Химико-термическая обработка металлов и сплавов. Сборник вопросов и задач к контрольным мероприятиям

Вариант 6

1.Опишите и объясните химизм процесса цементации стали в твердом карбюризаторе.

2.Металл А насыщается элементом В до концентрации В на поверхности Сп. Для случаев насыщения при температурах Т1 и Т2 изобразите графически распределение концентрации элемента

Впо глубине слоя х: % В = f(x). Схематично нарисуйте строение слоя при температуре насыщения и после охлаждения до комнатной температуры.

11

Вариант 7

1. Опишите химизм процесса жидкостного борирования

стали.

2. Металл А насыщается элементом В до концентрации В на поверхности Сп. Для случаев насыщения при температурах Т1 и Т2 изобразите графически распределение концентрации элемента В по глубине слоя х: % В = f(x). Схематично покажите строение слоя при температуре насыщения и после охлаждения до комнатной температуры.

12

Вариант 8

1.Опишите и объясните химизм процесса газовой цементации в средах на базе эндогаза.

2.Металл А насыщается элементом В до концентрации В на поверхности Сп. Для случаев насыщения при температурах Т1 и Т2 изобразите графически распределение концентрации элемента

Впо глубине слоя х: % В = f(x). Схематично нарисуйте строение слоя при температуре насыщения и после охлаждения до комнатной температуры.

13

Вариант 9

1.Опишите и объясните процессы, протекающие в реакторе при азотировании в "тлеющем разряде".

2.Металл А насыщается элементом В до концентрации В на поверхности Сп. Для случаев насыщения при температурах Т1 и Т2 изобразите графически распределение концентрации элемента В по глубине слоя х: %В = f(x). Схематично нарисуйте строение слоя при температуре насыщения и после охлаждения до комнатной температуры.

14

Вариант 10

1.Выбрать и обосновать выбор активатора для процесса цементации способом порошков.

2.Металл А насыщается элементом В до концентрации В на поверхности Сп. Для случаев насыщения при температурах Т1 и Т2 изобразите графически распределение концентрации элемента В по глубине слоя х: % В = f(x). Схематично нарисуйте строение слоя при температуре насыщения и после охлаждения до комнатной температуры.

Т

A → % B

15

Вариант 11

1.Приведите примеры химических реакций в жидкой фазе

при ХТО.

2.Металл А насыщается элементом В до концентрации В на поверхности Сп. Для случаев насыщения при температурах Т1 и Т2 изобразите графически распределение концентрации элемента

Впо глубине слоя х: % В = f(x). Схематично нарисуйте строение слоя при температуре насыщения и после охлаждения до комнатной температуры.

16

Вариант 12

1. Приведите примеры химических реакций в газовой среде при ХТО.

2*. Металл А насыщается элементом В до концентрации В на поверхности Сп. Для случаев насыщения при температурах Т1 и Т2 изобразите графически распределение концентрации элемента В по глубине слоя х: % В = f(x). Схематично нарисуйте строение слоя при температуре насыщения ипосле охлаждения до комнатной температуры.

Т

α

T1 α+βCп β

17

Вариант 13

1.Опишите механизм действия водородосодержащих активаторов; приведите примеры.

2.Металл А насыщается элементом В до концентрации В на поверхности Сп. Для случаев насыщения при температурах Т1 и Т2 изобразите графически распределение концентрации элемента

Впо глубине слоя х: % В = f(x). Схематично нарисуйте строение слоя при температуре насыщения и после охлаждения до комнатной температуры.

Т

Cп T1

α β α+β

Cп

T2

A % B

18

Вариант 14

1. Опишите механизм действия кислородосодержащих активаторов; приведите примеры.

2.* Металл А насыщается элементом В до концентрации В на поверхности Сп. Для случаев насыщения при температурах Т1 и Т2 изобразите графически распределение концентрации элемента В по глубине слоя х: % В = f(x). Схематично нарисуйте строение слоя при температуре насыщения и после охлаждения до комнатной температуры.

19

Вариант 15

1.Опишите механизм действия галогеносодержащих активаторов; приведите примеры.

2.Металл А насыщается элементом В до концентрации В на поверхности Сп. Для случаев насыщения при температурах Т1 и Т2 изобразите графически распределение концентрации элемента В по глубине слоя х: % В = f(x). Схематично нарисуйте строение слоя при температуре насыщения и после охлаждения до комнатной температуры.

20