- •2. Двухзондовый метод
- •3. Четырехзондовый метод измерения
- •4. Метод ван-дер-пау
- •Измерение подвижности носителей заряда методом тока холла
- •6. Оптика полупроводников
- •7. Основные механизмы поглощения в полупроводниках.
- •11. Обратная решетка и сфера Эвальда.
- •12. Структура чистых поверхностей полупроводниковых кристаллов (сверхструктура). Поверхности (100) и (111) кремния.
- •13. Дефекты поверхностной структуры.
- •14. Дифракция медленных электронов (дэм-leed).
- •15. Дифракция быстрых электронов на отражение (дбэ-rheed). Осцилляции центрального рефлекса (хз че это ваще такое!!!).
- •19. Сканирующая туннельная микроскопия. Получение атомного разрешения
- •20. Измерение распределения потенциала и емкости.
- •21, 23. Обратное резерфордовское рассеяние. Кинематика упругих столкновений. Сечение и прицельный параметр.
- •22. Рассеяние ионов низких энергий (leis)
- •24. Особенности рассеяния медленных ионов
- •25. Каналирование. Физические принципы и методы измерения
- •26. Вторично-ионная масс-спектроскопия (вимс)
- •28. Методы Исследования. Методы электронной спектроскопии.
- •Вопрос 31. Электронная оже-спектроскопия (эос). Механизм эмиссии оже-электронов. Глубина выхода оже-электронов.
- •Вопрос 32. Экспериментальная техника для эос. Количественный анализ. Применение оже-спектроскопии.
- •Вопрос 33. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (рфэс-xps). Физические основы метода.
- •Вопрос 34. Источники фотонов. Требования к энергетическому разрешению. Энергоанализаторы электронов.
- •Вопрос 35. Ультрафиолетовая спектроскопия (уфэс ups)
- •38. Дифракция рентгеновских лучей в кристаллах (условие Лауэ)
12. Структура чистых поверхностей полупроводниковых кристаллов (сверхструктура). Поверхности (100) и (111) кремния.
Поверхность – двумерная система, и не только ее структура, но и многие явления выглядят на ней совсем не так, как в объеме.
Сверхструктура (англ. superstructure) — нарушение структуры кристаллического соединения или сплава, повторяющееся с определенной регулярностью и создающее таким образом новую структуру с другим периодом чередования. Базисная ячейка такой структуры — сверхячейка — обычно кратна элементарной ячейке исходной структуры. Термин «сверхструктура» был введен для описания структуры упорядоченных твердых растворов. Образование сверхструктуры происходит ниже некоторой температуры, называемой температурой упорядочения, в тех случаях, когда атомам данного сорта оказывается энергетически предпочтительнее быть окруженными атомами другого сорта. Сверхструктуры часто возникают в результате фазовых переходов 2-го рода. Образование сверхструктур сопровождается появлением слабых дополнительных сверхструктурных линий на дифрактограммах, которые используются для обнаружения и идентификации типа сверхструктуры.
Примером сверхструктуры может служить структура сплава Cu–Zn (латунь), где в неупорядоченном состоянии атомы Cu и Zn равновероятно распределяются по узлам объемноцентрированной решетки, а в упорядоченном состоянии атомы одного сорта занимают узлы в вершинах кубических ячеек, а другого — в их центрах.
Часто термин сверхструктура используют также для обозначения структуры, в которой при росте количества дефектов кристаллической решетки (атомов примесей, вакансий и т. д.) произошло упорядочение в размещении этих дефектов. Обычно такое упорядочение сопровождается понижением симметрии кристаллической решетки (см. рис.).
Схема образования различных видов сверхструктуры с удвоенным параметром элементарной ячейки на примере объемноцентрированной кристаллической решетки.
а) элементарная ячейка исходной структуры;
б) замещение половины катионов в исходной структуре другими катионами при упорядоченном чередовании катионов обоих типов;
в) замещение половины анионов в исходной структуре другими анионами при упорядоченном чередовании анионов обоих типов;
г) замещение половины анионов в исходной структуре анионными вакансиями при упорядоченном чередовании анионов и вакансий;
д) замещение половины катионов в исходной структуре вакансиями при упорядоченном чередовании катионов и вакансий;
е) упорядоченное смещение половины катионов в исходной структуре влево и половины катионов вправо.
Поверхности (100) и (111), но не кремния.
На поверхности монокристалла атомы образуют уменьшенное число связей по сравнению с массивными кристаллами, уменьшается его коордианционное число и как следствие, уменьшается энергия связи. На рис. приведены положения атомов металла на поверхности кристалла с простой кубической решеткой. (Ну не нашел я про кремний!!!)
На грани поверхности (100) катион окружен пятью анионами, он втягивается вглубь твердого тела и его координация понижена до квадратной пирамиды. На грани (110) координация центрального атома понижается до 4-х, а на грани (111) – до 3-х.