- •2. Двухзондовый метод
- •3. Четырехзондовый метод измерения
- •4. Метод ван-дер-пау
- •Измерение подвижности носителей заряда методом тока холла
- •6. Оптика полупроводников
- •7. Основные механизмы поглощения в полупроводниках.
- •11. Обратная решетка и сфера Эвальда.
- •12. Структура чистых поверхностей полупроводниковых кристаллов (сверхструктура). Поверхности (100) и (111) кремния.
- •13. Дефекты поверхностной структуры.
- •14. Дифракция медленных электронов (дэм-leed).
- •15. Дифракция быстрых электронов на отражение (дбэ-rheed). Осцилляции центрального рефлекса (хз че это ваще такое!!!).
- •19. Сканирующая туннельная микроскопия. Получение атомного разрешения
- •20. Измерение распределения потенциала и емкости.
- •21, 23. Обратное резерфордовское рассеяние. Кинематика упругих столкновений. Сечение и прицельный параметр.
- •22. Рассеяние ионов низких энергий (leis)
- •24. Особенности рассеяния медленных ионов
- •25. Каналирование. Физические принципы и методы измерения
- •26. Вторично-ионная масс-спектроскопия (вимс)
- •28. Методы Исследования. Методы электронной спектроскопии.
- •Вопрос 31. Электронная оже-спектроскопия (эос). Механизм эмиссии оже-электронов. Глубина выхода оже-электронов.
- •Вопрос 32. Экспериментальная техника для эос. Количественный анализ. Применение оже-спектроскопии.
- •Вопрос 33. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (рфэс-xps). Физические основы метода.
- •Вопрос 34. Источники фотонов. Требования к энергетическому разрешению. Энергоанализаторы электронов.
- •Вопрос 35. Ультрафиолетовая спектроскопия (уфэс ups)
- •38. Дифракция рентгеновских лучей в кристаллах (условие Лауэ)
11. Обратная решетка и сфера Эвальда.
Сегодня самым эффективным методом изучения взаимного расположения атомов является дифракция микрочастиц: фотонов, электронов, нейтронов.
Для наблюдения дифракции необходимо, чтобы длина волны де-Бройля дифрагирующих частиц была меньше периодов кристаллической решетки. Этому условию удовлетворяют фотоны при энергии Е = 5-20 кэВ (рентгеновское и гамма- излучение), электроны при Е = 10-100 эВ, и нейтроны при Е = 0,01- 0,1 эВ (тепловые нейтроны с энергией порядка kT). При анализе этого и других явлений (движение электронов в потенциальном поле, рассеяние фотонов), связанных с периодическим расположением частиц, важную и полезную роль играет обратная решетка.
ОБРА́ТНАЯ РЕШЕТКА, точечная трехмерная решетка в абстрактном обратном пространстве, где расстояния имеют размерность обратной длины. Обратная решетка, соответствующая любой прямой решетке, описывающей реальную структуру кристалла, строится следующим образом:
1. Если обычная прямая решетка построена на векторах трансляций a,b,c, то оси обратной к ней решетки a*,b*,c* определяются как векторные произведения: a* = bc, b* = ca, c* = ab
2. Осевые параметры обратной решетки a*,b*,c* равны обратным величинам межплоскостных расстояний плоских сеток прямой решетки, нормальных к этой оси.
Т. е. вектор обратной решетки H*hkl нормален к каждой плоскости прямой решетки (hkl), а его длина определяется как величина, обратная межплоскостному расстоянию dhkl.
Решетка с вектором H*hkl, построенная на базисных векторах a*,b*,c* называется обратной решеткой, векторы a*,b*,c* — координатными векторами обратной решетки.
Каждой плоскости (hkl) прямой решетки отвечает в обратной решетке узел [[hkl]]*. Бесконечному семейству параллельных плоскостей hkl в пространстве прямой решетки соответствует в пространстве обратной решетки бесконечное семейство точек [[hkl]]* вдоль направления, нормального к этим плоскостям.
Зоне плоскостей прямой решетки отвечает сетка из точек (узлов) обратной решетки, причем ось зоны прямой решетки нормальна к плоскости сетки обратной решетки. Прямой пространственной решетке из плоскостей hkl отвечает обратная трехмерная решетка из точек [[hkl]]*.
Основные векторы a*,b*,c* обратной решетки определяются также скалярными произведениями:
aa* = bb* = cc* = 1;
a*b = a*c = b*c = b*a = c*b = c*a = 0
Прямая и обратная решетка сопряжены взаимно, т. е. решетка, построенная на осях a,b,c, является обратной по отношению к решетке a*,b*,c*, а решетка, построенная на векторах a*,b*,c*, - обратной по отношению к решетке a,b,c.
Физический смысл обратной решетки
Обратная решетка является важным математическим образом, находящим многочисленные применения в геометрической кристаллографии, в теории дифракции и структурном анализе кристаллов, в физике твердого тела.
Например, понятие обратной решетки используется для описания периодического распределения отражающей способности кристалла по отношению к рентгеновским лучам. Отражение рентгеновских лучей от плоскостей структуры кристалла описывается формулой Вульфа-Брэгга, из которого следует, что при постоянной длине волны рентгеновского излучения l большому межплоскостному расстоянию для семейства параллельных отражающих плоскостей d отвечает малый угол падения q, т. е., чем больше межплоскостное расстояние, тем ближе направления отраженных лучей к направлению падающего пучка. Отражения рентгеновских лучей от бесконечно протяженных идеальных кристаллов должны быть точечными.
Каждый узел обратной решетки соответствует возможному отражению от плоскостей прямой решетки кристалла. Направление вектора обратной решетки H*hkl совпадает с направлением отражения от плоскостей hkl в прямой решетке, а n-ый узел обратной решетки в этом ряду отвечает отражению n-го порядка от этих плоскостей.
Сфера Эвальда
Для предсказания углов поворота кристалла и направления дифрагированных лучей очень удобно пользоваться построением Эвальда.
Отложим волновой вектор k0 падающей на кристалл волны, так что его конец совпадет с узлом 0 0 0 обратной решетки. Поскольку частота и скорость рассеянной и падающей волны совпадают, вектор рассеянной волны k1 будет иметь ту же длину, что и k0, но неопределенное направление, тогда его удобно изобразить в виде сферы (сферы Эвальда) с центром в начале вектора k0. Начало и конец вектора рассеяния тогда будет соответственно концом вектора k0 и концом вектора k1. Теперь надо узнать, совпадет ли один из возможных векторов G с одним из узлов обратной решетки. Для этого следует совместить начальный узел обратной решетки с началом вектора рассеяния G (эта же точка - конец вектора k0) и посмотреть, попал ли один из узлов на сферу Эвальда. Ясно, что вероятность попадания одного из точечных узлов на сферу практически равна нулю, чтобы такое попадание имело место, необходимо повернуть кристалл и связанную с ним обратную решетку. Теперь уже с помощью геометрии можно вычислить необходимые углы поворота обратной решетки (и кристалла), а затем определить, под какими углами должен быть расположен детектор излучения, регистрирующий волны с вектором k1. Современные приборы для наблюдения дифракции - дифрактометры, снабженные ЭВМ, позволяют в автоматическом режиме, по формулам, описывающим повороты обратной решетки, вычислять нужные углы поворота кристалла и детектора излучения для заранее сориентированного кристалла, а затем поворачивать кристалл и детектор.