6 Перечень практических занятий

Таблица 4

№ раз-дела	№ заня-тия	Тема занятия	Кол-во часов		Литература
			ауд.	дом.
1	2	3	4	5	6
1	1	Описание движения микрочастиц в квантовой механике. Строение атомов.	2	2	27: стр.418-449.
2	2	Строение твердых тел. Структура кристаллов.	2	2	5: стр.65-66; 15: стр.66-68; 27: стр.456-464.
3	3	Зонная теория твердых тел. Статистика носителей заряда в полупроводниках и металлах.	2	2	3: стр.5-21; 5: стр. 129-130; 27: стр.476-484.
	4	Контрольная работа.	2	2	–
4	5	Теплоемкость и теплопроводность твердых тел.	2	2	5: стр. 84; 15: стр.68-71; 27: стр.464-474.
5	6	Свойства диэлектриков.	2	2	27: стр.221-234.
	7	Магнитные свойства твердых тел.	2	2	27: стр.322-328.
	8	Контрольная работа.	2	2	–
6	9	Электропроводность твердых тел.	2	2	5: стр. 181-182; 15: стр.71-76.
	10	Фотоэлектрические явления в полупроводниках	2	2	3: стр.51-53.
	11	Термоэлектрические и гальваномагнитные явления.	2	2	3; 15; 27: стр.484.
7	12	Контактные явления.	2	2	3; 15.
	13	Контрольная работа.	2	2	–

7 Курсовая работа

1. Тема работы: «Расчет параметров ступенчатого p-n-перехода».

2. Цель работы:

- обобщение и закрепление знаний, полученных при изучении курса "Физические основы микроэлектроники";

- приобретение опыта самостоятельного решения задач;

- освоение методов расчета с использованием ЭВМ;

- развитие навыков грамотного технического и литературного изложения материала.

3. Структура курсового проекта.

Курсовой проект состоит из теоретической части, расчетной части и реферата.

3.1. Теоретическая часть.

В теоретическую часть необходимо включить следующие разделы:

1) Понятие о p-n-переходе.

2) Структура p-n-перехода.

3) Методы создания p-n-переходов.

4) Равновесное состояние p-n-перехода.

5) Токи через p-n-переход в равновесном состоянии.

3.2. Расчетная часть.

Основными параметрами p-n-перехода являются контактная разность потенциалов, ширина перехода и максимальная напряженность электрического поля. Необходимо также знать протяженность перехода в n- и p-области по отдельности и распределения напряженности электрического поля в переходе.

Для расчета указанных параметров студент получает в письменном виде у преподавателя, ведущего предмет, следующие данные:

- абсолютную величину результирующей примеси в эмиттере, базе;

- собственную концентрацию носителей заряда;

- равновесную концентрацию электронов в n-, р- области;

- равновесную концентрацию дырок в n-, р- области;

- абсолютную температуру.

3.3. Примерная тематика рефератов:

1. Изготовление биполярного транзистора p-n-p-типа диффузионным методом.

2. Изготовление биполярного транзистора n-p-n-типа диффузионным методом.

3. Создание МОП-структуры методом эпитаксии для полевого транзистора со встроенным каналом p-типа.

4. Создание МОП-структуры методом эпитаксии для полевого транзистора с индуцированным каналом n-типа.

5. Создание МОП-структуры методом эпитаксии для полевого транзистора со встроенным каналом n-типа.

6. Создание МОП-структуры методом эпитаксии для полевого транзистора с индуцированным каналом p-типа.

7. Поверхностные акустические волны и их использование в линиях задержки.

8. Эффект Ганна и его использование в диодах, работающих в генераторном режиме.

9. Туннельный эффект и его использование в диодах, работающих в режиме усиления.

10. Рекомбинация носителей заряда и ее использование в светодиодах.

11. Внутренний фотоэффект и его использование в фотодиодах.

12. Внутренний и внешний фотоэффекты и их использование в оптронах.

13. Барьерная емкость в p-n-переходах и ее использование в варикапах.

14. Лавинный пробой и его использование в кремниевых стабилитронах.

15. Туннельный пробой и его использование в кремниевых стабилитронах.

16. Эффект Шоттки и его использование в полевых транзисторах.

17. Ионное легирование в микроэлектронике.

18. Диэлектрические пленки в технологии интегральных микросхем.

19. Эффект Шоттки и его использование в диодах.

20. Физико-химические основы ионно-плазменных процессов получения пленок.

21. Физические явления в тонких пленках.

22. Фотоэлектрические явления в полупроводниках.

23. Физические процессы в диэлектриках.

24. Физические процессы в магнитных материалах.

25. Термические свойства диэлектриков.

26. Диэлектрические потери в диэлектриках.

27. Пробой диэлектриков.

28. Химические процессы осаждения пленок.

29. Электрохимические процессы осаждения пленок.

30. Физико-химические явления в диффузионных процессах.

31. Физико-химические основы ионной имплантации.

32. Физико-химические основы ионно-плазменного травления.

33. Физико-химические основы плазменно-химического травления.

34. Физико-химические процессы ионно-плазменного получения пленок.

35. Физико-химические основы получения пленок методом термовакуумного испарения.

36. Физико-химические основы технологии печатных плат.

37. Использование диффузии для введения примесей в полупроводник (диффузия из ограниченного и неограниченного источника).

38. Физико-химические основы зарождения и роста новой фазы.

39. Физико-химические основы поверхностных процессов.

40. Химическая металлизация в радиоприборостроении.

41. Электрохимическая металлизация в радиоприборостроении.

42. Химическое и электрохимическое травление металлов.

43. Технология полупроводниковых интегральных микросхем.

44. Термическая диффузия примесей.

45. Легирование методом ионного внедрения.

46. Явление эпитаксии и его использование в микроэлектронике.

47. Формирование диэлектрических потерь.

48. Металлизация поверхностей кремниевых структур.

49. Фотолитография.

50. Технологические особенности производства больших интегральных микросхем.

51. Явление сверхпроводимости. Сверхпроводники 1-го и 2-го рода.

52. Явление сверхпроводимости и его использование в современной микроэлектронике.

53. Когерентное излучение. Квантовые усилители.

54. Когерентное излучение. Квантовые генераторы.

55. Эффект Джозефсона и его применение в СВЧ-генераторах.

56. Эффект Мейснера и его применение в современной микроэлектронике.

57. Эффект Ааронова-Бома и его применение в современной микроэлектронике.

58. Жидкие кристаллы и их применение в микроэлектронике.

Рекомендуемая литература: 1, 8-14, 17, 24-26, 28, 30, 31.