Архив WinRAR / Темы рефератов ФОМ

2

СПИСОК ТЕМ РЕФЕРАТОВ

для курсовой работы по физическим основам микроэлектроники

(специальности 2205 и 2008)

1. Изготовление биполярного транзистора p-n-p-типа диффузионным методом.

2. Изготовление биполярного транзистора n-p-n-типа диффузионным методом.

3. Создание МОП-структуры методом эпитаксии для полевого транзистора со встроенным каналом p-типа.

4. Создание МОП-структуры методом эпитаксии для полевого транзистора с индуцированным каналом n-типа.

5. Создание МОП-структуры методом эпитаксии для полевого транзистора со встроенным каналом n-типа.

6. Создание МОП-структуры методом эпитаксии для полевого транзистора с индуцированным каналом p-типа.

7. Поверхностные акустические волны и их использование в линиях задержки.

8. Эффект Ганна и его использование в диодах, работающих в генераторном режиме.

9. Туннельный эффект и его использование в диодах, работающих в режиме усиления.

10. Внутренний фотоэффект и его использование в светодиодах.

11. Внешний фотоэффект и его использование в фотодиодах.

12. Внутренний и внешний фотоэффекты и их использование в оптронах.

13. Барьерная емкость в p-n-переходах и ее использование в варикапах.

14. Лавинный пробой и его использование в кремниевых стабилитронах.

15. Туннельный пробой и его использование в кремниевых стабилитронах.

16. Эффект Шоттки и его использование в полевых транзисторах.

17. Ионное легирование в микроэлектронике.

18. Диэлектрические пленки в технологии интегральных микросхем.

19. Эффект Шоттки и его использование в диодах.

20. Физико-химические основы ионно-плазменных процессов получения пленок.

21. Физические явления в тонких пленках.

22. Фотоэлектрические явления в полупроводниках.

23. Физические процессы в диэлектриках.

24. Физические процессы в магнитных материалах.

25. Термические свойства диэлектриков.

26. Диэлектрические потери в диэлектриках.

27. Пробой диэлектриков.

28. Химические процессы осаждения пленок.

29. Электрохимические процессы осаждения пленок.

30. Физико-химические явления в диффузионных процессах.

31. Физико-химические основы ионной имплантации.

32. Физико-химические основы ионно-плазменного травления.

33. Физико-химические основы плазменно-химического травления.

34. Физико-химические процессы ионно-плазменного получения пленок.

35. Физико-химические основы получения пленок методом термовакуумного испарения.

36. Физико-химические основы технологии печатных плат.

37. Использование диффузии для введения примесей в полупроводник (диффузия из ограниченного и неограниченного источника).

38. Физико-химические основы зарождения и роста новой фазы.

39. Физико-химические основы поверхностных процессов.

40. Химическая металлизация в радиоприборостроении.

41. Электрохимическая металлизация в радиоприборостроении.

42. Химическое и электрохимическое травление металлов.

43. Технология полупроводниковых интегральных микросхем.

44. Термическая диффузия примесей.

45. Легирование методом ионного внедрения.

46. Явление эпитаксии и его использование в микроэлектронике.

47. Формирование диэлектрических потерь.

48. Металлизация поверхностей кремниевых структур.

49. Фотолитография.

50. Технологические особенности производства больших интегральных микросхем.

51. Явление сверхпроводимости. Сверхпроводники 1-го и 2-го рода.

52. Явление сверхпроводимости и его использование в современной микроэлектронике.

53. Когерентное излучение. Квантовые усилители.

54. Когерентное излучение. Квантовые генераторы.

55. Эффект Джозефсона и его применение в СВЧ-генераторах.

56. Эффект Мейснера и его применение в современной микроэлектронике.

57. Эффект Ааронова-Бома и его применение в современной микроэлектронике.

58. Жидкие кристаллы и их применение в микроэлектронике.