Добавил:

ivanov666 Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.

Вуз:

Башкирский Государственный Аграрный Университет

Предмет:

[НЕСОРТИРОВАННОЕ]

Файл:

Моделирование переноса электрических зарядов в электровакуумных приборах с электростатическим управлением. Учебное пособие

.pdf

Скачиваний:

Добавлен:

07.09.2026

Размер:

2 Мб

Скачать

☆

<<< < Предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1011 / 1111

Контрольные вопросы [1-47]

101

30. Конструкция тетрода. Назначение экранирующей сетки.

31. Динатронный эффект.

32. Статические анодные характеристики тетрода.

33. Конструкция лучевого тетрода.

34. Подавление динатронного эффекта полем защитной сетки пентода.

35. Назначение всех электродов пентода.

36. 3акон степени 3/2 для пентода.

37. Токораспределение в пентоде.

38. Режим прямого перехвата электронов в тетроде и пентоде.

39. Режим возврата электронов в тетроде и пентоде.

40. Статические передаточные характеристики пентода.

41. "Короткая" и "удлиненная" характеристики пентода.

42. Статические выходные характеристики пентода.

43. Статические входные характеристики пентода.

44. Дифференциальные параметры пентода.

45. Метод определения параметров пентода.

46. Схемы замещения пятиэлектродной лампы.

47. Основным условием существования объемного заряда в вакуумном

диоде является:

1) превышение тока эмиссии над анодным током;

2) равенство тока эмиссии и анодного тока;

3) превышение анодного тока над эмиссионным.

48. Рабочим режимом вакуумного диода является:

1) режим насыщения;

2) режим объемного заряда;

3) любой участок ВАХ диода.

49. Сетка в триоде служит:

1) для снижения анодного напряжения;

2) для управления анодным током;

3) для управления плотностью объемного заряда.

50. Коэффициент усиления триода – это частная производная:

1) анодного тока по анодному напряжению;

2) анодного напряжения по анодному току;

3) анодного напряжения по сеточному напряжению.

51. Динатронный эффект проявляется:

Контрольные вопросы [1-47]

102

1) только в диодах;

2) только в триодах;

3) только в тетродах.

52. Напряженность однородного электрического поля между двумя па-

раллельными пластинами:

1) уменьшается от катода к аноду;

2) увеличивается от катода к аноду;

3) фиксированная.

53. На участке насыщения ВАХ вакуумного диода анодный ток:

1) не меняется;

2) растет из-за проявления эффекта Шоттки;

3) растет из-за проявления туннельного эффекта.

54. Укажите формулу, определяющую термоэлектронную эмиссию ка-

тода:

kTe

eATTI

21

)(

; 2)

kTe

eATTI

2

)(

; 3)

kTe

eATTI

2

)(

55. Изменится ли величина тока эмиссии катода электронной лампы при

увеличении напряжения накала?

1) Не изменится.

2) Уменьшится.

3) Увеличится.

4) Увеличится, а затем уменьшится.

56. Изменится ли энергия свободных электронов в металле при увеличе-

нии его температуры?

1) Уменьшится.

2) Увеличится.

3) Не изменится.

4) Правильного ответа нет.

57. Изменится ли срок службы катода при уменьшении его температуры?

1) Увеличится.

2) Уменьшится.

3) Не изменится.

4) Увеличится, а затем уменьшится.

58. Как изменится величина Um и положение xm минимума потенциала у

катода в диоде при увеличении анодного напряжения?

Контрольные вопросы [1-47]

103

1) Um увеличится, xm уменьшится.

2) Um уменьшится, xm уменьшится.

3) Um уменьшится, xm увеличится.

59. Образуется ли у катода электронной лампы минимум потенциала,

если начальные скорости электронов равны нулю?

1) Образуется.

2) Образоваться не может.

3) Образуется только у металлических катодов.

60. При каких условиях у катода электронной лампы появляется минимум

потенциала?

1) При малом токе, отбираемом с катода.

2) При большой эмиссии катода.

3) При наличии начальных скоростей электронов.

4) При наличии начальных скоростей электронов и отсутствия режима

насыщения.

5) Правильного ответа нет.

61. Почему время пролета электронов в диоде цилиндрической конструк-

ции меньше, чем в диоде плоской конструкции при прочих равных условиях?

1) Пространственный заряд в цилиндрической конструкции слабее влияет на скорость электронов.

2) Эффективная поверхность анода больше в случае цилиндрической конструкции.

3) Напряженность поля у катода больше в случае цилиндрической конструкции.

62. Каким уравнением связан ток и напряжение в анодной цепи диода в

режиме пространственного заряда?

)(

aaа

GUUI 

. 2)

)(

aaа

GUUI 

. 3)

)(

aaа

GUUI 

63. Укажите выражение, определяющее анодный ток диода в режиме

насыщения.

kTeEe

эа

eIEI )(

. 2)

kTEe

эа

eIEI



)(

. 3)

eEIEI

эа

)(

64. По какому закону изменяется ток в диоде в режиме тормозящего поля?

)(

aaа

GUUI 

 

)(

maaа

UUGUI 

Контрольные вопросы [1-47]

104

kTeU

эаa

eIUI )(

kTe

aэаa

UIUI



)(

 

kTUkUae

эаa

eIUI



)(

65. Рассчитайте параметры диода S и Ri при анодном напряжении

Ua =100 В, если поверхность анода Пa=10 см2, а расстояние между ка- тодом и анодом равно 2 мм.

1) S = 8,7 мА/В, Ri = 114 Ом.

2) S = 0,87 мА/В, Ri = 1140 Ом.

66. Почему крутизна характеристики диода изменяется при регулировке

напряжения накала?

1) Вследствие увеличения эмиссионного тока.

2) Вследствие увеличения отношения тока эмиссии к току катода.

3) Вследствие изменения действующей поверхности анода.

67. Изменится ли крутизна характеристики диода, если уменьшить рас-

стояние между анодом и катодом?

1) Не изменится.

2) Увеличится.

3) Уменьшится.

68. Как изменится положение начального участка анодной характери-

стики диода в режиме тормозящего поля анода, если между электродами в лампе с оксидным катодом появится контактная разность потенциалов Uк?

1) Сдвинется вправо.

2) Сдвинется влево.

3) Не изменится.

69. Укажите формулу для расчета крутизны характеристики диода.

GUS 

. 2)

GUS 

. 3)

GUS 

70. Когда напряжение между катодом и анодом диода - кенотрона выше –

в момент, когда ток проходит через кенотрон или когда кенотрон заперт?

1) При запертом кенотроне.

2) При прохождении тока через кенотрон.

3) Правильного ответа нет.

Контрольные вопросы [1-47]

105

71. Определите первеанс G триода, если известно, что при Ua = 250 В,

Uc = –3 В в лампе протекает ток Ia = 7 мА. Коэффициент усиления лампы μ=25, 1 + D + DR ≈1.

1) G = 7,6·10–4 А/В.

2) G = 3,8·10–4 А/В.

3) G = 1,9·10–4 А/В.

72. Каким уравнением связаны в триоде анодный ток и анодное напряже-

ние при заданном напряжении сетки?

)()(

асaа

UUGUI 

)()(

асaа

UUGUI 

)()(

асaа

UDUGUI 

)()(

асaа

UDUGUI 

73. Напишите функциональную зависимость, соответствующую анодной

характеристике триода.

)(саUfI 

при

constUa

)(саUfU 

при

constIa

)(aаUfI 

при

constUc

74. Как изменяется напряжение запирания анодной характеристики три-

ода при увеличении отрицательного напряжения сетки?

1) Увеличивается.

2) Уменьшается.

3) Не изменяется.

Список литературы

106

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Волощенко, П. Ю. Методология математического моделирования нели-

нейных волновых и колебательных электрических процессов в изделиях

когерентной радио-, микро- и наноэлектроники [Текст] / П. Ю. Воло-

щенко, Ю. П. Волощенко. – Таганрог: Издательство ЮФУ, 2013. ‒

110 с.

2. Волощенко, П. Ю. Основы теории одномерной нелинейной электриче-

ской и электронной волновой цепи [Текст]: учебное пособие для маги-

стратуры / П. Ю. Волощенко, Ю. П. Волощенко. – Таганрог: Издатель-

ство ЮФУ, 2015. ‒ 100 с.

3. Волощенко, П. Ю. Электро- и радиотехнические модели технологии ко-

герентной электроники [Текст] / П. Ю. Волощенко, Ю. П. Волощенко.

– Таганрог: Издательство ЮФУ, 2016. – 110 с.

4. Волощенко, П. Ю. Основы теории цепей: одномерная нелинейная элек-

трическая и электронная волновая цепи [Текст]: учебное пособие для

академического бакалавриата / П. Ю. Волощенко, Ю. П. Волощенко. –

Москва: Юрайт, 2016. – 101 с. – Серия: Университеты России.

5. Волощенко, П. Ю. Моделирование электронных компонентов инте-

гральных схем методами теории электрических цепей [Текст]: учебное

пособие / П. Ю. Волощенко, Ю. П. Волощенко. – Ростов-на-Дону; Та-

ганрог: Издательство ЮФУ, 2017. – 102 с.

6. Волощенко, П. Ю. Моделирование нелинейных электрических процес-

сов в элементах электронной волновой цепи [Текст]: учебное пособие /

П. Ю. Волощенко, Ю. П. Волощенко. – Ростов-на-Дону; Таганрог: Из-

дательство ЮФУ, 2018. – 116 с.

7. Волощенко, П. Ю. Исследование характеристик двухэлектродной лампы

и ограничителя электрических колебаний на вакуумном диоде [Текст] /

П. Ю. Волощенко. – Таганрог: ТРТИ, 1991. – 20 с.

8. Волощенко, П. Ю. Исследование электронной эмиссии в вакуумном ди-

оде [Текст] / П. Ю. Волощенко. – Таганрог: ТРТУ, 1994. – 41 с.

9. Волощенко, П. Ю. Исследование характеристик трехэлектродной лампы

и генератора на вакуумном триоде. № 1926 [Текст] / П. Ю. Волощенко,

– Таганрог: ТРТИ, 1992. – 34 с.

Список литературы

107

10. Волощенко, П. Ю. Исследование характеристик многоэлектродных ламп

и усилителя на вакуумном пентоде. №2161 [Текст] / П. Ю. Волощенко, – Таганрог: ТРТУ, 1994. – 25 с.

11. Гапонов, В. Н. Электроника [Текст]: в 2 томах / В. Н. Гапонов, – Москва:

Физматгиз, 1960.

12. Сушков, А. Д. Вакуумная электроника: физико-технические основы

[Текст]: учебное пособие / А. Д. Сушков. – Санкт-Петербург: Лань, 2004. – 462 с.

13. Лопухин, В. М. Возбуждение электромагнитных колебаний и волн элек-

тронными потоками [Текст] / В. М. Лопухин. – Москва: ГИТТЛ, 1953. – 324 с.

14. Шапошников, А. А. Электронные и ионные приборы [Текст] / А. А. Ша-

пошников. – Москва-Ленинград: Госэнергоиздат, 1952. – 336 с.

15. Капцов, Н. А. Электроника [Текст] / Н. А. Капцов. – Москва: ГИТТЛ,

1954. – 468 с.

16. Кноль, М. Техническая электроника [Текст] / М. Кноль, И. Эйхмейер. –

Москва: Энергия, 1971. – 472 с.

17. Демирчян, К. С. Теоретические основы электротехники [Текст]: в 2-х

томах. / Л. Р. Нейман, К. С. Демирчян. – Москва-Ленинград: Энергия,

1966.

18. Татаренко, Н. И. Автоэмиссионные наноструктуры и приборы на их ос-

нове [Текст] / Н. И. Татаренко, В. Ф. Кравченко. – Москва: Физматлит,

2006. – 192 с.

19. Татаренко, Н. И. Вакуумная микроэлектроника: реальность и перспек-

тивы [Текст] / Н. И. Татаренко, А. С. Петров // Зарубежная радиоэлектроника. Успехи современной радиоэлектроники. – 1998. – № 7. – С.10–31.

20. Трубецков, Д. И. Вакуумная микроэлектроника [Текст] / Д. И. Трубецков

// Соросовский образовательный журнал. – 1997. – № 4. – С.58–64.

21. Zhu, Wei. Vacuum microelectronics [Text] / Wei Zhu. – New York: Wiley-

Interscience publication, 2001. – 396 с.

22. Попов, В. П. Основы теории цепей [Текст] / В. П. Попов. – Москва: Выс-

шая школа, 1985. – 496 с.

23. Зернов, Н. В. Теория радиотехнических цепей [Текст] / Н. В. Зернов,

В. Г. Карпов. – Ленинград: Энергия, 1972. – 816 с.

Список литературы

108

24. Зевеке, Г. В. Основы теории цепей [Текст] / Г. В. Зевеке, П. А. Ионкин,

А. В. Нетушил, С. В. Страхов. – Москва: Энергия, 1965. – 444 с.

25. Андреев, В. С. Теория нелинейных электрических цепей [Текст] /

В. С. Андреев. – Москва: Радио и связь, 1983. – 280 с.

26. Фейнман, Р. Фейнмановские лекции по физике [Текст]: в 9 томах. Т. 6:

Электродинамика / Р. Фейнман, Р. Лейтон, М. Сэндс. – Москва: Мир,

1966. – 344 с.

27. Фейнман, Р. Фейнмановские лекции по физике [Текст]: в 9 томах. Т. 5:

Электричество и магнетизм / Р. Фейнман, Р. Лейтон, М. Сэндс. –

Москва: Либроком, URSS, 2013. – 304 с.

28. Батушев, В. А. Электронные приборы [Текст] / В. А. Батушев. – Москва:

Высшая школа, 1980. – 383 с.

29. Дулин, В. Н. Электронные приборы [Текст] / В. Н. Дулин. – Москва:

Энергия, 1969. – 400 с.

30. Кацман, Ю. А. Приборы СВЧ [Текст] / Ю. А. Кацман. – Москва: Высшая

школа, 1983. – 368 с.

31. Кацман, Ю. А. Электронные лампы: теория, основы расчета и проекти-

рования [Текст] / Ю. А. Кацман. – Москва: Высшая школа, 1979. – 301 с.

32. Кацман, Ю. А. Электронные лампы высоких и низких частот [Текст] /

Ю. А. Кацман. – Москва: Высшая школа, 1969. – 375 с.

33. Рейх, Г. Дж. Теория и применения электронных приборов [Текст] /

Г. Дж. Рейх. – Москва-Ленинград: Госэнергоиздат, 1948. – 939 с.

34. Лебедев, И. В. Техника и приборы СВЧ [Текст] / И. В. Лебедев; под ред.

Н. Д. Девяткова. – Москва: Высшая школа, 1970. – 440с.

35. Волощенко, В. Ю. Физика СВЧ. Микроволновые электронные приборы

[Текст]: учебное пособие / В. Ю. Волощенко, Ю. П. Волощенко. –Таган-

рог: ТРТУ, 2000. –140 с.

36. Федоров, Н. Д. Электронные приборы СВЧ и квантовые приборы

[Текст] / Н. Д. Федоров. – Москва: Сов. pадио, 1979. – 244 с.

37. Никольский, В. В. Электродинамика и распространение радиоволн

[Текст] / В. В. Никольский. – Москва: Наука, 1978. – 544 с.

38. Калинин, В. И. Введение в pадиофизику [Текст] / В. И. Калинин,

Г. М. Герштейн. – Москва: ГИТТЛ, 1957. – 660 с.

39. Ученые создали высокоскоростной гибрид вакуумной лампы и транзи-

стора https://ria.ru/20120701/689561375.html.

Список литературы

109

40. Вакуумные транзисторы вобрали в себя лучшее от полупроводников и

вакуумных ламп https://www.techcult.ru/science/4146-vakuumnye-tranzis- tory.

41. Электронные лампы могут стать основой компьютеров будущего

https://www.techcult.ru/technology/3677-elektronnye-lampy.

42. Пожела, Ю. Физика быстродействующих транзисторов [Текст] / Ю. По-

жела. – Вильнюс: Мокслас, 1989. – 264 с.

43. Терехов, В. А. Задачник по электронным приборам [Текст]: учеб. посо-

бие для студ. вузов / В. А. Терехов. – 3-е изд., перераб. и доп. – СанктПетербург: Лань, 2003. – 279 с.

44. Клейнер, Э. Ю. Основы теории электронных ламп [Текст] / Э. Ю. Клей-

нер. – Москва: Высшая школа, 1974. – 368 с.

45. Царев, Б. М. Расчет и конструирование электронных ламп [Текст] /

Б. М. Царев. – Москва–Ленинград: Госэнергоиздат, 1961. – 672 с.

46. Электровакуумные приборы [Текст]: справочник. – Москва-Ленинград:

Госэнергоиздат, 1956. – 422 с.

47. Голубев, Ю. Л. Электровакуумные приборы [Текст] / Ю. Л. Голубев,

Т. В. Жукова. – Москва: Энергия, 1969. – 296 с.

Введение

Учебное издание

ВОЛОЩЕНКО Петр Юрьевич

ВОЛОЩЕНКО Юрий Петрович

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПЕРЕНОСА ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ

ЗАРЯДОВ В ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫХ ПРИБОРАХ

С ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИМ УПРАВЛЕНИЕМ

Учебное пособие

Редакторы:

З. И. Надточий, Л. В. Чиканенко

Корректоры:

Л. В. Чиканенко, З. И. Надточий

Компьютерная верстка:

И. А. Клочко

Подписано в печать 12.12.2019 г.

Бумага офсетная. Формат 60×84 1/16. Усл. печ. л. 6,9.

Уч. изд. л. 5,63. Тираж 40 экз. Заказ №

Издательство Южного федерального университета

Отпечатано в отделе полиграфической, корпоративной и сувенирной продукции

Издательско-полиграфического комплекса КИБИ МЕДИА ЦЕНТРА ЮФУ.

344090, г. Ростов-на-Дону, пр. Стачки, 200/1. тел. (8634) 243-41-66.

Подписано в печать 12.12.2019 г.

Бумага офсетная. Формат 60×84

/16. Усл. печ. лист. 6,39.

Уч. изд. л. 5,63. Заказ № 7382. Тираж 30 экз.

Издательство Южного федерального университета.

Отпечатано в отделе полиграфической, корпоративной и сувенирной продукции

Издательско‐полиграфического комплекса КИБИ МЕДИА ЦЕНТРА ЮФУ.

344090, г. Ростов‐на‐Дону, пр. Стачки, 200/1, тел (863) 243‐41‐66.

<<< < Предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1011 / 1111

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]