
- •47. Зонная теория. Проводники и диэлектрики, полупроводники, х электрические и оптические свойства. Р – п переход.
- •Одноэлектронное приближение (метод Хартри и Хартри-Фока)
- •Образование зон из атомных уровней. Приближение сильно связанных электронов
- •Заполнение зон электронами. Металлы, диэлектрики, полупроводники. Зонная структура реальных полупроводников. Собственные полупроводники.
- •Зонная структура реальных полупроводников
- •Примеси и примесные уровни в полупроводниках. Доноры и акцепторы.
Образование зон из атомных уровней. Приближение сильно связанных электронов
Осуществим
мысленно операцию образования твердого
тела сближением отдельных атомов. Каждый
атом имеет большое число энергетических
уровней. Выберем некоторый уровень
, и пусть соответствующая ему волновая
функция
удовлетворяет уравнению Шредингера
(1.57)
где
- оператор полной энергии электрона
в атоме.
Волновая функция
электрона в кристалле, образованном из
атомов, удовлетворяет уравнению с
периодическим потенциалом
(1.58)
Если волновая функция электрона в атоме локализована вблизи ядра на расстоянии порядка радиуса боровской орбиты, то блоховская функция «размазана» по всему кристаллу. В соответствии с этим будем искать решение (1.58) в виде суперпозиции атомных волновых функций, «центрированных» на различных узлах решетки
(1.59)
где
- вектор решетки.
Функция (1.59) должна удовлетворять условию Блоха (1.39), которое выполняется, если
(1.60)
Умножим (1.58)
на
слева
и проинтегрируем по всему объему
кристалла, полагая функцию
нормированной (
)
(1.61)
Подставим в данное выражение разложение (1.59)
Используя (1.57), имеем
(1.62)
В силу
эквивалентности всех узлов решетки
интегралы в (1.62) зависят лишь от
относительного их расположения. Поэтому
можно выбрать в сумме по m
один из членов (например с
)
и сумму по m
заменить умножением на число членов N
(1.63)
С помощью (1.60) перепишем
(1.64)
Волновая функция
локализована вблизи n-го
узла, поэтому произведение
отлично от нуля
только для
и для ближайших соседей к выделенному
нулевому узлу (т.е. для
,
где
- вектора основных трансляций)
Введем обозначения
(1.65)
(1.66)
Тогда (1.64) запишется
в виде
(1.67)
Для простой кубической решетки
(1.68)
Таким образом,
энергия электрона в кристалле понижается
по сравнению с энергией электрона в
свободном атоме на величину
и периодически зависит от проекций
волнового вектора с периодом
.
Изменение энергии как функции kx,
ky,
kz
имеет смысл рассматривать лишь в пределах
первой зоны Бриллюэна, так как дальнейшее
расширение в область больших волновых
векторов приводит к периодическому
повторению E
(состояния с волновыми векторами
и
физически эквивалентны в кристалле).
Энергия как функция волнового вектора
принимает ряд значений от минимального
Emin
= Ea
-D
- 6 |W|
до максимального Emax
= Ea
-D
+ 6 |W|,
образуя энергетическую зону – совокупность
(спектр) разрешенных значений энергии
электрона в кристалле. Ширина зоны равна
12 |W|,
где величина W
определяется перекрытием волновых
функций соседних узлов (величина
перекрытия и, соответственно, ширина
разрешенных зон велика для электронов
внешних оболочек и при сближении узлов
увеличивается).
Каждый атомный уровень в приближении сильной связи образует свою зону. Между областями разрешенных значений энергии могут существовать области энергий, которые электрон в стационарном состоянии не может иметь в идеальном кристалле. Такие области носят название запрещенных зон. Иногда используют зонные диаграммы, очерчивая лишь края зон.
Рис 1.4 Зависимость энергии от волнового числа для двух зон