Добавил:

ivanov666 Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.

Вуз:

Башкирский Государственный Аграрный Университет

Предмет:

[НЕСОРТИРОВАННОЕ]

Файл:

Физические основы электроники. Транзисторы. Гальваномагнитные и термоэлектрические приборы. Оптоэлектронные приборы. Учебное пособие

.pdf

Скачиваний:

Добавлен:

11.08.2026

Размер:

598 Кб

Скачать

☆

<<< < Предыдущая 1 2 34 / 104 5 6 7 8 9 10 > Следующая >>>

Окончание табл. 5.7

	Удельное	Удельное	Удельное		Диаметры	Время
Номер	Удельное		Удельное	Ширина		жизни
	сопротив-		сопротив-			жизни
	сопротив-	сопротив-	сопротив-		эмиттера	неоснов-
вари-	ление	сопротив-	ление кол-	базы w,	эмиттера	неоснов-
анта	эмиттера	ление базы	лектора ρК,	см	и коллек-	ных носи-
анта	эмиттера	ρБ, Ом · см	лектора ρК,	см	тора d, см	телей заря-
	ρЭ, Ом · см	ρБ, Ом · см	Ом · см		тора d, см	телей заря-
						да τn, мкс
5	0,1	40	4	2,0 · 10–3	0,08	70
6	0,2	10	6	2,7 · 10–3	0,1	80
7	0,15	25	5	3,5 · 10–3	0,7	55
8	0,18	27	4	1,5 · 10–3	0,015	90
9	0,15	30	3	2,8 · 10–3	0,05	50
10	0,18	15	2	2,5 · 10–3	0,04	40
11	0,1	40	4	3,5 · 10–3	0,03	45
12	0,2	10	6	1,5 · 10–3	0,07	30
13	0,1	30	2	2,8 · 10–3	0,08	70
14	0,2	15	4	2,0 · 10–3	0,1	80
15	0,15	40	6	2,7 · 10–3	0,7	80
16	0,18	10	5	3,5 · 10–3	0,015	55
17	0,1	25	4	1,5 · 10–3	0,05	50
18	0,2	30	3	2,8 · 10–3	0,04	40

5.8. Для некоторого транзистора структуры p–n–p задано: дырочный ток эмиттера I pЭ , электронный ток эмиттера InЭ , дырочный ток

коллектора I pК , электронный ток коллектора InК . Вычислить: стати-

ческий коэффициент передачи тока базы, эффективность эмиттера или коэффициент инжекции, ток базы и коэффициент передачи тока в схемах с общим эмиттером и общей базой. Численные значения заданы в табл. 5.8.

5.9. Кремниевый транзистор структуры n–p–n при комнатной температуре имеет концентрацию примесей в базе N А. Толщина

активной области базы при указанном напряжении «коллектор–база» UКБ составляет w. Вычислить барьерную емкость перехода «коллектор–

база», если площадь перехода S. Численные значения заданы в табл. 5.9.

							Таблица 5.8
			Варианты для задачи 5.8

Номер		Дырочный	Электронный	Дырочный		Электронный
		ток	Электронный	Дырочный		Электронный
		ток	ток эмиттера	ток коллекто-		ток коллектора
варианта		эмиттера	ток эмиттера	ток коллекто-		ток коллектора
варианта		эмиттера	InЭ, мА	ра IpК, мА				InК, мкА
		IpЭ, мА	InЭ, мА	ра IpК, мА				InК, мкА
		IpЭ, мА
1		1	0,01	0,98			1
2		5	0,05	4,9			2
3		7	0,07	6,9			3
4		1	0,01	0,95			1,5
5		1	0,01	0,92			2,5
6		3	0,02	2,9			3,5
7		6	0,05	5,8			3
8		1,5	0,02	1,45			5
9		8	0,08	7,5			0,5
10		2	0,02	1,9			0,6
11		7	0,08	6,9			0,4
12		5	0,04	4,95			0,8
13		1	0,01	0,91			1,5
14		6	0,05	5,7			1
15		3	0,03	2,9			6
16		2	0,02	1,95			8
17		4	0,04	3,8			2
18		5	0,05	4,8			1,5
							Таблица 5.9
			Варианты для задачи 5.9

Номер	Концентрация		Толщина активной		Напряжение			Площадь
Номер		примеси	области базы		«коллектор–			перехода
варианта		примеси	области базы		«коллектор–			перехода
варианта		в базе NА, м–3	w, мкм		база» UКБ, В			S, м2
1	1,3 · 1023		1		0			10–8
2	2 · 1022		0,5		0			5 · 10–9
3	1021		0,7		1			10–9
4	1020		0,8		2			2 · 10–9
5	1022		1,5		3			10–8

			Окончание табл. 5.9

Номер	Концентрация	Толщина активной	Напряжение	Площадь
Номер	примеси	области базы	«коллектор–	перехода
варианта	примеси	области базы	«коллектор–	перехода
варианта	в базе NА, м–3	w, мкм	база» UКБ, В	S, м2
6	1021	2	4	5 · 10–9
7	1020	3	2	10–9
8	1021	2,5	1	3 · 10–9
9	1020	0,4	0	5 · 10–9
10	4 · 1022	1	0	10–9
11	1019	0,5	0	3 · 10–9
12	1020	0,7	1	10–9
13	1020	0,8	2	3 · 10–9
14	1021	1,5	3	5 · 10–9
15	1020	2	4	10–8
16	3 · 1022	3	2	5 · 10–9
17	1019	2,5	1	10–9
18	1020	0,4	0	10–8

5.10.Транзистор типа n+–p–n имеет эффективность эмиттера γ =

=0,999, коэффициент переноса через базу = 0,99, толщину активной

области базы w, концентрации легирующих примесей в эмиттере, базе и коллекторе соответственно NДЭ, NАБ, NДК. Определить предельное

напряжение на эмиттере, при котором наступает электрический пробой. Необходимые численные значения заданы в табл. 5.10.

				Таблица 5.10
	Варианты для задачи 5.10

Номер	Толщина актив-	Концентрация	Концентрация		Концентра-
Номер	ной области	примеси	примеси		ция примеси
варианта	ной области	в эмиттере	примеси	–3	в коллекто-
варианта	базы w, мкм	в эмиттере	в базе NАБ, см	–3	в коллекто-
	базы w, мкм	NДЭ, см–3	в базе NАБ, см		ре NДК, см–3
1	0,5	1019	3 · 1016		5 · 1015
2	1	2 · 1019	4 · 1016		6 · 1015
3	1,5	1019	1016		1015
4	2	2 · 1019	1,5 · 1016		4 · 1015
5	1,7	2 · 1019	3 · 1016		6 · 1015

			Окончание табл. 5.10

Номер	Толщина актив-	Концентрация	Концентрация		Концентра-
Номер	ной области	примеси	примеси		ция примеси
варианта	ной области	в эмиттере	примеси	–3	в коллекто-
варианта	базы w, мкм	в эмиттере	в базе NАБ, см	–3	в коллекто-
	базы w, мкм	NДЭ, см–3	в базе NАБ, см		ре NДК, см–3
6	1,1	5 · 1019	9 · 1015		1015
7	0,5	1019	1 · 1016		5 · 1015
8	1	1019	1,5 · 1016		6 · 1015
9	0,5	2 · 1019	4 · 1016		1015
10	1	5 · 1019	1 · 1016		4 · 1015
11	1,5	7 · 1019	1,5 · 1016		5 · 1015
12	2	1019	3 · 1016		6 · 1015
13	1,7	1019	1,5 · 1016		1015
14	1,1	5 · 1019	3 · 1016		4 · 1015
15	1,5	7 · 1019	9 · 1015		1015
16	2	5 · 1019	1 · 1016		4 · 1014
17	1,7	1019	1,5 · 1016		1015
18	1,1	1019	3 · 1016		4 · 1014

5.11. Определить коэффициент усиления по току для p–n–p-транзи- стора, включенного по схеме с общим эмиттером, если при изменении

тока базы ток коллектора изменился на IК , а ток эмиттера – на IЭ .

Температура, при которой работает транзистор, равна T. Численные значения заданы в табл. 5.11.

			Таблица 5.11
	Варианты для задачи 5.11

Номер	Изменение тока	Изменение тока	Температура, К
варианта	коллектора IК, мА	эмиттера IЭ, мА	Температура, К
варианта	коллектора IК, мА	эмиттера IЭ, мА
1	5	5,2	300
2	6	6,2	300
3	7	7,4	350
4	8	9,2	380
5	9	9,2	300
6	10	11,2	300
7	5	7,4	350

		Окончание табл. 5.11

Номер	Изменение тока	Изменение тока	Температура, К
варианта	коллектора IК, мА	эмиттера IЭ, мА	Температура, К
варианта	коллектора IК, мА	эмиттера IЭ, мА
8	6	7,2	380
9	7	7,5	370
10	8	8,5	340
11	9	10	330
12	10	12	340
13	5	7	330
14	6	8	325
15	7	10	385
16	8	12	390
17	9	14	300
18	10	15	300

5.12. Рассматривается кремниевый сплавной транзистор структуры p–n–p с резкими переходами и с удельным сопротивлением эмиттера

ρЭ = 0,1 Ом · см, удельным сопротивлением базы Б = 25 Ом · см, удельным сопротивлением коллектора К = 5 Ом · см и шириной базы

w 2,5 10 3 см. Диаметры эмиттера и коллектора равны 0,05 см. Время жизни неосновных носителей заряда n = 50 мкс. Ток эмиттера IЭ = 1 мА, Т = 300 К. Транзистор работает в активном режиме при UКБ = –40 В. Вычислить коэффициент передачи тока . Необходимые численные значения заданы в табл. 5.12.

Таблица 5.12

Варианты для задачи 5.12

	Удельное		Удельное			Время
	Удельное	Удельное	Удельное	Ширина	Диаметры	жизни не-
Номер	сопротив-	Удельное	сопротив-		Диаметры	жизни не-
Номер	сопротив-	сопротив-	сопротив-		эмиттера	основных
вари-	ление	сопротив-	ление кол-	базы	эмиттера	основных
анта	эмиттера	ление базы	лектора ρК,	w, см	и коллек-	носителей
анта	эмиттера	ρБ, Ом · см	лектора ρК,	w, см	тора d, см	заряда τn,
	ρЭ, Ом · см	ρБ, Ом · см	Ом · см		тора d, см	заряда τn,
						мкс
1	0,1	25	5	2,5 · 10–3	0,05	50
2	0,2	27	4	3,5 · 10–3	0,04	40
3	0,15	30	3	1,5 · 10–3	0,03	45
4	0,18	15	2	2,8 · 10–3	0,07	30

Окончание табл. 5.12

	Удельное	Удельное	Удельное		Диаметры	Время
Номер	Удельное		Удельное	Ширина		жизни не-
	сопротив-		сопротив-			жизни не-
	сопротив-	сопротив-	сопротив-		эмиттера	основных
вари-	ление	сопротив-	ление кол-	базы	эмиттера	основных
анта	эмиттера	ление базы	лектора ρК,	w, см	и коллек-	носителей
анта	эмиттера	ρБ, Ом · см	лектора ρК,	w, см	тора d, см	заряда τn,
	ρЭ, Ом · см	ρБ, Ом · см	Ом·см		тора d, см	заряда τn,
						мкс
5	0,1	40	4	2,0 · 10–3	0,08	70
6	0,2	10	6	2,7 · 10–3	0,1	80
7	0,15	25	5	3,5 · 10–3	0,7	55
8	0,18	27	4	1,5 · 10–3	0,015	90
9	0,15	30	3	2,8 · 10–3	0,05	50
10	0,18	15	2	2,5 · 10–3	0,04	40
11	0,1	40	4	3,5 · 10–3	0,03	45
12	0,2	10	6	1,5 · 10–3	0,07	30
13	0,1	30	2	2,8 · 10–3	0,08	70
14	0,2	15	4	2,0 · 10–3	0,1	80
15	0,15	40	6	2,7 · 10–3	0,7	80
16	0,18	10	5	3,5 · 10–3	0,015	55
17	0,1	25	4	1,5 · 10–3	0,05	50
18	0,2	30	3	2,8 · 10–3	0,04	40

5.13.Сплавной транзистор типа p–n–p включен в схему, изображенную на рис. 5.13. Определить ток коллектора, если известно, что коэффициент передачи тока

= 0,98 и IКБО = 10 мкА.

5.14.Вывести уравнения, связывающие z-параметры и Y-параметры транзистора.

Примечание. Формулы перехода между различными малосигнальными параметрами для любой схемы включения приведены в [3], стр. 230–232, а также в [4], стр. 41.

Iк

+–Eк

Iэ

Рис. 5.13

5.15. Некоторый транзистор характеризуется параметрами: h11Б , h12Б, h21Э, h22Б, численные значения которых указаны в табл. 5.15.

Определить значения всех сопротивлений T-образной схемы замещения.

				Таблица 5.15
	Варианты для задачи 5.15

Номер	h11Б, Ом	h12Б	h21Э	h22Б, См
варианта	h11Б, Ом	h12Б	h21Э	h22Б, См
варианта
1	20	2 · 10–4	28	4 · 10–6
2	5	10–4	30	6 · 10–6
3	40	2 · 10–4	20	2 · 10–5
4	35	8 · 10–4	40	8 · 10–6
5	15	10–4	41	4 · 10–6
6	18	2 · 10–4	32	6 · 10–6
7	25	8 · 10–4	50	2 · 10–5
8	30	10–4	51	8 · 10–6
9	28	2 · 10–4	39	4 · 10–6
10	20	8 · 10–4	15	6 · 10–6
11	5	10–4	25	2 · 10–5
12	40	10–4	26	4 · 10–6
13	35	2 · 10–4	28	6 · 10–6
14	15	3 · 10–4	30	2 · 10–5
15	18	4 · 10–4	20	6 · 10–6
16	25	5 · 10–4	40	2 · 10–5
17	30	3 · 10–4	41	6 · 10–6
18	28	4 · 10–4	25	2 · 10–5

5.16. Транзистор имеет значения сопротивлений: эмиттера rЭ , базы rБ и коллектора rК , коэффициент передачи тока . Определить h-

параметры для схемы включения с общим эмиттером. Необходимые численные значения заданы в табл. 5.16.

5.17. Транзистор, включенный по схеме с общим эмиттером, имеет следующие параметры: h11Э = 2 кОм, h12Э 6 10 4, h21Э = 50, h22Б2,5 10 5 См. Определить h-параметры этого транзистора, включен-

ного в схему с общей базой. Необходимые численные значения заданы в табл. 5.17.

Примечание. Формулы перехода между различными малосигнальными параметрами для любой схемы включения приведены в [3,] стр. 230–232, а также в [4], стр. 41.

						Таблица 5.16
		Варианты для задачи 5.16
							Коэффициент
Номер		Сопротивление	Сопротивление	Сопротивление			Коэффициент
Номер		эмиттера	Сопротивление	коллектора			передачи
варианта		эмиттера	базы RБ, Ом	коллектора			передачи
варианта		rЭ, Ом	базы RБ, Ом	rК, МОм			тока α
1	15		500	1			0,96
2	25		600	1,2			0,97
3	27		700	1,3			0,98
4	10		800	1,5			0,99
5	21		550	2,0			0,965
6	33		750	1			0,967
7	26		450	1,2			0,97
8	15		830	1,3			0,98
9	25		910	1,5			0,99
10	27		500	2,0			0,965
11	10		600	1			0,96
12	21		700	1,7			0,97
13	10		800	1			0,98
14	21		550	2,1			0,96
15	33		750	3,0			0,97
16	10		450	3,4			0,94
17	21		830	1,5			0,93
18	33		910	1,1			0,98
					Таблица 5.17
		Варианты для задачи 5.17

Номер		h11Э, кОм	h12Э	h21Э			h22Э, См
варианта		h11Э, кОм	h12Э	h21Э			h22Э, См
варианта
1		2	6 · 10–4	50			2,5 · 10–5
2		5	4 · 10–4	42			5 · 10–5
3		7	5 · 10–4	33			7,5 · 10–5

Окончание табл. 5.17

Номер	h11Э, кОм	h12Э	h21Э	h22Э, См
варианта	h11Э, кОм	h12Э	h21Э	h22Э, См
варианта
4	10	7 · 10–4	45	9,5 · 10–5
5	1	6 · 10–4	20	2,5 · 10–5
6	3	4 · 10–5	38	5 · 10–5
7	6	5 · 10–4	50	7,5 · 10–5
8	1,5	7 · 10–5	60	9,5 · 10–5
9	8	6 · 10–4	70	2,5 · 10–5
10	2	4 · 10–5	80	5 · 10–5
11	7	5 · 10–4	120	7,5 · 10–5
12	5	7 · 10–5	110	9,5 · 10–5
13	12	6 · 10–4	65	2,5 · 10–5
14	6	4 · 10–6	40	5 · 10–5
15	3	5 · 10–5	30	7,5 · 10–5
16	2	7 · 10–6	60	9,5 · 10–5
17	4	6 · 10–4	90	5 · 10–5
18	5	4 · 10–4	110	7,5 · 10–5

5.18. Определить коэффициенты передачи тока для всех трех схем включения транзистора, если амплитуда переменной составляющей коллекторного тока ImК = 3,9 мА и амплитуда тока эмит-

тера ImЭ = 4 мА.

Примечание. Расчеты коэффициентов передачи БТ в различных схемах приведены в [6, 13].

5.19. Дана схема, показанная на рис. 5.19. Известно, что транзистор работает в активном режиме. Предполагая, что сопротивление резистора RЭ достаточно велико по сравнению с сопротивлением эмиттер-

ного перехода и сопротивление коллекторного перехода много больше, чем сопротивление Rн , найти коэффициент усиления по напряже-

нию KU . Током IКБО пренебречь.

Примечание. Сравнение усилительных свойств БТ в различных схемах приведено в [11], стр. 253–258.

5.20. Схема, показанная на рис. 5.20, имеет параметры RН, RЭ, EЭ, EК , численные значения которых заданы в табл. 5.20. Определить напряжение UКБ .

Rэ	Iэ				Iк						Rэ		Iэ					Iк

Uвх				R				U	Eэ	–							Rн
				R				U		–							Rн
		Iб			н			вых			+			Iб
		Iб									+			Iб		–		+
			Рис. 5.19



												Рис. 5.20
														Таблица 5.20
				Варианты для задачи 5.20

Номер	Напряжение,					Напряжение,			Сопротивление					Сопротивление
варианта	в цепи эмит-						в цепи кол-		в цепи эмитте-						нагрузки
варианта	тера E, В					лектора E, В			ра RЭ, кОм						Rн, кОм
	тера E, В					лектора E, В			ра RЭ, кОм						Rн, кОм
1	10					30			5						20
2	12					28			1,2						20
3	10					32			1,3						30
4	10					15			1,5						15
5	18					25			2,0						25
6	13					22			1,8						35
7	10					30			1						30
8	12					28			1,2						50
9	10					32			1,3						55
10	10					15			1						45
11	18					20			1,2						40
12	13					25			1						48
13	10					22			1						15
14	12					35			1,2						10
15	10					30			1,3						60
16	10					28			1,5						30
17	18					32			2,0						20
18	13					15			1,8						15

<<< < Предыдущая 1 2 34 / 104 5 6 7 8 9 10 > Следующая >>>

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]