- •47. Зонная теория. Проводники и диэлектрики, полупроводники, х электрические и оптические свойства. Р – п переход.
- •Одноэлектронное приближение (метод Хартри и Хартри-Фока)
- •Образование зон из атомных уровней. Приближение сильно связанных электронов
- •Заполнение зон электронами. Металлы, диэлектрики, полупроводники. Зонная структура реальных полупроводников. Собственные полупроводники.
- •Зонная структура реальных полупроводников
- •Примеси и примесные уровни в полупроводниках. Доноры и акцепторы.
Образование зон из атомных уровней. Приближение сильно связанных электронов
Осуществим мысленно операцию образования твердого тела сближением отдельных атомов. Каждый атом имеет большое число энергетических уровней. Выберем некоторый уровень , и пусть соответствующая ему волновая функция удовлетворяет уравнению Шредингера (1.57)
где - оператор полной энергии электрона в атоме.
Волновая функция электрона в кристалле, образованном из атомов, удовлетворяет уравнению с периодическим потенциалом
(1.58)
Если волновая функция электрона в атоме локализована вблизи ядра на расстоянии порядка радиуса боровской орбиты, то блоховская функция «размазана» по всему кристаллу. В соответствии с этим будем искать решение (1.58) в виде суперпозиции атомных волновых функций, «центрированных» на различных узлах решетки
(1.59)
где - вектор решетки.
Функция (1.59) должна удовлетворять условию Блоха (1.39), которое выполняется, если
(1.60)
Умножим (1.58) на слева и проинтегрируем по всему объему кристалла, полагая функцию нормированной ( )
(1.61)
Подставим в данное выражение разложение (1.59)
Используя (1.57), имеем
(1.62)
В силу эквивалентности всех узлов решетки интегралы в (1.62) зависят лишь от относительного их расположения. Поэтому можно выбрать в сумме по m один из членов (например с ) и сумму по m заменить умножением на число членов N
(1.63)
С помощью (1.60) перепишем
(1.64)
Волновая функция локализована вблизи n-го узла, поэтому произведение
отлично от нуля только для и для ближайших соседей к выделенному нулевому узлу (т.е. для , где - вектора основных трансляций)
Введем обозначения
(1.65)
(1.66)
Тогда (1.64) запишется в виде (1.67)
Для простой кубической решетки
(1.68)
Таким образом, энергия электрона в кристалле понижается по сравнению с энергией электрона в свободном атоме на величину и периодически зависит от проекций волнового вектора с периодом . Изменение энергии как функции kx, ky, kz имеет смысл рассматривать лишь в пределах первой зоны Бриллюэна, так как дальнейшее расширение в область больших волновых векторов приводит к периодическому повторению E (состояния с волновыми векторами и физически эквивалентны в кристалле). Энергия как функция волнового вектора принимает ряд значений от минимального Emin = Ea -D - 6 |W| до максимального Emax = Ea -D + 6 |W|, образуя энергетическую зону – совокупность (спектр) разрешенных значений энергии электрона в кристалле. Ширина зоны равна 12 |W|, где величина W определяется перекрытием волновых функций соседних узлов (величина перекрытия и, соответственно, ширина разрешенных зон велика для электронов внешних оболочек и при сближении узлов увеличивается).
Каждый атомный уровень в приближении сильной связи образует свою зону. Между областями разрешенных значений энергии могут существовать области энергий, которые электрон в стационарном состоянии не может иметь в идеальном кристалле. Такие области носят название запрещенных зон. Иногда используют зонные диаграммы, очерчивая лишь края зон.
Рис 1.4 Зависимость энергии от волнового числа для двух зон