T - температурный потенциал

Библиографический список использованной литературы

1. Анималу А. Квантовая теория кристаллических твердых тел. –М.: Мир, 1981;

2. Блейкмор Дж. Физика твердого тела. –М.: Мир, 1988;

3. Гранитов Г.И. Физика полупроводников и полупроводниковые приборы. –М.: Сов. радио, 1977;

4. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника: Учебное издание. –М.: Высшая школа, 1991;

5. Давыдов А.С. Квантовая механика. –М.: Физматгиз, 1963;

6. Савельев И.В. Курс общей физики. В 3 т. –М.: Наука, 1979. Т.3;

7. Фистуль В.И, Введение в физику полупроводников. –М.: Высшая школа, 1984;

8. Электроника. Энциклопедический словарь. –М.: Советская энциклопедия, 1991.

1Антизапирающим называют приконтактный слой, обогащённый свободными носителями заряда.

2Отношение изменения концентрации носителей заряда к расстоянию на котором это изменение происходит называется градиентом концентрации:grad n = ?n/?x = dn/dx

3Диффузионным током называют ток, вызванный тепловым движением электронов.

4Ток, созданный зарядами, движущимися в полупроводнике из-за наличия электрического поля и градиента потенциала называется дрейфовым током.

5Отсутствие вырождения характеризует существенная концентрация носителей заряда собственной электропроводности.