Добавил:
ivanov666
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:Твердотельная электроника. Учебное пособие
.pdf
4.10 Усилительные свойства транзистора 141
Для количественной оценки усилительных свойств биполярного транзистора
в малосигнальном режиме работы удобно представить транзистор как четырехполюсник в системе h-параметров (рис. 4.16).
Рис. 4.16 – Схема замещения усилительного каскада, содержащая биполярный
транзистор как четырехполюсник в системе h-параметров
Для математического описания электрического состояния схемы рисунок 4.16
необходимо систему уравнений четырехполюсника в h-параметрах дополнить выражениями, которые связывают приращения входного напряжения и выходного
тока с параметрами источника сигнала и нагрузки:
dUвх= h11dIвх+ h12dU
dI
= h21dIвх+ h22dU
вых
dUвх= ec− rcdIвх,
dI
вых
= −
dU
R
вых
.
вых
вых
,
,
(4.74)
Из системы уравнений (4.74) следуют выражения для основных параметров
усилительного каскада:
• коэффициент усиления по напряжению
kU=
dU
dU
вых
вх
= −
h21R
+ R
h11h
h21h
h
11
, (4.75)
12
22
• коэффициент усиления по току
• входное сопротивление
Rвх=
kI=
dU
dI
dI
вых
dI
вх
h
вх
=
вх
=
1 + h22R
+ R
11
1 + h22R
h
21
, (4.76)
h11h
h21h
12
22
, (4.77)
142 Глава 4. Биполярные транзисторы
• выходное сопротивление
dU
вых
dI
вых
R→∞
R=0
=
R
=
вых
h11h
h21h
h11+ r
12
+ h
22
c
. (4.78)
22rc
Для усиления электрических сигналов по мощности применяются все три основные схемы включения биполярных транзисторов: с общим эмиттером, общей
базой и общим коллектором.
Усиление электрических сигналов в схеме с общей базой
В схеме с общей базой dUвх= dUэб, dIвх= dIэ, dU
= dUкб, dI
вых
вых
= −dIк.
Выражения для основных параметров усилительного каскада могут быть получены путем подстановки в выражения (4.75) — (4.78) h-параметров для схемы
с общей базой. Для схемы с общей базой можно в первом приближении положить
h
h
≈ h
21б
h
11бh12б
h
21бh22б
R
⋅
11б
1 + Rh
11б
1 + Rh
1
1 + Rh
22б
22б
≈ h
22б
= h
11бh22б
h
≈ −
h
, R
11б
, тогда выражения примут вид:
R
21б
, k
11б
I.ОБ
≈ h
21б
,
1
≈
вых. ОБ
.
h
22б
h
12б
≈ 0, h
≪ 1, Rh
22б
k
22б
U.ОБ
R
≪ 1,
≈ −
вх. ОБ
Используя выражения для h-параметров биполярного транзистора в схеме с общей базой, основные параметры усилительного каскада могут быть выражены через собственные параметры транзистора:
αR
k
R
U.ОБ
вх. ОБ
≈
r
э
≈ r
+ (1 − α)r
э
+ (1 − α)r
, k
б
, R
б
I.ОБ
вых. ОБ
≈ −α,
≈ rк.
Усиление электрических сигналов в схеме с общим эмиттером
В схеме с общим эмиттером dUвх= dUбэ, dIвх= dIб, dU
Выражения для основных параметров усилительного каскада могут быть получены путем подстановки в выражения (4.75) — (4.78) h-параметров для схемы
с общим эмиттером, причем можно в первом приближении считать, что h
h
h
22э
≪ 1, Rh
22э
≪ 1,
11эh12э
h
21эh22э
k
U.ОЭ
R
вх. ОЭ
≈ −
h
≈ h
≈ h
21э
h
11э
11э
11эh22э
R
⋅
1 + Rh
1 + Rh
1 + Rh
, тогда:
1
22э
22э
= h
22э
≈ −
11э
h
21э
h
11э
, R
R
, k
вых. ОЭ
I.ОЭ
вых
≈ h21,
≈
h
= dUкэ, dI
1
.
22э
вых
= dIк.
12э
≈ 0,
4.10 Усилительные свойства транзистора 143
Используя выражения для h-параметров биполярного транзистора в схеме с об-
щим эмиттером, найдем:
k
R
U.ОЭ
вх. ОЭ
≈ r
≈ −
б
r
+ (1 + β)r
б
+ (1 + β)r
, R
э
, k
э
вых. ОЭ
I.ОЭ
≈ β,
≈
r
к
1 + β
.
Усиление электрических сигналов в схеме с общим
коллектором
βR
В схеме с общим коллектором dUвх= dUбк, dIвх= dIб, dU
= −dIэ. Для схемы с общим коллектором можно в первом приближении принять,
h
что h
12к
≈ 1, h
22к
≪ 1, Rh
22к
≪ 1,(r
c
+ h
11к)h22к
≪ 1,
11кh12к
h
21кh22к
≈ h
основные парамет ры усилительного каскада, определяемые выражениями (4.75) —
(4.78), могут быть представлены приближенными выражениями:
h
k
U.ОК
≈ −
h
11э
R
(1 + Rh
вх. ОК
21к
≈ h
R
22к
11к
)− Rh
−
1 + Rh
Rh
21к
21к
≈
22к
h
21к
≈ h
h
21к
R − h
11к
R
11к
− Rh
, k
21к
I.ОК
,
= dUэк, dI
вых
11кh22к
≈ h
21к
вых
− h
, тогда
21к
,
=
R
вых. ОК
≈
h
22к(h11к
11к
+ r
+ r
c
)− h
c
21к
≈ −
h
+ r
11к
c
.
h
21к
h
Используя выражения для h-параметров биполярного транзистора в схеме с об-
щим коллектором, найдем:
(β + 1)R
k
U.ОК
R
вх. ОК
≈ r
б
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
≈
(β + 1)(R + rэ)+ r
+ (1 + β)(R + rэ), R
, k
I.ОК
б
r
вых. ОК
≈
Выводы
≈ −(β + 1),
+ (1 + β)r
б
+ r
э
c
.
(1 + β)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Анализ выражений основных параметров усилительных каскадов по схемам
с общей базой, общим эмиттером и общим коллектором показывает:
• фазовый сдвиг между входным и выходным напряжениями в схемах с об-
щей базой и общим коллектором составляет 0 эл. град. (k
а в схеме с общим эмиттером — 180 эл. град. (k
U.ОЭ
> 0);
U.ОБ
> 0, k
U.ОК
> 0),
144 Глава 4. Биполярные транзисторы
• усилительные каскады с общей базой и общим эмиттером усиливают
входной сигнал по напряжениюk
U.ОБ
> 1, k
U.ОЭ
> 1
, причем k
U.ОБ
≈ k
U.ОЭ
а усилительный каскад с общим коллектором усиления по напряжению не
дает (k
U.ОК
< 1);
• усилительные каскады с общим эмиттером и общим коллектором усили-
вают входной сигнал по току
k
≈ k
I.ОЭ
току не дает
, тогда как усилительный каскад с общей базой усиления по
I.ОК
k
= α < 1
I.ОБ
k
≈ (β + 1)> 1, k
I.ОК
;
≈ β > 1, причем
I.ОЭ
• усилительный каскад с общим эмиттером обеспечивает наибольшее уси-
ление сигнала по мощности (за счет усиления и по напряжению и по току),
при этом k
p.ОБ
≈ k
U.ОБ
, k
≈ (β + 1), k
p.ОК
≈ (β + 1)k
p.ОЭ
p.ОБ
;
• входное сопротивление каскада с общим эмиттером превосходит входное
сопротивление каскада с общей базойR
вх. ОЭ
≈ (β + 1)R
, а усилитель-
вх. ОБ
ный каскад с общим коллектором обладает наибольшим входным сопротивлениемR
вх. ОК
≈ R
вх. ОЭ
+ (β + 1)R
;
• выходное сопротивление каскада с общим эмиттером меньше выходного
сопротивления каскада с общей базойR
вых. ОЭ
≈ R
вых. ОБ
(β + 1)
, а усилительный каскад с общим коллектором обладает наименьшим выходным
сопротивлениемR
вых. ОК
≈ (R
вх. ОЭ
+ r
)(β + 1)
c
.
,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.11 Работа биполярного транзистора в импульсном
режиме
При работе биполярного транзистора в импульсном режиме в зависимости от
амплитуды электрических импульсов различают режим усиления малых импульс-
ных сигналов и режим усиления больших импульсных сигналов (режим переключения, ключевой режим).
При усилении малых импульсных сигналов транзистор работает в нормальном активном режиме, процессы принципиально не отличаются от режима усиления малых синусоидальных сигналов, а нелинейность транзистора практически не
проявляется.
В режиме усиления больших импульсных сигналов существенно сказываются нелинейные свойства транзистора, который в этом случае может работать не
только в нормальном активном режиме, но и в режимах отсечки и насыщения.
Инерционные свойства биполярных транзисторов при работе в импульсном режиме обусловлены инерционностью процессов диффузии, накопления и рассасывания неосновных носителей заряда в базе, а также процессов перезаряда емкостей
эмиттерного и коллекторного переходов.
При анализе режима переключения широко применяется метод заряда, который основан на определении закона изменения во времени заряда неосновных
носителей в базе и связи этого закона с протекающими в транзисторе токами.
В первом приближении изменение заряда Q(t)неосновных носителей в базе
удовлетворяет обыкновенному дифференциальному уравнению вида
4.11 Работа биполярного транзистора в импульсном режиме 145
dU
(t)
+
dQ(t)
dt
бк
C
к
dt
+
Q(t)
τ
= i
(t), (4.79)
б
где Cк— барьерная емкость коллекторного перехода; τ — время жизни неосновных
носителей заряда в базе.
В нормальном активном режиме справедливо τ ≈ τ
= 1(2πfβ), где f
β
— пре-
β
дельная частота передачи тока базы, а изменение заряда неосновных носителей
в базе связано с изменением тока коллектора соотношением Q(t)≈ (τββ)iк(t).
В результате уравнение (4.79) в нормальном активном режиме можно предста-
вить в виде:
dU
βC
(t)
бк
к
dt
+ τ
di
(t)
к
+ i
β
dt
(t)= βiб.(t). (4.80)
к
В режиме насыщения можно с достаточной точностью считать, что τ ≈ τ
и U
(t)= const, поэтому уравнение (4.79) принимает вид
бк
β
dQ(t)
dt
+
Q(t)
τ
β
= i
(t). (4.81)
б
В режиме отсечки заряд неосновных носителей в базе незначителен, и им
обычно пренебрегают, считая Q(t)≈ 0.
В установившемся режиме i
что Q
= τβIб, то есть различным токам базы соответствуют различные величины
уст
(t)= const = I
б
, Uбк= const и из (4.79) следует,
б
заряда неосновных носителей в базе. С ростом тока базы заряд растет и на границе насыщения достигает значения Qгр= τβI
б. нас
= τ
β(Iк. нас
β). При дальнейшем
увеличении тока базы, то есть в области насыщения, в базе создается избыточный
заряд Q
= Q − Qгр= τ
изб
β(Iб
− I
б. нас
).
При работе биполярного транзистора в режиме переключения применяются
все три основные схемы включения, однако наибольшее распространение получила схема включения с общим эмиттером.
Режим переключения в схеме с общим эмиттером
Работа биполярного транзистора, включенного с общим эмиттером, в режиме
переключения используется в схемах электронных транзисторных ключей, представленных на рисунке 4.17. Рассмотрим режим переключения n-p-n-транзистора
в схеме с общим эмиттером (рис. 4.17, а) при подаче на вход разнополярного
управляющего напряжения (рис. 4.18).
При поступлении на вход схемы управляющего напряжения положительной
полярности U
держки включения, спада выходного потенциала, накопления избыточного заряда
в базе.
Стадия задержки вк лючения обусловлена зарядом входной емкости Cвхтран-
зистора до порогового напряжения U
инжекция неосновных носителей заряда в базу. На интервале задержки включения транзистор находится в режиме отсечки, поэтому выполняются соотношения
U
(t)= const и dUбк(t)dt =
кэ
существенной погрешности пренебречь. В результате:
+
начинается процесс включения, который содержит три стадии: за-
вх
, при котором начнется эффективная
бэ. пор
d
dt
U
(t)− Uкэ(t)
бэ
= dU
(t)dt, а током базы можно без
бэ
146 Глава 4. Биполярные транзисторы
Рис. 4.17 – Схемы ключей с общим эмиттером на транзисторах n-p-n-типа (а)
и p-n-p-типа (б)
iвх= i
(t)
+ i
= (C
C
C
э
к
э
+ C
бэ
)
к
dt
= C
dU
(t)
бэ
вх
,
dt
dU
где Cэ— барьерная емкость эмиттерного перехода.
Таким образом, входная паразитная емкость транзистора на интервале задержки включения обусловлена барьерными емкостями эмиттерного и коллекторного
перехода. Заряд входной паразитной емкости происходит по экспоненциальному
закону:
U
C
вх
где τ
= RбCвх— постоянная времени цепи заряда; U
з. вкл
С учетом условия U
(t)= Uбэ(t)= Uбэ(∞)+
(∆t
бэ
з. вкл
)= U
U
(0)− Uбэ(∞)× exp −
бэ
(∞)≈ U
бэ
длительность интервала задержки вклю-
бэ. пор
τ
+
вх
з. вкл
, U
,
(0)≈ −U
бэ
−
.
вх
чения определяется выражением:
t
+
∆t
з. вкл
= RбCвхln
U
U
+
вх
вх
− U
+ U
−
вх
. (4.82)
бэ. пор
На стадии спада выходного потенциала транзистор работает в нормальном
активном режиме, и происходит накопление заряда неосновных носителей, инжектированных из эмиттера в базу. В соответствии с зарядовой моделью скорость
накопления заряда в базе определяет скорость нарастания тока коллектора. По
мере увеличения тока коллектора уменьшается выходной потенциал, в результате чего происходит изменение заряда барьерной емкости коллекторного перехода.
В течение интервала спада выходного потенциала напряжение на коллекторном
переходе изменяется на значительную величину. При этом на эмиттерном переходе напряжение изменяется несущественно (десятки-сотни милливольт), поэтому
можно считать, что U
(t)= const.
бэ
d
Тогда dU
бк
принимает вид
(t)dt = −dUкэ(t)dt = −
di
(t)
к
τ
c
dt
Eк− Rкi
dt
+ i
(t)= βiб(t),
к
к
(t)
= Rкdi
(t)dt и уравнение (4.80)
к
4.11 Работа биполярного транзистора в импульсном режиме 147
где τc= τβ+ βCкRк— эквивалентная постоянная времени интервала спада выходного
потенциала.
Поскольку i
б
растать по экспоненциальному закону. С учетом условий i
i
(t)= βI
к
б. вкл
1 − exp −
(t)=
U
+ U
(t)R
бэ
вх
t
.
τ
c
= const = I
б
, ток коллектора будет воз-
б. вкл
(∞)= βI
к
б. вкл
, i
(0)≈ 0:
к
+
Рост тока коллектора вызывает экспоненциальное уменьшение выходного на-
пряжения:
U
(t)= Uкэ(t)= E
вых
− Rкi
к
(t)= E
к
− βRкI
к
б. вкл
1 − exp −
t
.
τ
c
Интервал спада выходного потенциала завершается, когда транзистор выходит
на границу режима насыщения: i
(∆tc)= I
к
к. нас
= (E
к
− U
кэ. нас
)R
.
к
Длительность интервала спада выходного потенциала определяется выражением:
βI
∆tc= τcln
При включении транзистора «сильным» сигналом, когда I
βI
б. вкл
б. вкл
− I
. (4.83)
к. нас
≫ I
б. вкл
б. нас
= I
к. нас
β,
что часто выполняется на практике, выражение (4.83) можно упростить:
I
∆tc≈ τ
c
б. нас
. (4.84)
I
б. вкл
После окончания интервала спада выходного потенциала транзистор переходит в режим насыщения. Токи транзистора при этом практически не изменяются, а в базе накапливается избыточный заряд неосновных носителей за время
∆t
≈ (3 ÷ 5)τ
нак
.
β
Установившееся значение заряда неосновных носителей в базе определяется
выражением: Q
При поступлении на вход ключа управляющего напряжения U
уст
= τβI
б. вкл
= k
насQгр
= τβk
насIк. нас
β.
−
отрицатель-
вх
ной полярности начинается процесс выключения, который содержит три стадии:
задержки выключения, нарастания выходного потенциала, установления выключения.
Задержка выключения связана с процессом рассасывания избыточного заряда
неосновных носителей в базе. До тех пор, пока Q
(t)= Q(t)− Q
изб
> 0, транзистор
гр
работает в режиме насыщения, а коллекторный ток и напряжения на переходах
транзистора практически не изменяются. Следовательно, на интервале задержки
выключения изменение заряда барьерных емкостей транзистора не происходит.
−
U
+ U
бэ. нас
Ток базы определяется выражением i
(t)= −
б
вх
R
б
= const = −I
б. выкл
.
В соответствии с уравнением (4.81) заряд неосновных носителей в базе уменьшается по экспоненциальному закону
где Q(∞)= −τ
Q(t)= Q(∞)+Q(0)− Q(∞)× exp −
βIб. выкл
, Q(0)= Q
уст
= τβI
б. вкл
.
t
,
τ
β
148 Глава 4. Биполярные транзисторы
Интервал задержки выключения завершится, когда заряд неосновных носите-
лей в базе станет равным граничному заряду Q(∆t
з. выкл
)= Q
гр
= τβI
б. нас
= τβI
к. нас
β.
Длительность интервала задержки выключения определяется выражением
∆t
з. выкл
= τβln
I
I
При «сильном» запирающем сигнале, когда I
б. выкл
б. выкл
+ I
+ I
б. вкл
. (4.85)
б. нас
б. выкл
≫ I
б. вкл
≫ I
, выраже-
б. нас
ние (4.85) можно упростить:
∆t
з. выкл
= τ
β
I
I
б. вкл
б. выкл
= τ
k
насIб. нас
β
I
б. выкл
= τ
k
I
нас
к. нас
⋅
β
β
I
. (4.86)
б. выкл
На этапе нарастания выходного потенциала транзистор работает в нормальном активном режиме, а происходящие процессы обусловлены теми же факторами,
что и на интервале спада выходного потенциала. Следовательно, для этапа нарастания выходного потенциала справедливы модель и допущения, свойственные
интервалу спада выходного потенциала.
Поскольку i
циальному закону, который с учетом условий i
(t)≈= const = −I
б
, ток коллектора будет спадать по экспонен-
б. выкл
(∞)= −βI
к
б. выкл
, i
к
(0)= I
к. нас
= βI
б. нас
определяется выражением:
i
(t)= βI
к
б. нас
exp −
t
− βI
τ
н
б. выкл
1 − exp −
t
,
τ
н
где τн= τc= τβ+ βCкRк— эквивалентная постоянная времени интервала нарастания
выходного потенциала.
С уменьшением тока коллектора выходное напряжение экспоненциально возрастает:
U
вых
(t)= E
к
− βI
б. нас
exp −
t
+ βI
τ
н
1 − exp −
б. вык
τ
t
.
н
Интервал нарастания выходного потенциала завершается, когда транзистор выходит на границу режима отсечки. При этом i
(∆tн)≈ 0 и длительность интервала
к
нарастания выходного потенциала определяется выражением
I
∆tн= τ
ln 1 +
н
б. нас
. (4.87)
I
б. выкл
При выключении транзистора «сильным» сигналом выражение (4.87) можно
упростить:
I
∆tн≈ τ
н
I
б. нас
. (4.88)
б. выкл
На интервале установления выключения транзистор работает в режиме отсечки и происходит перезаряд входной паразитной емкости транзистора до на-
б(Cэ
−
по экспоненциальному закону с постоянной време-
вх
+ C
)в течение интервала ∆t
к
уст.выкл
≈ (3 ÷ 5)τ
уст.выкл
пряжения U
ни τ
уст.выкл
= RбCвх= R
= (3 ÷ 5)Rб(C
= Uбэ≈ −U
C
вх
+ C
).
э
к
При этом барьерная емкость эмиттерного перехода перезаряжается до напряжения U
жения U
= Uбэ≈ −U
C
э
≈ Uбэ− Eк= −U
C
к
−
, а барьерная емкость коллекторного перехода — до напря-
вх
−
− Eк.
вх
Временные диаграммы работы биполярного транзистора в импульсном режиме
в схеме с общим эмиттером представлены на рисунке 4.18.
=
4.12 Зависимость параметров от режима работы 149
Рис. 4.18 – Временные диаграммы работы биполярного транзистора
в импульсном режиме в схеме с общим эмиттером
4.12 Зависимость параметров от режима работы
Параметры транзистора зависят от режима работы. В качестве величин, определяющих режим работы биполярного транзистора, удобно использовать ток эмиттера и напряжение на коллекторном переходе.
Зависимость коэффициента передачи тока эмиттера. Зависимость коэффициента передачи тока эмиттера α от напряжения Uкбна коллекторном переходе
в основном обусловлена двумя факторами: модуляцией толщины базы и ударной
ионизацией в коллекторном переходе.
Из-за модуляции толщины базы с ростом абсолютного значения напряжения
Uкбуменьшается эффективная толщина базы и приближается к единице коэффи-
циент αппереноса неосновных носителей, а следовательно, возрастает и приближается к коэффициенту инжекции γ коэффициент α.
При наличии ударной ионизации ток коллектора возрастает, а коэффициент
передачи тока эмиттера в режиме лавинного размножения носителей заряда определяется выражением αM= M α, где M — коэффициент лавинного размножения но-
сителей заряда в коллекторном переходе. В режиме лавинного размножения коэффициент передачи тока эмиттера может превышать единицу, что качественно
меняет свойства транзистора.
150 Глава 4. Биполярные транзисторы
Зависимость α от тока эмиттера обусловлена, главным образом, изменением
коэффициента инжекции γ. В области малых токов существенное влияние на коэффициент инжекции оказывает ток рекомбинации в области эмиттерного перехода, вызывая уменьшение коэффициента γ при уменьшении тока эмиттера. Влияние
тока рекомбинации может привести к уменьшению α в 2 и более раза.
При высоком уровне инжекции зависимость коэффициента γ от тока эмиттера
объясняется модуляцией сопротивления базы: с увеличением тока эмиттера увеличивается удельная проводимость области базы и уменьшается коэффициент γ.
Уменьшение коэффициента α является важным фактором, ограничивающим максимальный рабочий ток транзистора.
Уменьшение коэффициента α в области больших и малых токов приводит к на-
личию максимума в зависимости α (Iэ)при токе, рекомендуемом в качестве номи-
нального.
Зависимость сопротивления эмиттерного перехода. Сопротивление эмиттерного перехода rэобратно пропорционально току эмиттера вплоть до очень малых
значений последнего. Зависимость rэот напряжения на коллекторном переходе
очень слаба, и ею можно пренебречь.
Зависимость сопротивления коллекторного перехода. Сопротивление коллекторного перехода rкобратно пропорционально току эмиттера и пропорционально
величинеUкб. С ростом напряжения на коллекторном переходе величина rкрастет, но при некотором значении Uкбвозрастание rкпрекращается вследствие возрастания поверхностной утечки и ударной ионизации в коллекторном переходе,
а при дальнейшем увеличении Uкбсопротивление rкнесколько падает.
Зависимость коэффициента внутренней обратной связи по напряжению. Коэффициент µэкобратно пропорционален величинеUкби не зависит от тока эмиттера.
Зависимость объемного сопротивления базы. Объемное сопротивление базы
rбмодулируется при больших токах эмиттера, что проявляется, в первую очередь,
в активной области базы, поэтому с ростом тока эмиттера сопротивление активной области базы играет все меньшую роль и суммарная величина rбвсе больше
определяется пассивными областями.
Зависимость среднего времени пролета носителей заряда через базу. Зависимость времени пролета неосновных носителей через базу от тока эмиттера определяется влиянием этого тока на коэффициент диффузии. В области больших токов наблюдается некоторое уменьшение коэффициента диффузии, а следовательно,
увеличение времени пролета.
Зависимость времени пролета носителей через базу от напряжения на коллекторном переходе обусловлена эффектом модуляции толщины базы: с ростом
напряжения Uкбтолщина базы уменьшается, что приводит к уменьшению времени
пролета неосновных носителей через базу.
Зависимость емкостей переходов транзистора. Барьерная емкость коллекторного перехода обратно пропорциональна величинеUкби не зависит от тока эмиттера. Увеличение тока эмиттера приводит к увеличению диффузионных емкостей
эмиттерного и коллекторного переходов, а вследствие модуляции толщины базы
емкости уменьшаются с ростом напряжения Uкб.
Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]