Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Электронная техника. Многоканальные телекоммуникационные системы. Практикум для СПО

.pdf
Скачиваний:
0
Добавлен:
15.08.2026
Размер:
1 Мб
Скачать

СРЕДНЕЕ ПРОФЕССИОНАЛЬНОЕ ОБРАЗОВАНИЕ

__________________________________________________________________

Д.В. Горденко, В.И. Никулин, Д.Н. Резеньков

ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. МНОГОКАНАЛЬНЫЕ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННЫЕ СИСТЕМЫ

ПРАКТИКУМ ДЛЯ СПО

2-е издание

Рекомендовано Учебно-методическим отделом СПО в качестве практикума для использования в учебном процессе образовательными учреждениями среднего профессионального образования по укрупненным группам профессий и специальностей «Электроника, радиотехника и системы связи»

и «Фотоника, приборостроение, оптические и биотехнические системы и технологии»

Москва

Саратов

Ай Пи Ар Медиа

Профобразование

2025

2025

УДК 621.3 ББК 32.85

Г68

Авторы:

Горденко Д.В. — канд. техн. наук, доц., преподаватель кафедры тактико-специальной и огневой подготовки Ставропольского филиала Краснодарского университета МВД России;

Никулин В.И. — канд. техн. наук, доц., зав. кафедрой инфокоммуникаций Северо-Кавказского федерального университета;

Резеньков Д.Н. — канд. техн. наук, доц., преподаватель кафедры тактико-специальной и огневой подготовки Ставропольского филиала Краснодарского университета МВД России

Рецензент:

Калмыков И.А. — д-р техн. наук, проф., проф. кафедры информационной безопасности автоматизированных систем Северо-Кавказского федерального университета

Горденко, Дмитрий Владимирович.

Г68 Электронная техника. Многоканальные телекоммуникационные системы : практикум для СПО / Д.В. Горденко, В.И. Никулин, Д.И. Резеньков. — 2-е изд. — Москва : Ай Пи Ар Медиа ; Саратов : Профобразование, 2025. — 62 с. — (Среднее профессиональное образование). — Текст : электронный.

ISBN 978-5-4497-3718-2 (Ай Пи Ар Медиа)

ISBN 978-5-4488-2276-6 (Профобразование)

Практикум содержит последовательное изложение лабораторных работ по отдельным темам дисциплины «Электронная техника». Издание включает схемы замещения, параметры и характеристики полупроводниковых приборов. Излагаются базовые сведения по принципам работы, построения и применения аналоговых и импульсных электронных устройств. Практикум позволяет реализовать систему подготовки специалистов, которые на основе теоретических положений и знаний базовых устройств усилительной и импульсной техники, способов описания их параметров, характеристик и общих закономерностей, описывающих физические процессы в них, могут осваивать и эксплуатировать электротехнические и электронные устройства современных и перспективных автоматизированных систем обработки информации и управления, средств связи и вычислительной техники.

Подготовлен с учетом требований Федерального государственного образовательного стандарта среднего профессионального образования.

Предназначен для студентов, обучающихся по укрупненным группам профессий и специальностей «Электроника, радиотехника и системы связи» и «Фотоника, приборостроение, оптические и биотехнические системы и технологии».

 

Учебное электронное издание

 

© Горденко Д.В., Никулин В.И., Резеньков Д.Н., 2020

ISBN 978-5-4497-3718-2

© ООО Компания «Ай Пи Ар Медиа», 2025

ISBN 978-5-4488-2276-6

© ООО «Профобразование», 2025

Учебное пособие

Горденко Дмитрий Владимирович Никулин Владимир Иванович Резеньков Денис Николаевич

Редактор Ю.Ю. Желтова

Технический редактор, компьютерная верстка Г.И. Иванова

Обложка Я.А. Кирсанов, С.С. Сизиумова

Подписано к использованию 20.09.2024. Объем данных 6 Мб.

ООО «Профобразование» 8-800-511-14-70 (бесплатный звонок по России)

E-mail: office@profspo.ru, sale@profobr.pro

СОДЕРЖАНИЕ

 

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 1. ИССЛЕДОВАНИЕ

 

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ .....................................................................

5

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 2. ИССЛЕДОВАНИЕ

 

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТРИОДОВ .................................................................

11

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 3. ИССЛЕДОВАНИЕ

 

ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ.................................................................................

17

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ .......

21

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 5. ИССЛЕДОВАНИЕ СТАБИЛИЗАТОРОВ....

26

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 6. ИССЛЕДОВАНИЕ ОБРАТНЫХ СВЯЗЕЙ

 

В УСИЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВАХ..................................................................

38

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 7. ИССЛЕДОВАНИЕ

 

УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА..................................

47

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 8. ИССЛЕДОВАНИЕ

 

ЧАСТОТНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК АКТИВНЫХ ФИЛЬТРОВ ..........................

55

4

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 1. ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ

1.Цель работы — экспериментальное исследование параметров и характеристик полупроводниковых диодов.

2.Задание на исследование:

1)исследовать вольтамперную характеристику (ВАХ) и рассчитать параметры полупроводникового выпрямительного диода;

2)исследовать ВАХ и рассчитать параметры полупроводникового стабилитрона.

3. Краткие сведения из теории.

Полупроводниковыми диодами называют электропреобразовательные полупроводниковые приборы с одним электрическим переходом, имеющие два вывода.

Вольтамперная характеристика полупроводникового диода представляет собой зависимость тока, протекающего через диод, от величины и полярности приложенного к нему напряжения.

Вольтамперная характеристика диода имеет две ветви.

Ветвь, расположенная в первом квадранте, соответствует прямому (пропускному) включению диода, а расположенная в третьем квадранте — обратному.

Рис. 1.1. ВАХ выпрямительного диода: 1 — при повышенной температуре; 2 — при нормальной температуре; 3 — при пониженной температуре

Основными параметрами диодов являются:

1) дифференциальное сопротивление (сопротивление диода переменному току:

5

Rдиф =

U

;

I

 

 

2) статическое сопротивление диода постоянному току:

Rпр =

U

пр

;

Rобр =

U

обр

;

 

 

 

 

I

 

 

I

 

 

 

пр

 

 

обр

 

 

 

 

 

 

 

3) коэффициент выпрямления:

КВ = Iпр Iобр при U = 1 В;

4) обратное максимально допустимое напряжение:

Uобр = 0,8 Uпроб ,

(1.1)

(1.2)

(1.3)

(1.4)

где Uпроб — напряжение теплового или электрического пробоя (от десятков до тысяч вольт).

Когда обратное напряжение диода достигает определенного критического значения, ток диода начинает резко возрастать. Это явление называют пробоем диода.

4. Порядок проведения исследований.

4.1. Исследование ВАХ и расчет параметров полупроводникового выпрямительного диода.

4.1.1. Снятие прямой ветви ВАХ полупроводникового диода:

1)собрать схему (рис. 1.2). Схема содержит: источник ЭДС, резистор R =

=10 Ом, амперметр, полупроводниковый диод, вольтметр;

Рис. 1.2. Схема снятия прямой ветви ВАХ полупроводникового диода

2) последовательно установить значения ЭДС источника равными: 5 В;

4 В; 3 В; 2 В; 1–0,4 В (через 0,1 В); 0 В;

6

3)активизировать схему;

4)снять показания измерительных приборов (амперметра, вольтметра), занести их в табл. 1.1.

Таблица 1.1

Показания измерительных приборов

Uпр, мВ

Iпр, мА

4.1.2. Снятие обратной ветви ВАХ полупроводникового диода:

1)собрать схему (рис. 1.3). Схема содержит: источник ЭДС; резистор R =

=1 кОм; амперметр; полупроводниковый диод; вольтметр;

Рис. 1.3. Схема снятия обратной ветви ВАХ полупроводникового диода

2)последовательно установить значения ЭДС источника равными: 0 В;

10 В; 80 В; 98 В; 100 В; 101 В; 102 В;

3)активизировать схему;

4)снять показания измерительных приборов (амперметра, вольтметра), занести их в табл. 1.2.

Таблица 1.2

Показания приборов

Uпр, мВ

Iпр, мА

4.1.3. Анализ ВАХ и расчет параметров полупроводникового выпрямительного диода.

По полученным данным табл. 1.1, 1.2 постройте графики функций: I пр = f (U пр ) ; I обр = f (U обр ) , подобные кривой 1, рис. 1.1.

7

Руководствуясь выражениями (1.1), (1.2), (1.3), (1.4) и ВАХ рассчитайте:

1)дифференциальное сопротивление (изгиб прямой ветви ВАХ);

2)статическое сопротивление (прямое, обратное при U = ±0,75 B);

3)коэффициент выпрямления (при U = ±0,75 B);

4)обратное максимально допустимое напряжение.

Данные для расчетов показать на ВАХ. Результаты вычислений занести в табл. 1.3. Сделать выводы.

Таблица 1.3

Параметры полупроводникового выпрямительного диода

Rдиф, Ом

Rст.пр, Ом

Rст.обр, кОм

Кв

Uобр

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4.2. Исследование ВАХ и расчет параметров полупроводникового ста билитрона.

4.2.1. Снятие прямой ветви ВАХ полупроводникового стабилитрона:

1)собрать схему (рис. 1.4). Схема содержит: источник ЭДС.; резистор R =

=300 Ом; амперметр; полупроводниковый стабилитрон; вольтметр.

Рис. 1.4. Схема снятия прямой ветви ВАХ полупроводникового стабилитрона

2)последовательно установить значения ЭДС источника равными: 10 В;

6 В; 5 В; 4 В; 3 В; 2,5 В; 2 В; 1 В; 0,5 В; 0 В;

3)активизировать схему;

4)снять показания измерительных приборов (амперметра, вольтметра), занести их в табл. 1.4.

Таблица 1.4

Показания измерительных приборов

Uпр, мВ

Iпр, мА

8

4.2.2. Снятие обратной ветви ВАХ стабилитрона:

1)собрать схему (рис. 1.5). Схема содержит: источник ЭДС; резистор R =

=300 Ом; амперметр; полупроводниковый стабилитрон; вольтметр.

Рис. 1.5. Схема снятия обратной ветви ВАХ стабилитрона

2) последовательно установить значения ЭДС источника равными: 0 В;

4 В; 4,5 В; 5 В; 5,5 В; 6 В; 7 В; 15 В; 20 В;

3)активизировать схему;

4)снять показания измерительных приборов (амперметра, вольтметра), занести их в табл. 1.5.

Таблица 1.5

Показания измерительных приборов

Uпр, мВ

Iпр, мА

4.2.3. Анализ ВАХ и расчет параметров полупроводникового стабилитрона. По полученным данным табл. 1.4, 1.5 постройте графики функций:

I пр = f (U пр ) ; I обр = f (U обр ) , подобные кривой 1, рис. 1.1.

На основе анализа полученной ВАХ определите значения: Iст.min; Iст.max;

Uст.min; Uст.max.

Руководствуясь выражением (1.1), рассчитайте дифференциальное сопротивление стабилитрона в режиме стабилизации.

Данные для расчетов показать на ВАХ. Результаты вычислений занести в табл. 1.6. Сделать выводы.

Таблица 1.6

Параметры полупроводникового стабилитрона

Rдиф, Ом

Iст.min, мА

Iст.max, мА

Uст.min, В

Uст.max, В

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

9

Контрольные вопросы

1.ВАХ выпрямительного полупроводникового диода.

2.ВАХ полупроводникового стабилитрона.

3.Параметры выпрямительных диодов:

дифференциальное сопротивление;

статическое сопротивление;

коэффициент выпрямления;

обратное максимально допустимое напряжение. 4. Параметры полупроводникового стабилитрона:

минимальный ток стабилизации;

максимальный ток стабилизации;

минимальное напряжение стабилизации;

максимальное напряжение стабилизации;

дифференциальное сопротивление в режиме стабилизации. 5. Система обозначений полупроводниковых диодов.

Литература

1.Кузовкин, В.А. Электротехника и электроника : учебник для СПО / В.А. Кузовкин, В.В. Филатов. — Люберцы : Юрайт, 2016. — 431 c.

2.Миленина, С.А. Электротехника, электроника и схемотехника : учебник

ипрактикум для СПО / С.А. Миленина, Н.К. Миленин. — Люберцы : Юрайт,

2016. — 399 c.

3.Синдеев, Ю.Г. Электротехника с основами электроники : учебное пособие для профессиональных училищ, лицеев и колледжей / Ю.Г. Синдеев. — Ро- стов-на-Дону : Феникс, 2013. — 407 c.

4. Программный пакет по лабораторным работам по электротехнике и электронике «Work bench» (интернет-ресурс — бесплатная версия).

10

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]