Добавил:

ivanov666 Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.

Вуз:

Башкирский Государственный Аграрный Университет

Предмет:

[НЕСОРТИРОВАННОЕ]

Файл:

Физические основы электроники. Транзисторы. Гальваномагнитные и термоэлектрические приборы. Оптоэлектронные приборы. Учебное пособие

.pdf

Скачиваний:

Добавлен:

11.08.2026

Размер:

598 Кб

Скачать

☆

<<< < Предыдущая 1 2 3 45 / 105 6 7 8 9 10 > Следующая >>>

5.21. В схеме, показанной на рис. 5.21, известны следующие парамет-

ры: Rн, RЭ, EЭ, EК, RБ, EБ . Транзистор имеет = 0,98, IКБО = 10 мкА. Необходимые численные значения заданы в табл. 5.21. Определить ток

коллектора.

Rэ Iэ Iк


				+
									Iб				Rн
									Iб
		Eэ			–			REбб		–
		Eэ			–

											Eк
											Eк
										+
										+
								Рис. 5.21		+		–
								Рис. 5.21
														Таблица 5.21
			Варианты для задачи 5.21

Номер	Напряже-	Напряже-					Напряже-			Сопротив-				Сопротив-	Сопро-
Номер	Напряже-	Напряже-					Напряже-			ление				Сопротив-	Сопро-
вари-	ние в цепи	ние в цепи				ние в цепи				в цепи				ление	тивление
вари-	эмиттера	ние в цепи				коллекто-				в цепи				в цепи ба-	нагрузки
анта	эмиттера	базы EБ, В				коллекто-				эмиттера				в цепи ба-	нагрузки
	EЭ, В						ра EК, В			RЭ, кОм				зы RБ, кОм	Rн, кОм
										RЭ, кОм
1	2	3				16				2				15	4
2	2,5	4,5				12				2				15	6
3	3,5	5,5				13				3				13	7
4	1,5	3,5				15				1,5				15	8
5	1,8	3				20				2,5				17	9
6	2	4,5				18				3,5				18	10
7	2,5	3				16				3				15	5
8	3,5	4,5				12				5				13	4
9	1,5	5,5				13				2				15	3
10	2	3				15				2				15	6
11	2,5	4,5				20				3				13	8
12	3,5	5,5				18				1,5				15	5
13	2	3				16				2,5				17	4
14	2,5	4,5				12				3,5				15	3

Окончание табл. 5.21

Номер	Напряже-	Напряже-	Напряже-	Сопротив-	Сопротив-		Сопро-
Номер	Напряже-	Напряже-	Напряже-	ление	Сопротив-		Сопро-
вари-	ние в цепи	ние в цепи	ние в цепи	в цепи	ление		тивление
вари-	эмиттера	ние в цепи	коллекто-	в цепи	в цепи ба-		нагрузки
анта	эмиттера	базы EБ, В	коллекто-	эмиттера	в цепи ба-		нагрузки
	EЭ, В		ра EК, В	RЭ, кОм	зы RБ, кОм		Rн, кОм
				RЭ, кОм
15	3,5	5,5	13	6	15		6
16	1,5	3,5	15	8	13		8
17	1,8	3,8	20	2	15		10
18	3	4,5	18	1,5	18		6
5.22. В схеме, показанной на рис. 5.22, известны следующие пара-
метры:	RЭ, EЭ, RБ, Rн, EК . Транзистор имеет				= 0,98,	IКБО = 0.

Определить ток коллектора и напряжение «коллектор–база»UКБ . Необходимые численные значения заданы в табл. 5.22.

									Iэ				Iк

							+ Rэ
											Iб				Rн
											Iб				Rн
		Eэ				–				Rб
		Eэ				–				Rб
												Eк
												Eк

									+				–
								Рис. 5.22
															Таблица 5.22
				Варианты для задачи 5.22

Номер	Напряже-		Напряже-							Сопротив-				Сопротив-		Сопротив-
Номер	ние в цепи		ние в цепи							ление в цепи				ление в цепи		ление
варианта	эмиттера		коллектора								эмиттера				базы	нагрузки
	EЭ, В				EК, В						RЭ, кОм				RБ, кОм	Rн, кОм
1	2		16							0,5				25		4
2	2,5		12							2				25		6
3	3,5		13							3				33		7
4	1,5		15							0,5				15		8
5	1,8		20							0,5				17		9

Окончание табл. 5.22

	Напряже-	Напряже-	Сопротив-	Сопротив-	Сопротив-
Номер	ние в цепи	ние в цепи	ление в цепи	ление в цепи	ление
варианта	эмиттера	коллектора	эмиттера	базы	нагрузки
	EЭ, В	EК, В	RЭ, кОм	RБ, кОм	Rн, кОм
6	2	18	1,5	18	5
7	2,5	16	0,5	25	5
8	3,5	12	0,6	25	4
9	1,5	13	0,5	33	3
10	2	15	0,6	15	6
11	2,5	20	0,4	13	8
12	3,5	18	0,8	15	4
13	2	16	1,5	17	6
14	2,5	12	1	25	7
15	3,5	13	0,6	25	8
16	1,5	15	0,4	33	9
17	1,8	20	2	15	5
18	3	18	1,5	18	6

5.23. Дана схема, изображенная на

+Eк

рис. 5.23. Доказать, что ток коллектора в

Rн

этой схеме может быть вычислен по

следующей приближенной формуле:

Rб

Uкб

Iк

IК (EК IКБОRБ).

Uкэ

RБ RН

5.24. В схеме, показанной на рис. 5.24,

Iб

Uэб

Iэ

используется транзистор с β = 50, IКБО =

Рис. 5.23

= 10 мкА. В этой цепи известны: RБ, Rн,

EЭ, EК. Определить напряжение UКЭ при разомкнутом и замкнутом ключе. Необходимые численные значения заданы в табл. 5.24.


											+Eк
									Rн
											Iк


					Iб			Uкб


												Uкэ
												Uкэ

	Eэ	+				Rб			Uэб		Iэ
			–			Rб
			–

							Рис. 5.24
													Таблица 5.24
			Варианты для задачи 5.24

Номер	Напряжение,				Напряжение,						Сопротивление		Сопротивление
Номер	в цепи эмитте-			в цепи коллек-							в цепи базы		нагрузки
варианта	в цепи эмитте-			в цепи коллек-							в цепи базы		нагрузки
варианта	ра EЭ, В				тора EК, В						RБ, кОм		Rн, кОм
	ра EЭ, В				тора EК, В						RБ, кОм		Rн, кОм
1	2					20				10			5
2	1,5					30				25			6
3	2,8					14				33			7
4	1					15				15			8
5	1					18				17			9
6	3					17				18			5
7	2,5					13				25			5
8	1,5					22				25			4
9	3,5					24				10			3
10	2					25				15			6
11	7					15				13			8
12	5					18				15			4
13	1,2					17				17			6
14	3,2					13				25			7
15	3					22				10			8
16	2					20				33			9
17	4					30				15			5
18	5					14				18			6

5.25. В схеме, показанной на рис. 5.25, используется транзистор с коэффициентом передачи β = 19. В этой схеме известны RБ, RЭ, Rн, EЭ ,

EК . Определить UЭ при разомкнутом и замкнутом ключе, током IКБО пренебречь. Необходимые численные значения заданы в табл. 5.25.

Таблица 5.25

Варианты для задачи 5.25

		Напряжение	Сопротивле-	Сопротив-	Сопротив-
Номер	Напряжение	Напряжение	Сопротивле-	ление	Сопротив-
Номер	в цепи эмит-	в цепи	ние в цепи	в цепи	ление
варианта	в цепи эмит-	коллектора	эмиттера	в цепи	нагрузки
	тера EЭ, В	EК, В	RЭ, кОм	базы	Rн, кОм
		EК, В	RЭ, кОм	RБ, кОм	Rн, кОм
1	2	15	0,5	10	5
2	5	12	2	25	6
3	7	13	3	33	7
4	10	15	0,5	15	8
5	1	20	0,5	17	9
6	3	18	1,5	18	5
7	6	16	0,5	25	5
8	1,5	12	0,6	25	4
9	8	13	0,5	10	3
10	2	15	0,6	15	6
11	7	20	0,4	13	8
12	5	18	0,8	15	4
13	12	16	1,5	17	6
14	6	12	1	25	7
15	3	13	0,6	10	8
16	2	15	0,4	33	9
17	4	20	2	15	5
18	5	18	1,5	18	6

5.26.Транзистор используется в схеме, показанной на рис. 5.26.

Вэтой схеме известны RБ, RЭ, Rн, EК . Определить, при каком мини-

мальном входном напряжении транзистор будет работать в режиме насыщения. Считать, что на границе режима насыщения β = 9. Необходимые численные значения заданы в табл. 5.26.


												+Eк
												+Eк											–Eк
								Rн
								Rн												Rн
						Uкб						Iк
				Iб		Uкб										Iб Uкб							Iк	Uкэ
				Iб												Iб Uкб							Iк

	+				Rб												Rб						Iэ
						Uэб						Iэ
																			Uэб
Eэ														Uвх
		–
																							Rэ

							Rэ						Uэ
							Rэ						Uэ

				Рис. 5.25														Рис. 5.26
																				Таблица 5.26
									Варианты для задачи 5.26

Номер			Напряже-							Сопротивление				Сопротивление						Сопротивление
вариан-			ние в цепи							в цепи эмитте-				в цепи базы RБ,							нагрузки
вариан-			коллектора							в цепи эмитте-				в цепи базы RБ,							нагрузки
та				EК, В							ра RЭ, кОм				кОм							Rн, кОм
				EК, В
1				–28					1					15							2
2				–30					2					12							6
3				–32					3					13							7
4				–35					1,5					15							1,5
5				–40					2,5					20							2,4
6				–38					3,5					18							2
7				–26					3					16							5
8				–25					5					12							4
9				–27					0,5					13							3
10				–28					0,6					15							6
11				–30					0,4					20							2,8
12				–32					0,8					18							5
13				–35					1,5					16							4
14				–40					1					12							3
15				–38					6					13							6
16				–26					8					15							8
17				–25					2					20							5
18				–27					1,5					18							6

5.27. В схеме, показанной на рис. 5.27, используется транзистор с коэффициентом передачи тока эмиттера = 0,99 и обратным током

коллектора IКБО. Для этой схемы известны RЭ, Rн, EК. Определить,

при каком минимальном значении входного напряжения транзистор будет работать в режиме насыщения. Необходимые численные значения заданы в табл. 5.27.

					Таблица 5.27
		Варианты для задачи 5.27

Номер	Напряжение		Сопротивление	Сопротивление		Обратный
	в цепи		Сопротивление	Сопротивление		ток коллек-
	в цепи		в цепи эмитте-	нагрузки Rн,		ток коллек-
варианта	коллектора		в цепи эмитте-	нагрузки Rн,		тора
варианта	коллектора		ра RЭ, кОм	кОм		тора
	EК, В		ра RЭ, кОм	кОм		IКБО, мкА
	EК, В					IКБО, мкА
1	20		3	2		10
2	25		2	3		11
3	27		3	4		12
4	30		1,5	2,5		13
5	19		2,5	3,5		6
6	30		3,5	4,8		9
7	26		3	1,5		8
8	28		5	2,2		7
9	25		0,5	2,5		15
10	20		0,6	2		18
11	25		0,4	3		20
12	27		0,8	4		12
13	30		1,5	2,5		13
14	19		1	3,5		6
15	30		6	4,8		9
16	26		8	1,5		8
17	28		2	2,2		7
18	25		1,5	2,5		10

5.28. В схеме, показанной на рис. 5.28, используется транзистор с коэффициентом передачи тока β. С учетом известных RБ, Rн, EК

определить напряжение UКЭ . Необходимые численные значения заданы в табл. 5.28.

–Eк

Rэ

Iэ

Iк

Uвх

Rн

Rб

Uкб

Rн

Iб

Uкэ

Eк

Iб

Uэб

Iэ

Рис. 5.27

Рис. 5.28

Таблица 5.28

Варианты для задачи 5.28

Номер	Напряже-	Сопротивление	Сопротивле-	Коэффициент
вариан-	ние в цепи	в цепи базы	ние нагрузки	Коэффициент
вариан-	коллектора	в цепи базы	ние нагрузки	передачи тока β
та	EК, В	RБ, кОм	Rн, кОм
	EК, В			15
1	25	60	1	15
2	35	65	1,2	16
3	27	70	1,3	17
4	28	80	1,5	15
5	31	75	2	25
6	33	72	1,8	35
7	26	55	1	13
8	25	58	1,2	16
9	28	78	1,3	17
10	32	80	1,5	15
11	27	90	2	25
12	35	95	1	35
13	25	85	1,2	16
14	35	80	1,3	17
15	27	75	1,5	15
16	28	72	2	25
17	31	55	1,8	35
18	33	58	1,1	13

5.29. Чему равна максимально допустимая мощность транзистора, находящегося в воздушной среде при температуре T = 20 °С, если тепловое сопротивление «кристалл транзистора–окружающая среда»

RКС 0,8 град/мВт, а максимально допустимая температура кристалла Tк max = 80 °С? Необходимые численные значения заданы в табл. 5.29.

			Таблица 5.29
	Варианты для задачи 5.29

Номер	Температура	Максимально до-	Тепловое сопротивление
	Температура	Максимально до-	«кристалл транзистора –
	окружающей	пустимая темпера-	«кристалл транзистора –
варианта	среды T, °С	тура Tк max, °С	окружающая среда»
	среды T, °С	тура Tк max, °С	Rкс, град/мВт
			Rкс, град/мВт
1	25	85	0,7
2	26	90	0,8
3	27	95	0,9
4	30	100	0,95
5	20	105	0,85
6	23	85	0,5
7	26	90	0,7
8	24	95	0,8
9	31	100	0,9
10	35	105	0,95
11	20	85	0,85
12	23	90	0,5
13	26	85	0,7
14	24	90	0,8
15	31	95	0,9
16	35	100	0,95
17	25	105	0,85
18	28	75	0,5

5.30. Транзистор, имеющий тепловое сопротивление между кристаллом и корпусом Rкк = 0,7 К/Вт, должен рассеивать мощность

P = 12 Вт при температуре окружающей среды Tокр = 38 °С. Для по-

вышения надежности температура кристалла не должна превышать 70 °С. В сборочной конструкции содержатся шайба и изолирующая

силиконовая смазка. Тепловое сопротивление шайбы равно Rш =

1,9 К/Вт, а силиконовая смазка уменьшает его примерно на 45 %. Определить, какова должна быть площадь теплоотвода, если он необ-

ходим. Считать, что 1 см2 металлической поверхности теплоотвода имеет тепловое сопротивление Rм = 900 К/Вт.

5.31. Транзистор с коэффициентом передачи тока β используется в схеме, показанной на рис. 5.31. Определить напряжение UКЭ при тем-

пературе T, если даны RБ и Rн , обратный ток коллекторного перехода IКБО = 10 мкА зависит от температуры по эмпирическому закону:

IКБО IКБО exp 0,08(T T0) ,

где T0 = 25 °C. Напряжение EК = +20 В. Необходимые численные значения заданы в табл. 5.31.

				Таблица 5.31
	Варианты для задачи 5.31

Номер	Сопротивле-	Сопротивле-	Коэффициент	Температура
варианта	ние в цепи	ние нагрузки	передачи тока β	T, °С
варианта	базы RБ, кОм	Rн, кОм	передачи тока β	T, °С
	базы RБ, кОм	Rн, кОм
1	200	2	49	50
2	150	2,5	59	60
3	180	3	69	65
4	190	4	79	70
5	220	3,5	89	75
6	250	1,5	99	80
7	180	5	59	50
8	190	2	69	60
9	220	3	79	65
10	250	2	89	70
11	180	2,5	49	75
12	190	3	59	80
13	200	4	49	50
14	150	3,5	49	60

<<< < Предыдущая 1 2 3 45 / 105 6 7 8 9 10 > Следующая >>>

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]