Добавил:
ivanov666
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:Твердотельная электроника. Учебное пособие
.pdf
Глоссарий 241
Пороговое напряжение — напряжение на затворе МДП-структуры, при котором
в приповерхностной области полупроводника образуется инверсный слой (токопроводящий канал).
Предельная частота — частота, на которой амплитуда гармонического тока
коллектора в 2 раз меньше, чем амплитуда гармонического тока базы (предельная частота коэффициента передачи тока базы) или гармонического тока эмиттера
(предельная частота коэффициента передачи тока эмиттера).
Примесный полупроводник — полупроводники, электрические характеристики
которых определяются примесями.
Примесная электропроводность — электропроводность полупроводника, обусловленная внедрением примесей.
Пробой — резкое возрастание обратного тока через переход в области обратных
напряжений, превышающих определенное критическое значение.
Прокол базы — явление смыкания переходов биполярного транзистора, обусловленное эффектом Эрли при достаточно больших обратных напряжениях на
коллекторном переходе.
Режим отсечки — режим работы биполярного транзистора при обратных напряжениях на эмиттерном и коллекторном переходах.
Режим насыщения — режим работы биполярного транзистора при прямых напряжениях на эмиттерном и коллекторном переходах.
Рекомбинация — процесс восстановления разорванных ковалентных связей, который сопровождается исчезновением пары носителей заряда электрон-дырка.
Светоизлучающий диод — полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования электрической энергии в энергию некогерентного светового излучения.
Скорость генерации — число свободных носителей заряда, возбуждаемых в единичном объеме полупроводника за единицу времени.
Скорость рекомбинации — число носителей заряда, рекомбинирующих в единичном объеме полупроводника за единицу времени.
Собственная электропроводность — электропроводность полупроводника,
обусловленная парными носителями заряда (электронами и дырками) теплового
происхождения.
Собственный полупроводник — полупроводник, не содержащий примесей и обладающий собственной электропроводностью.
Световая характеристика — зависимость фототока от светового потока.
Стабилитрон — полупроводниковый диоды, для которого характерна слабая
зависимость напряжения от тока в области электрического пробоя при обратном
смещении.
242 Глоссарий
Сток — в полевых транзисторах сильнолегированная полупроводниковая область, в направлении к которой происходит дрейф основных носителей заряда;
омическим контактом связана с одноименным электродом транзистора.
Темновой ток — ток фотоэлектрического приемника в отсутствии освещения.
Температура удвоения — приращение температуры, вызывающее изменение
теплового тока электронно-дырочного перехода в два раза.
Теормодинамическая работа выхода — минимальная энергия, необходимая для
перевода электрона в вакуум с энергетического уровня Ферми.
Термоэлектронная эмиссия — явление выхода электронов из твердого тела в вакуум за счет тепловой энергии кристаллической решетки.
Тепловой пробой — пробой, обусловленный разогревом p-n-перехода вследствие
выделения теплоты при протекании обратного тока, когда отсутствует достаточный
теплоотвод, обеспечивающий устойчивость теплового режима.
Тепловой ток — ток, обусловленный тепловой генерацией неосновных носителей заряда в нейтральных p- и n-областях, прилегающих к обедненному слою
p-n-перехода.
Тиристор — полупроводниковый прибор с тремя и более p-n-переходами, вольт-
амперная характеристика которого имеет участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением.
Ток насыщения — ток полупроводникового прибора, значение которого слабо
зависит от напряжения.
Туннельный диод — полупроводниковый диод с вольтамперной характеристикой n-типа, принцип действия которого основан на эффекте туннельного прохождения носителей заряда через потенциальный барьер p-n-перехода с вырожденными
p- и n-областями.
Туннельный пробой — пробой электронно-дырочного перехода, обусловленный
туннельным эффектом — переходом электронов сквозь узкий потенциальный барьер без изменения энергии.
Уравнение непрерывности — фундаментальное уравнение физики полупроводников; дифференциальное уравнение в частных производных, которое связывает
изменения концентраций свободных носителей заряда в полупроводнике с их генерацией, рекомбинацией, дрейфовым и диффузионным движением.
Уровень инжекции — отношение концентрации инжектированных в базу неосновных носителей заряда к равновесной концентрации основных носителей заряда
в базе.
Уровень Ферми — энергетический уровень, соответствующий максимально возможной энергии электронов при температуре абсолютного нуля; при любой температуре, отличной от температуры абсолютного нуля, уровень Ферми заполнен
наполовину.
Глоссарий 243
Фоторезистивный эффект — изменение электрического сопротивления полу-
проводника, обусловленное действием оптического излучения.
Фотогальванический эффект — явление возникновения фото-ЭДС за счет разделения носителей заряда, возникающих под действием оптического излучения,
электрическим полем выпрямляющего электрического перехода.
Ширина запрещенной зоны — разница энергий дна зоны проводимости и потолка валентной зоны.
Экстракция — процесс захвата электрическим полем p-n-перехода неосновных
носителей заряда и переноса их при обратном напряжении через переход в область
с противоположным типом электропроводности.
Эмиттер — высоколегированная область полупроводникового прибора, основным назначением которой является инжекция из нее основных носителей заряда.
Электрический переход — переходный слой между областями твердого тела
с различными типами или значениями проводимости.
Электронная электропроводность — электропроводность, обусловленная движением свободных электронов.
Электронно-дырочный переход — электрический переход между областями полупроводника с электропроводностью p- и n-типов, в котором существует диффузионное электрическое поле и сохраняется монокристаллическая структура полупроводника.
Эффективная масса — эквивалентная масса носителя заряда, характеризующая
его движение в потенциальном поле кристаллической решетки.
Эффективная концентрация — разность концентраций донорной и акцепторной примесей.
Эффект Шоттки — эффект понижения высоты потенциального барьера на
контакте металл-полупроводник под влиянием сильного электрического поля и сил
зеркального изображения.
Эффект Эрли — эффект модуляции толщины базы под действием электрического поля коллекторного перехода.
Учебное издание
Легостаев Николай Степанович
Четвергов Константин Владимирович
ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
Учебное пособие
Корректор Осипова Е. А.
Компьютерная верстка Перминова М. Ю.
Подписано в печать 20.12.11. Формат 60х84/8.
Усл. печ. л. 28,37. Тираж 300 экз. Заказ
Издано в ООО «Эль Контент»
634029, г. Томск, ул. Кузнецова д. 11 оф. 17
Отпечатано в Томском государственном университете
систем управления и радиоэлектроники.
634050, г. Томск, пр. Ленина, 40
Тел. (3822) 533018.
Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]