Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
CAD.pdf
Скачиваний:
138
Добавлен:
22.03.2015
Размер:
1.43 Mб
Скачать

uC

p

 

 

t

iC

 

 

t

Рис. 1.7. Временные диаграммы гармонического

сигнала на емкости

8

Мощность в цепи:

I 2

 

P = u

 

i =

sin 2ωt

 

m

 

2ωC

 

С

С

 

Т.е., как и в случае индуктивности, потребление мощности не происходит, осуществляется лишь обмен энергией между источником и нагруз-

кой (рис. 1.7).

Модели любого компонента электрической цепи могут быть отображены комбинацией простейших элементов базового набора. Рассмотрим модели реальных компонентов с учетом их частотных свойств.

Пассивные компоненты и их модели

Резистор

Вольтамперная характеристика реального резистора на постоянном токе не отличается от идеальной. При создании высокочастотной модели необходимо учитывать особенности изготовления. За счет наличия индуктивности выводов и резистивного слоя сопротивление резисторов на высокой частоте становится комплексным, приобретает индуктивный характер:

 

 

i

 

 

 

Сr

Lr

 

X R = R + jωL

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

С повышением частоты проявляются также емкостные свой-

 

 

 

 

 

 

 

 

ur

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ства резистора – в основном емкость между его выводами. Таким

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Rr

 

u

образом эквивалентная схема с сосредоточенными параметрами

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

имеет вид (рис. 1.8):

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 1.8. Эквивалентная схема

В принципе, параметры резистора долины быть распреде-

резистора

 

 

с сосредоточенными

ленными, однако их учет значительно усложняет анализ и приме-

параметрами

 

 

няется лишь при работе на СВЧ и при расчете элементов в гиб-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Сr

 

 

ридном исполнении. Приведенную эквивалентную схему можно описать

 

 

i

 

 

 

 

 

 

системой 2-х дифференциальных уравнений:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

u = u

+ L

 

di

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

r

 

r

dt

 

 

 

 

 

 

Rr

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

u

 

 

ur

 

 

dur

 

 

 

 

Рис. 1.9.

i =

+Cr

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Rr

 

 

dt

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Здесь Сr, Lr – величины паразитных параметров, ur – напряжение на активной составляющей резистора. В зависимости от соотношения параметров эквивалентная схема резистора может быть упро-

щена. Для высокоомных резисторов, у которых R >>

Lr

, т.е. активное сопротивление значительно

 

Cr

 

больше волнового, можно пренебречь его индуктивной составляющей. При этом модель принимает вид (рис. 1.9):

Полное сопротивление синусоидальному сигналу можно найти из расчета:

 

 

 

R

r

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Z

 

=

 

jωC

r

 

=

 

R

r

=

 

 

R

r

j

 

 

ωC

R 2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

r

r

R

Rr +

1

 

 

1 + jωCr Rr

1

+ω2 Rr2Cr2

1

+ω2 Rr2Cr2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

jωCr

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Здесь первое слагаемое — активная составляющая полного сопротивления, второе — реактивная

составляющая. При ω→0, Zr→Rr, при ω→∞ Z r

1

. Для низкоомных резисторов R <<

Lr

,

jωCr

 

 

Cr

 

можно пренебречь емкостной составляющей комплексного сопротивления. При этом схема имеет вид

Рис. 1.13. Эквивалентная схема индуктивности

9

Rr

Lr

(рис. 1.10):

Указанную особенность необходимо учитывать при проектировании схем,

Рис. 1.10.

особенно СВЧ.

 

 

Электрические конденсаторы

В электронике конденсаторы выполняют в виде токопроводящих обкладок, разделенных диэлектриком. Величина емкости зависит от площади обкладок S и ε диэлектрика. Различают конденсаторы с газообразным, жидким, твердым, окcидным диэлектриком. На высоких частотах необходимо учитывать

потери в диэлектрике, токи утечки, индуктивное сопротивление

 

 

 

СC

 

 

 

 

 

обкладок и выводов. Эквивалентная схема конденсатора на вы-

i

 

 

LC

rC

 

 

соких частотах имеет вид (рис. 1.11):

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Полное сопротивление конденсатора зависит от частоты и

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

определяется по формуле:

 

 

 

 

 

 

RC

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

2

Рис. 1.11. Эквивалентная

схема

2

 

 

конденсатора на высоких часто-

Z C = rC

 

 

 

 

+

ωCC

+ωLC

 

тах

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Здесь сделано допущение о том, что RC>>rC, что справедливо на высоких частотах практически всегда. Сопротивление утечки RC учитывается, как правило, лишь в прецизионных схемах и при расче-

те медленных процессов. Зависимость ZC(f) в соответствии с приведен- Z

C

ным соотношением имеет вид (рис. 1.12):

Таким образом, после резонансной частоты

f = 2π

1

сопро-

 

 

LC CC

rC

f

тивление конденсатора приобретает индуктивный характер. Следует отметить, что для электролитических конденсаторов величина емкости не- Рис. 1.12.

постоянна, а также зависит от частоты работы, что объясняется процессами поляризации диэлектрика. Можно предложить аппроксимацию зависимости СС(f) в виде:

СС =

С0

 

,

 

 

α

 

f

 

 

 

 

 

 

 

1+

f0

 

 

 

 

где C0 – номинальная емкость конденсатора, f0 – частота, на которой емкость падает вдвое, α - некоторый коэффициент, учитывающий скорость спада емкости.

Реальная индуктивность

Индуктивность представляет собой магнитопровод с выполненной на нем обмоткой. Эквивалентная схема индуктивности с учетом омического сопротивления обмотки имеет вид рис. 1.13:

Полное сопротивление реальной индуктивности переменному току частотой ω равно:

Z = rL + jωL

 

Z

 

= rL2 + (ωL )2 .

L

rL

 

 

Индуктивность, выполненная на сердечнике из ферромагнитного материа- ла, как правило, нелинейна при работе в сильных полях. Ее характеристика совпадает с магнитной характеристикой ферромагнетика и может быть изображена в виде графика (см. рис. 1.14):

Если на индуктивность подан постоянный подмагничивающий ток I0 , то можно выделить дифференциальную индуктивность Lд и статическую индуктивность Lопределяемую выражениями:

Lст = Ψ0 ;

Lд = dΨ i=I0

 

Ψ Lд

 

I0

 

dI

 

Ψ0

 

В обмотке за счет протекания тока

 

создается

напряженность

 

 

Lст

i

магнитного поля H, определяемая по закону полного тока:

 

i w = H lср H = i w ;

[H ]= А

 

I0

 

 

lср

 

м

 

 

 

Если магнитная проницаемость материала µ, то величина индук-

Рис. 1.14.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ции в сердечнике B = µµ0H ,

где µ0 = 4π 10

7 Гн

. Для тороидального сердечника в предполо-

 

 

 

 

м

 

 

 

 

 

 

 

 

 

жении равномерного распределения магнитного поля справедливо:

 

 

 

 

 

 

B

 

 

Ψ = BSw ;

H = i w ;

l

ср

=π d1 + d2 ,

2

 

 

 

 

 

lср

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

BS 1

 

где lср – средняя длина магнитной силовой линии, равная полусум-

 

H

ме внешнего и внутреннего диаметра кольца, умноженная на π.

 

При этом индуктивность тороидального сердечника с обмоткой

 

HS

можно рассчитать по формуле:

µµ

 

Sw 2

 

 

 

 

 

 

L =

Ψ

=

 

 

 

 

 

 

 

i

 

0

 

 

.

 

Рис. 1.15.

 

 

 

 

 

 

lср

 

 

Магнитную характеристику материала обычно аппроксимируют

 

 

кусочно-линейной функцией при грубом расчете (см. рис. 1.15). При этом в диапазоне:

H S

H ≤ +H S ,

L = BS ,

при

H > H S

 

L = 0,

 

т.е.

B = BS

 

 

H S

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Такая аппроксимация является весьма грубой, в частности, она не отражает реальных физических

процессов во второй области. Ведь, даже если предположить, что в области насыщения свойства фер-

ромагнетика исчезают вовсе, то это означает, что µ ферромагнетика становится равной 1. Т.е. при

H >HS магнитный поток необходимо считать по формуле:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

B = µ0 H ;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Это соответствует аппроксимации (рис. 1.15, линия 2). В ряде случаев оказывается более удобной

аппроксимации магнитной характеристики аналитическим выражением вида:

 

 

 

 

B = BS

thβH ;

 

 

 

 

 

 

 

 

где коэффициент β выражает «крутизну» и момент перегиба магнитной характеристики. Переменная величина индуктивности может привести к различию переходных процессов в схемах,

если сердечник работает с подмагничиванием или без него. Ряд магнитных материалов обладает гистерезисными свойствами, которые проявляются в том, что кривая намагничивания превращается в петлю, которая зависит от напряженности поля перемагничивания H, скорости и амплитуды Bm индукции в сердечнике. Существует ряд моделей, описывающих эту петлю. Рассмотрим модель ДжилсаАттертона. Основа модели – безгистерезисная кривая, которая представляет собой зависимость безгистерезисной намагниченности от H. Она получается в том случае, когда в дополнение к постоянной составляющей на магнитный материал воздействует сильное переменное поле с амплитудой, постепенно убывающей до нуля.

Связь между B, H и намагниченностью M:

 

B = µ0 (M + H )

(1.1)

При помещении образца во внешнее магнитное поле магнитные моменты отдельных доменов начинают поворачиваться, ориентируясь вдоль силовых линий магнитного поля. При слабых полях этот поворот сопровождается упругим прогибом доменной стенки, при сильных полях — смещением границ доменов (эффект сухого трения). Прогиб стенки — обратимый процесс, т.е. при снятии внешнего магнитного поля домен возвращается в исходное состояние, не изменяя границ. При «сухом трении» после снятия поля внутренняя намагниченность остается. Она характеризуется намагниченностью M (размерность А/М). Величина индукции определяется формулой (1.1).

Модель Джилса-Аттертона предполагает, что безгистерезисная намагниченность зависит от величины H по следующей формуле:

 

 

 

 

 

 

 

H

 

M

an

= M

S

 

 

 

 

A

 

,

 

H

 

+1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где MS — намагниченность насыщения; A — коэффициент кривой (ее формы).

11

M an = M S HH+ A ,

где A определяется как величина напряженности, при которой M an = M2S . Для введения гистере-

зисной зависимости в модель существует дифференциальное уравнение, учитывающее эффект сухого и вязкого трения. В больших полях (сухое трение) форма петли описывается уравнением:

dM = M an M δ, dH K

где δ — учитывает коэффициент перемагничивания; K — величина коэрцитивной силы петли. На петле есть 4 участка с различными состояниями сердечника, каждое из которых связано с M, Man и H.

Коэрцитивная сила петли — напряженность магнитного поля, при которой индукция в образце (на-

магниченность) равна 0 (точка HC). В зависимости от участка,

 

M

 

 

по которому ползет рабочая точка, изменяется и коэффициент

 

 

 

 

MS

 

 

δ в дифференциальном уравнении.

 

 

 

 

Man(H)

 

 

dM > 0; M an > M ;

 

 

 

II

Участок I:

δ > 0 (обычно

 

 

 

 

 

dH

 

 

 

 

 

 

M(H)

принимается δ=1)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

III

 

Hc

H

 

dM

 

 

 

 

 

 

 

 

Участок II:

= 0;

M = const;

δ

= 0

 

 

I

 

dH

 

 

 

 

 

 

 

Участок IV:

 

dM

= 0;

M = const;

δ

= 0

IV

 

 

 

 

dH

 

 

-MS

 

 

 

dM

 

 

 

 

 

 

 

Участок III:

 

> 0;

M > M an ;

δ < 0 (δ=-1)

 

Рис. 1.16.

 

 

 

dH

 

 

 

 

 

 

Коэффициент δ берут соответствующим на любом шаге расчета петли. Рассмотрим поведение безгистерезисной кривой Man и петли перемагничивания вблизи H, равной HC.

Пусть в петле:

dM an

 

Н 0 =

dM

 

Н H c

, т.е. характеристики M и Man имеют одинаковый наклон.

 

 

dH

 

dH

 

 

 

 

 

 

 

 

Рассмотрим треугольник с вершинами 0, HC, Man(HC):

 

 

 

 

 

M an (H C ) = dM

H C

 

 

 

 

 

 

 

dH

 

Уравнение Джилса-Аттертона описывает явление вязкого трения, соответствующее малым возмущениям внешнего поля. Это достигается введением добавки следующего вида:

dM

=

M an M

δ +

C

 

dM an ,

dH

1+C

 

K

 

 

dH

где С — коэффициент (отношение начальной и безгистерезисной магнитной проницаемости при

H=0); K=HC.

Т.к. при малых полях доменные стенки сначала прогибаются, намагниченность материала оказывается заметно меньше, чем если бы доменные структуры одновременно повернулись бы на определенный угол.

Введем понятие начальной магнитной проницаемости µi, которая всегда меньше чем µan. Этот эффект учитывается с помощью коэффициента С в уравнении:

Сµi <1

µan

Спомощью полного уравнения Джилса-Аттертона можно посчитать петлю перемагничивания, интегрируя это уравнение, например, методом Эйлера. Итерационная формула имеет вид:

M an

M k

δ +

C

 

dM

 

 

 

(H k +1

H k ).

 

 

M k +1 = M k +

 

k

 

 

an

 

H =H

 

K

 

1+C

 

dH

 

k

 

 

 

 

 

 

 

12

Т.к. время в явном виде не входит, модель — безинерционная, т.е. ни один из параметров не изменяется при ∆v (изменении скорости), что увеличивает потери в материале (вихревые токи, нелинейность гистерезисных процессов и т.д.).

Можно предложить модифицировать модель путем введения зависимости K от скорости V перемагничивания. Анализ показал, что такая зависимость:

dM

=

M an M

 

δ +

 

 

C

dM an ,

 

 

 

 

 

 

 

dH

 

K0 + K f

dH

 

 

1

+C dH

 

 

dt

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где dHdt — модуль мгновенной скорости перемагничивания материала.

Модель перемагничивания ферромагнитных материалов второго уровня сложности

Модель перемагничивания Джилса-Атертона не выражает в явном виде зависимость магнитной индукции B от напряженности магнитного H, а устанавливает их взаимосвязь через систему дифференциальных уравнений, описывающих поведение доменных структур. Основные параметры модели представлены в табл. 3.1.

Как известно, магнитная индукция в магнитопроводе B связана с напряженностью внешнего магнитного по-

ля H и намагниченностью материала M соотношением:

 

B = µ0 (M +H )

(3.1)

где µ0 = 4π10-7 - магнитная постоянная, Гн/м; B – индукция, Тл;

H – напряженность внешнего магнитного поля, А/м; M – намагниченность, А/м.

Основой для построения модели петли является нелинейная безгистерезисная кривая намагничивания, которая описывается зависимостью безгистерезисной намагниченности Man от величины напряженности внешнего магнитного поля H. Зависимость Man(H) в модели определяется соотношением:

M

an

(H ) = M

S

 

 

H / A

 

(3.2)

 

H / A

 

+1

 

 

 

 

 

 

 

 

где А - параметр формы безгистерезисной кривой намагничивания, А/м;

MS - намагниченность насыщения, А/м, которая определяет максимальную величину собственного магнитного поля доменов, ориентированных по направлению внешнего магнитного поля.

Таблица 3.1. Список параметров модели петли перемагничивания

Параметр

Смысловое значение

 

Размерность

Значение по

 

 

 

 

умолчанию

LEVEL

Индекс уровня модели

 

1

AREA

Площадь поперечного сечения магнитопровода

 

см2

0.1

PATH

Средняя длина магнитной силовой линии

 

см

1

GAP

Ширина воздушного зазора

 

см

0

PACK

Коэффициент заполнения сердечника

 

1

MS

Намагниченность насыщения

 

А/м

106

A

Параметр формы безгист. кривой намагничивания

 

А/м

103

C

Постоянная упругого смещения доменных границ

 

0.2

K

Постоянная подвижности доменов

 

А/м

500

 

Дополнительные параметры модели уровня

1

 

 

ALPHA

Параметр магнитной связи доменов

 

10-3

GAMMA

Параметр демпфирования доменов

 

с-1

Описание гистерезисных процессов в ферромагнетике основано на теории движения доменных стенок в магнитном поле. «Сухое» трение между доменными стенками учитывается введением зависимости дифференциальной магнитной проницаемости dM/dH от «запаздывания» величины намагниченности M по сравнению с безгистерезисной намагниченностью Man(H) с учетом направления перемагничивания в виде:

dM

=

M an (H ) M

δ

(3.3)

dH

K

 

 

 

где δ – коэффициент, учитывающий направление перемагничивания, K – постоянная подвижности доменов, А/м.

13

В модели, таким образом, вершины петель симметричных циклов будут несколько смещены относительно безгистерезисной кривой намагничивания (рис. 3.1). Рассмотрим физический смысл и значения параметров и коэффициентов уравнений (3.2) и (3.3).

На «усе» предельного цикла перемагничивания (H >> A) гистерезисная и безгистерезисная кривые совпадают (рис. 3.1), поэтому в соответствии с (3.2):

Man MS M,

и, следовательно,

 

 

 

MS = BS/µ0 HS,

(3.4)

 

 

где BS - индукция насыщения, Тл.

 

 

 

Последний параметр является справочным для

 

 

магнитного материала, при необходимости он может

 

 

быть легко измерен путем перемагничивания материа-

 

 

ла по предельному циклу (рис. 3.1, кривая 2).

 

 

Анализируя (3.2), несложно видеть, что параметр

 

 

A формы безгистерезисной кривой намагничивания

 

 

численно равен напряженности внешнего магнитного

Рис. 3.1. Семейство расчетных петель перемагничивания

поля, при которой безгистерезисная намагниченность

равна MS/2. Для пересчета безгистерезисной кривой

(1, 2) и безгистерезисная кривая намагничивания (3)

 

Ban(H) в зависимость Man(H) можно воспользоваться соотношением, аналогичным (3.4):

 

 

Man(H) = Ban(H)/µ0 – H.

(3.5)

В большинстве практических случаев для ферромагнетиков с высоким значением относительной магнитной проницаемости можно пренебречь величиной H в соотношении (3.5) и определять коэффициент A как напряженность поля Ha, соответствующую индукции BS/2 на кривой Ban(H) (кривая 3 на рис. 3.1). Для нахождения Ha в принципе можно построить полную безгистерезисную кривую 3, однако более просто провести измерение лишь одной петли с амплитудой индукции Bma = BS/2 (петля 1 на рис. 3.1). Если считать, что отклонение амплитуды напряженности магнитного поля Hma для этой петли от безгистерезисной кривой близко к коэрцитивной силе Hca, то

A Hma – Hca.

(3.6)

Безразмерный коэффициент δ принимает значения +1, -1, 0 в зависимости от направления перемагничивания и текущего положения рабочей точки на петле перемагничивания (рис. 3.1). Несложно видеть, что при увеличении напряженности внешнего магнитного поля, когда dH/dt >0, и движении по участку I петли (dM/dH > 0), намагниченность M(H) отстает от безгистерезисной Man(H) (M(H) < Man(H)), т.е. δ = +1. При переходе на участок II, определяемый «сухим» трением, dM/dH = 0, поэтому δ = 0. При движении по участку III dM/dH снова положительно, но, т.к. M(H) > Man(H), то δ = -1. И, наконец, на участке IV вновь δ = 0.

Здесь уместно отметить, что оригинальное описание модели [79], в котором равенство δ=0 на участках II и IV не упоминалось, приводило к существенным ошибкам при попытках решения уравнения (3.3).

Значение коэффициента K удобно оценить из рассмотрения предельного цикла перемагничивания 2 (рис. 3.1). В точке H = HC выполняются условия:

M 0, Man ≈ µan HC

где µan – относительная магнитная проницаемость безгистерезисной кривой намагничивания вблизи начала координат.

Если считать, что магнитная проницаемость µc на «спинке» петли 2 близка к µan, т.е. dM/dH = µc µan, то из (3.3) следует, что

K HC.

(3.7)

Реальные процессы перемагничивания ферромагнетика осуществляются путем упругого прогиба доменных границ, предшествующих необратимому перемещению доменной стенки. Таким образом, уравнение, описывающее эти процессы, должно описывать эффект "вязкого" трения, которое в приложении к чисто механическим системам означает, что указанная составляющая силы пропорциональна скорости перемещения. В магнитной среде эта составляющая учитывается добавкой, пропорциональной dMan/dH, что приводит, согласно [79], к уравнению

dM

=

M an M

δ +

C

 

dM an

,

(3.8)

dH

K

1 +C

 

 

 

 

dH

 

где С - постоянная упругого смещения доменных границ.

В области малых внешних полей (начальная кривая намагничивания), когда необратимого перемещения доменных стенок не происходит, собственное намагничивание ферромагнетика осуществляется лишь за счет упругого смещения доменных границ. В этом режиме намагничивание описывается лишь вторым членом урав-

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]