Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
литература / метод-ка по практике для заочников.doc
Скачиваний:
0
Добавлен:
13.05.2026
Размер:
1.05 Mб
Скачать

2. Динамический режим усилительных каскадов

Усилители обычно представляют собой совокупность после­довательно соединенных усилительных каскадов, которые в свою очередь могут содержать один, два, и более транзисторов, т.е. сами по себе могут представлять достаточно сложные схемы. Однако каскад, даже сложный, нельзя разделить на более прос­тые компоненты без утраты его специфических свойств. В этом смысле каскад является элементарной ячейкой усилителя.

Расчет усилителя по переменному току состоит в определении основных параметров усилителя.

Такими параметрами принято считать:

  • коэффициент усиления по напряжению КU;

  • коэффициент усиления по току КI;

  • входное сопротивление усилителя Rвх;

  • выходное сопротивление усилителя Rвых.

Названные параметры, как правило, рассчитываются на средних частотах, т.е. в полосе пропускания усилителя, когда влиянием всех реактивных элементов схемы можно пренебречь, поскольку в полосе пропускания коэффициент усиления К0 усилителя (как по напряжению, так и по току) должен оставаться неизменным. Амплитудно-частотная характеристика (АЧХ) типичного усилителя нижних частот (УНЧ) показана на рис. 2.1. Здесь и нижняя и верхняя граничные частоты усиления усилителя, а Δf = – полоса пропускания усилителя.

Рис. 2.1. АЧХ усилителя низкой частоты

За пределами полосы пропускания усилителя его параметры КU, КI, Rвх, Rвых становятся частотнозависимыми. Для расчета параметров транзисторного усилителя вне полосы пропускания необходимо учесть инерционные свойства транзистора включением в эквивалентную схему транзистора емкостей коллекторного и эмиттерного переходов, а также реактивные элементы схемы усилителя (конденсаторы, катушки индуктивности, реактивный характер нагрузки).

Типичный каскад УНЧ с емкостной связью (рис.1.5) содержит разделительные конденсаторы Cр1 и Cр2 и блокирующий конден­сатор Сэ. Емкости этих конденсаторов оказывают влияние на работу каскада в области низких частот. В области верхних частот первостепенное значение имеют частотная зависимость коэффициента и емкость коллекторного перехода СК. Как и в других типах усилителей, при анализе выделяют область средних частот, где емкости Cр1, Cр2 и CЭ предполагаются беско­нечно-большими, СК=0, сопротивления RH и Rr – чисто активными, а коэффициент передачи – действительной ве­личиной. Эти предположения и обуславливают неизменность основных характеристик усилителя во всей полосе пропускания.

На первом этапе расчета, на основе известных математических моделей, транзисторов составляется математическая модель всей схемы (так называемая электрическая эквивалентная схема).

Для сигналов малой амплитуды (это зачастую вполне допустимо, т.к. усилители собственно и предназначены для усиления слабых сигналов) транзистор можно рассматривать как линейное устройство. Соответственно, применяются линейные (малосигнальные) эквивалентные схемы транзисторов. Такой подход существенно упрощает расчет, т.к. возможно применение хорошо развитых методов расчета линейных электрических цепей.

В частности, в этом случае транзистор можно представить в виде линейного четырехполюсника, т.е. в виде стандартной гибридной h-схемы. Можно применять и другие эквивалентные схемы транзисторов [1], [4], [5], такие, как модель Джиаколетто, Т-образные модели, но мы ограничимся именно моделью линейного четырехполюсника в h-параметрах.

В табл. 2.1 даны три схемы включения транзистора и соответствующие им эквивалентные электрические схемы в h-параметрах транзистора включенного по схеме с общим эмиттером. Схемы представлены для переменного сигнала средней области частот, а все источники постоянного напряжения заменены короткозамкнутыми цепями. В данных эквивалентных электрических схемах не учтены емкости p-n-переходов и емкость нагрузки.

Во всех схемах даны h-параметры для схемы с общим эмиттером, поскольку в справочниках чаще всего приводятся вольт-амперные характеристики транзистора именно для схемы с общим эмиттером.

Таблица 2.1

В упрощенных эквивалентных электрических схемах пренебрегаем генератором напряжения h12Э, U2, т.к. параметр h12Э мал (~10-3÷10-4), а также пренебрегаем выходным сопротивлением транзистора 1/h22Э, которое включено параллельно генератору тока (h22Э ~ 10-4÷10-5). В некоторых случаях, например при больших номиналах сопротивлений нагрузки и коллекторных резисторов, выходное сопротивление транзистора необходимо учитывать.

Эквивалентная схема, представленная для схемы включения транзистора с общим эмиттером в табл. 2.1, является универсальной для всех схем включения транзистора. Но в этом случае все h-параметры транзистора должны соответствовать именно этой схеме включения транзистора, т.е. для схемы с общей базой это должны быть h11б, h12б, h21б, h22б, а для схемы с общим коллектором – h11к, h12к, h21к, h22к соответственно.

В табл. 2.2. приведены формулы перехода от h-параметров схемы с общим эмиттером к h-параметрам схемы с общей базой или общим коллектором.

Таблица 2.2

Если в справочнике не приведены h-параметры транзистора, а даны только вольтамперные характеристики транзистора для схемы с общим эмиттером, то h-параметры определяются графическим путем с помощью заданных вольтамперных характеристик.

Последовательность расчета следующая:

1. Составляют эквивалентную электрическую схему усилителя.

2. Рассчитывают основные параметры КU, КI, Rвх, Rвых для каждого каскада усилителя по составленной эквивалентной схеме. Формулы для расчета параметров усилительного каскада, эквивалентная схема которого составлена на основе эквивалентных схем транзистора, приведенных в табл. 2.1, приведены в табл. 2.3 как в точном, так и в приближенном виде.

Таблица 2.3

Весь усилитель при этом представляется в виде последовательного соединения четырехполюсников отдельных каскадов, как показано на рис. 2.2.

Рис. 2.2. Структурная схема усилителя (трехкаскадного)

При расчетах необходимо учитывать, что входное сопротивление Rвх следующего (n+1) каскада является сопротивлением нагрузки предыдущего n-го каскада. При этом выходное сопротивление n-го каскада является сопротивлением источника сигнала для последующего (n+1) каскада.

Сказанное можно выразить следующим образом:

Rвх(n +1) = Rн(n);

Rвых(n) = Rг(n +1).

Коэффициенты усиления КU, КI всего усилителя вычисляются по формулам:

KU = KU1* KU2* KU3 ...

KI = KI1* KI2* KI3 ...

Входное сопротивление первого каскада является входным сопротивление всего усилителя. В то же время, выходное сопротивление последнего каскада определяет выходное сопротивление усилителя в целом.