Добавил:
ivanov666
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:Основы телекоммуникаций. Базовые компоненты телекоммуникационных систем. Учебное пособие для СПО
.pdf
81
если фототок равен 5 мА; уровень мощности излучения на данной длине волны
равна 5 дБм.
93. Определить квантовую эффективность на длине волны 1500 нм,
если фототок равен 9 мА; уровень мощности излучения на данной длине волны
равна 10 дБм.
94. Определить бюджет мощности оптического трансивера, если
минимальная мощность излучения на выходе источника равна 10 мВт;
минимальная мощность оптического излучения на входе в ФПУ равна 0.16 мВт.
95. Определить бюджет мощности оптического трансивера, если
минимальный уровень мощности излучения на выходе источника равна 5 дБм;
минимальная мощность оптического излучения на входе в ФПУ равна 1,4 мкВт.
96. Определить бюджет мощности оптического трансивера, если
минимальная мощность излучения на выходе источника равна 3 мВт;
чувствительность ФПУ равна -28 дБм; перегрузка ФПУ равна -8 дБм.
ПРИЛОЖЕНИЯ
ПРИЛОЖЕНИЕ А
Логические схемы телекоммуникационных
устройств
Рисунок А.1 – Мультиплексор
Рисунок А.2 – Демультиплексор
Рисунок А.3 – Цифровые компараторы
82
Рисунок А.4 – RS-триггер
Рисунок А.5 – Синхронный RS-триггер
83
Таблица Б.1
Параметры
К561ЛН2
564ЛН2
К561ЛН3
Е
ПИТ
, В
10
10
10
I
ПОТР. СР.
,
мкА
5 5 6
I
0
ВЫХ
, мА
6,6
5,6
12
I
1
ВЫХ
, мА
-1
-0,9
-4,8
U
0
ВЫХ
, B
2,9
2,9
0,5
U
1
ВЫХ
, B
7,2
7,2
9,5
t
1,0
ЗД Р
, нс
5070105
t
0,1
ЗД Р
, нс
115
130
105
Параметры
КР15
64ЛН2
КР1564Л
А7
КР1564Л
А9
КР1564
ЛИ2
Е
ПИТ
, В
5 5 5
5
I
ПОТР СР
,
мкА
5 5 5
5
I
0
ВЫХ
, мА
5,2
6,6
8
5,2
I
1
ВЫХ
, мА
4 5 5
4
U
0
ВЫХ
, B
0,1
0,1
0,1
0,1
U
1
ВЫХ
, B
4,3
4,2
4,4
4,4
t
1,0
ЗД Р
, нс
18
18
18
18
t
0,1
ЗД Р
, нс
30
30
30
30
Таблица Б.2
ПРИЛОЖЕНИЕ Б
Параметры CMOS ЦИМС
84
Таблица Б.3
Параметры
1564ЛИ3
КР1554ЛИ6
КР1554ЛИ9
Е
ПИТ
, В 5 5
5
I
ПОТР. СР.
,
мкА
5 4 4
I
0
ВЫХ
, мА
5,2
24
24
I
1
ВЫХ
, мА
-0,5
-24
-24
U
0
ВЫХ
, B
0,4
0,32
0,32
U
1
ВЫХ
, B
4,2
4,36
4,36
t
1,0
ЗД Р
, нс
22
7,5
6,5
t
0,1
ЗД Р
, нс
22
8,5
7
Параметры
КР531ЛР9
КР531ЛР10
К555ЛР13
КР1533ЛР13
I
0
ПОТР.
, мА
16
16 2 1,6
I
1
ПОТР.
, мА
12
11
1,6
1,25
I
0
ВХ
, мА
-2-2-0,4
-0,2
I
1
ВХ
, мА
0,05
0,05
0,02
0,02
I
0
ВЫХ
, мА
20
20 8 8
I
1
ВЫХ
, мА
-1
-0,25
-0,4
-0,1
U
0
ВЫХ
, B
0,5
0,5
0,5
0,4
U
1
ВЫХ
, B
2,75 2,7
2,5
t
1,0
ЗД Р
, нс
5,5
8,5 2020
t
0,1
ЗД Р
, нс
5,5
7,5 2020
Параметры
КР1554АП3
КР1554АП4
КР1554АП5
Е
ПИТ
, В 5 5
5
I
ПОТР. СР.
, мкА
8 8 8
I
0
ВЫХ
, мА
24
24
24
I
1
ВЫХ
, мА
-24
-24
-24
U
0
ВЫХ
, B
0,32
0,32
0,32
U
1
ВЫХ
, B
4,36
4,36
4,36
t
1,0
ЗД Р
, нс
6 7 7
t
0,1
ЗД Р
, нс
6,5 7 7
Таблица Б.4
Параметры Б.5
85
СОКРАЩЕНИЯ
ANSI – американский стандарт (American National Standart Institute)
DIN – европейский стандарт (Deutsche Ingenieuring Normen)
ДЛ – диодная логика ДЛ
ДТЛ – диодно-транзисторная логика
ТТЛ – транзисторно-транзисторная логика ТТЛ
ЭС – эмиттерно-связанная логика ЭСЛ
nMOП – логика на полевых транзисторах одинаковой полярности
pMOП – логика на полевых транзисторах одинаковой полярности
CMOS – логика на комплементарных полевых транзисторах
МИС – малая интегральная схема
СИС – средняя интегральная схема
БИС – большая интегральная схема
СБИС – сверхбольшая интегральная схема
SLC – одноуровневые, т.е. хранится один бит
MLS – многоуровневые, т.е. хранятся два бита
TLS – трехуровневые, т.е. хранятся три бита
QLS – четырехуровневые
LED – светоизлучающий диод
PIN – pin фотодиод
APD– лавинный фотодиод
MLM – лазерный диод с резонатором Фабри-Перо
VCSEL – лазерный диод с встроенным резонатором
DFB – лазерной диод с распределенной обратной связью
РБО – лазерной диод с распределенным брэгговским отражением
86
ЛИТЕРАТУРА
1. Справочник по компонентной базе микро- и наноэлектронной техники / А.
Н. Игнатов, И. В. Гришина, Н. Е. Фадеева [и др.] ; под редакцией А. Н.
Игнатова. — Москва, Вологда : Инфра-Инженерия, 2024. — 496 c. — ISBN
978-5-9729-1589-7. — Текст : электронный // Цифровой образовательный
ресурс IPR SMART : [сайт]. — URL: https://www.iprbookshop.ru/143256.html.
2. Елистратова, И. Б. Сборник методических указаний для выполнения
лабораторно-практических заданий по дисциплине «Элементная база
телекоммуникационных систем» / И. Б. Елистратова, А. Е. Аникеева. —
Новосибирск : Сибирский государственный университет телекоммуникаций
и информатики, 2024. — 34 c. — Текст : электронный // Цифровой
образовательный ресурс IPR SMART : [сайт]. — URL:
https://www.iprbookshop.ru/149547.html.
3. Легостаев, Н. С. Материалы электронной техники : учебное пособие /
Н. С. Легостаев. — Томск : Томский государственный университет систем
управления и радиоэлектроники, 2014. — 239 c. — ISBN 978-5-86889-679-8.
— Текст : электронный // Цифровой образовательный ресурс IPR SMART :
[сайт]. — URL: https://www.iprbookshop.ru/72057.html.
4. Григорьев, Б. И. Элементная база и устройства цифровой техники: учебное
пособие / Б. И. Григорьев. — СПб. : Университет ИТМО, 2012. – 89c.– 2227-
8397.
5. Игнатов, А. Н. Полевые транзисторы и их применение в технике связи :
монография / А. Н. Игнатов. — Новосибирск : Сибирский государственный
университет телекоммуникаций и информатики, 2008. — 317 c. — Текст :
электронный // Цифровой образовательный ресурс IPR SMART : [сайт]. —
URL: https://www.iprbookshop.ru/55455.html.
87
Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]