![](/user_photo/_userpic.png)
книги / Наноструктуры и наноматериалы. Синтез, свойства и применение
.pdf422 |
Глава 8 |
поляризует свободные электроны относительно катионной решетки. В результате на противоположных границах (поверхностях) наночастиц появляются результиру ющие заряды, которые, в свою очередь, приводят к возникновению возвращающей силы. Таким образом возникают дипольные колебания электронов на определенной частоте. Поверхностный плазменный резонанс является дипольным возбуждением всей частицы, обусловленным отрицательно заряженными свободными электрона ми и положительно заряженной решеткой. Энергия поверхностного плазмонного резонанса зависит как от плотности свободных электронов, так и от диэлектриче ских характеристик среды, окружающей наночастицу. Ширина плазменной полосы определяется характерным временем рассеяния электрона. Для больших наноча стиц резонанс сужается, так как длина рассеяния увеличивается. Плазменная резо нансная частота благородных металлов лежит в видимом диапазоне.
Красный цвет наночастиц коллоидного золота был впервые объяснен Ми в 1908 г. [119] путем решения системы уравнений Максвелла для электромагнит ной световой волны, взаимодействующей с маленькими металлическими сфера ми. Решение этой электродинамической задачи дает совокупность поперечных сечений поглощения (экстинкции) в мультипольном приближении [117]:
°"ext |
£ ( 2 1 +1)1^ + ^ ) , |
(8.15) |
|||
|
*■ |
|
|
|
|
( |
2п Л (2Z, + 1)(| aL f +\bLf ) , |
(8.16) |
|||
|
\ к \ |
|
|
|
|
где аabs=оext - аsea и |
|
|
|
|
|
m^L{ m x ) ^ { x ) - ^ L{mxf¥L{x) |
(8.17) |
||||
m V L (mx)Tj'L (x) - |
4 ^ |
(x) |
|||
|
|||||
b |
|
|
|
(818) |
|
m W L ( mx)T]'L ( x ) - |
т У [ (IW C)TJL ( X ) ’ |
|
где m = n/nm, n - комплексный показатель преломления частицы, а п —действи тельный показатель преломления окружающей среды; к - волновой вектор, а х = кг, где г - радиус металлической наночастицы; \\iLutjL- цилиндрические функции Рикатти-Бесселя, L - индекс суммирования парциальных волн.
Уравнения (8.17) и (8.18) свидетельствуют о том, что плазмонный резонанс явно зависит от радиуса частицы г. Чем крупнее частицы, тем больше вклад от мод высших порядков, так как свет уже не может однородно поляризовать ча стицу. Эти моды высших порядков имеют максимум при более низких энергиях. Следовательно, плазмонная полоса сдвигается в красную область с увеличени ем размера частицы. В то же время ширина плазмонной полосы увеличивается с увеличением размера частиц. Увеличение как длины волны в максимуме погло
Диагностика наноматериалов и их свойства |
423 |
щения, так и ширины полосы с увеличением размера частиц подтверждается экс периментом (см. например, рис. 8.21) [120]. Такая прямая зависимость от размера частиц относится к подлинным размерным эффектам.
Длина волны X, нм
Рис. 8.21. (а) Спектр поглощения ультрафиолетового и видимого диапазонов золотых на ночастиц диаметрами 9, 22, 48 и 99 нм в воде. Все спектры нормированы на максимумы поглощения, положения которых равны 517, 521, 533 и 575 нм соответственно. (Ь) Зави симость ширины плазмонной полосы АХ от диаметра частиц [S. Link and М.А. El-Sayed, J. Phys. Chem. D103,4212 (1999)].
424 |
Глава 8 |
Размерная зависимость оптического спектра поглощения усложняется для бо лее мелких наночастиц, для которых важным является только дипольный член. Для наночастиц, размер которых много меньше длины падающего света (2г « к или, в грубом приближении, 2г <kmJ 10), в сечение поглощения дают вклад только дипольные колебания [115,116]. Теория Ми может быть упрощена до следующего выражения (дипольное приближение):
9ms 3;2Va£2(m)
К Л Ш) = |
{[£1(й7) + 2£т ]2 + £ 2(й7)2 |
(8.19) |
где V - объем частицы, со - |
циклическая частота падающего света, с - |
скорость |
света, а ети е(со) =£,(<u) + is2(co) - объемная диэлектрическая проницаемость окру жающей среды и частицы соответственно. Считается, что первая не зависит от ча стоты, но вторая является комплексной величиной и функцией энергии. Условие резонанса выполняется тогда, когда е^со) = -2ет, если е2 мала или слабо зависит от со. Уравнение (8.19) показывает, что сечение экстинкции не зависит от размера частиц, однако такая зависимость наблюдается в эксперименте [121-123]. Это не соответствие возникает, очевидно, из-за допущений теории о том, что электрон ная структура и диэлектрическая постоянная у наночастиц такие же, как у объ емных форм вещества, что более не справедливо, когда размер частиц становится чрезвычайно малым. Следовательно, теорию Ми необходимо модифицировать посредством учета квантоворазмерного эффекта в малых частицах.
В малых частицах, в которых средняя длина свободного пробега электронов проводимости больше физических размеров наночастиц, становится значитель ным рассеяние электронов на поверхности. Например, средняя длина свободного пробега электронов проводимости серебра и золота равна 40-50 нм [124] и будет ограничиваться поверхностью в частицах размерами менее 20 нм. Если электро ны упруго сталкиваются с поверхностью совершенно случайным образом, согла сованность (когерентность) плазменных колебаний нарушается. Неупругие вза имодействия электронов с поверхностью также изменяют фазу колебаний. Чем меньше частицы, тем быстрее электроны достигают поверхности частиц и могут быстрее рассеиваться и приводить к потере когерентности. В результате ширина плазменного резонанса увеличивается с уменьшением размера частиц [125,126]. Размерная зависимость поверхностного плазмонного поглощения может быть корректно объяснена уменьшением эффективной средней длины свободного про бега электрона и усилением рассеяния электронов поверхностью следующим об разом. Введем феноменологический коэффициент затухания у, который оказыва
ется функцией размера частицы [125,126]: |
|
Г =П+ —г . |
(8.20) |
где у0 - объемный коэффициент затухания, зависящий от характерного времени рассеяния электронов, А - константа, зависящая от особенностей процесса рас сеяния, vF - скорость движения электрона с энергией, равной энергии Ферми,
Диагностика наноматериалов и их свойства |
425 |
г - радиус частиц. Этот размерный эффект также считается истинно размерным эффектом, так как диэлектрическая проницаемость вещества сама зависит от раз мера. В этой области длина волны, соответствующая максимальному поглоще нию, увеличивается, но ширина полосы уменьшается с увеличением размера ча стиц (показано на рис. 8.21).
Молярный коэффициент экстинкции наночастиц золота размерами 20 нм име ет порядок ЫО’ М '-см-1 и увеличивается по линейному закону с увеличением объема частиц [123]. Такая величина коэффициента экстинкции на три или четы ре порядка выше, чем у сильнопоглощающих молекул органических красителей. Окрашивание с помощью наночастиц может иметь практические применения, и некоторые из них изучены и уже внедрены в практику. Например, цвет рубинового золотого стекла обусловлен полосой поглощения с максимумом на 0,53 мкм [127]. Эта полоса возникает из-за сферической геометрии частиц и особых оптических свойств золота, в соответствии с обсужденной выше теорией Ми [119]. Сфериче ские граничные условия частиц сдвигают резонанс к более низким частотам или к большим длинам волн. Размер золотых частиц влияет на поглощение. Для частиц, диаметр которых больше 20 нм, полоса сдвигается к большим длинам волн, так как колебание становится более сложным. Для более мелких частиц ширина по лосы постепенно увеличивается, из-за того что средняя длина свободного пробега свободных электронов приблизительно равна 40 нм, и ее эффективная величина понижается [119]. Частицы серебра окрашивают стекло в желтый цвет из-за ана логичной полосы поглощения на 0,41 мкм [129]. Полоса плазмонного поглощения частиц меди в стекле имеет максимум на 0,565 мкм [130].
В металлических нанонитях, аналогично наночастицам, наблюдается поверх ностный плазменный резонанс [131]. Однако у металлических наностержней про является две поверхностные плазменные резонансные моды, соответствующие поперечным и продольным возбуждениям. В то время как длина волны попереч ной моды по существу фиксирована и равна приблизительно 520 нм для золота и 410 нм для серебра, их продольные моды можно изменять от видимого до ближне го инфракрасного спектрального диапазона за счет изменения отношения длины к диаметру нанонитей. Было также показано, что квантовый выход флуоресценции золотых наностержней с отношением длины к диаметру 2-5,4 более чем в милли он раз выше, чем объемного материала [123].
Квантоворазмерные эффекты
Уникальные оптические свойства наноматериалов могут также возникать благодаря другим квантоворазмерным эффектам. Когда размер нанокристалла (то есть одной кристаллической наночастицы) становится меньше длины волны де Бройля, электроны и дырки оказываются пространственно ограничены, при этом формируются электрические диполи и во всех материалах образуются дис кретные электронные энергетические уровни. Подобно частице, находящейся в потенциальном ящике, расстояние между соседними энергетическими уровнями
426 |
Глава 8 |
увеличивается с уменьшением размеров. На рис. 8.22 схематично показаны та кие дискретные электронные конфигурации в нанокристаллах, нанонитях и тон ких пленках. Электронные конфигурации в наноматериалах заметно отличаются от их объемных аналогов. Эти изменения возникают из-за изменений плотности электронных энергетических уровней с изменением размера частиц, а проявляют ся эти изменения в сильных зависимостях оптических и электрических свойств от размеров [133, 134]. Нанокристаллы соответствуют положению где-то между пределами атомной (или молекулярной) дискретной плотности электронных со стояний и квазинепрерывных энергетических зон протяженного кристалла [135]. Для любого материала существует характерный размер, ниже которого начина ется существенная зависимость фундаментальных электрических и оптических свойств от размеров, если расстояние между энергетическими уровнями превы шает тепловую энергию. Для заданной температуры в полупроводниках это про исходит при очень больших размерах (в нанометровом диапазоне) по сравнению с металлами и диэлектриками. В случае металлов, у которых уровень Ферми лежит в центре энергетической зоны и соответствующие расстояния между энергетиче скими уровнями чрезвычайно малы, электронные и оптические свойства более напоминают свойства континуума даже при очень малых размерах (в десятки или сотни атомных) [136,137]. В полупроводниках уровень Ферми лежит в запрещен ной зоне, так что края зон оказывают определяющее влияние на оптические свой ства при низких энергиях и на электрические свойства. Оптические возбуждения
Рис. 8.22. Схематичное изображение дискретных электронных конфигураций в нанокри сталлах, нанонитях и тонких пленках и увеличения запрещенной зоны между валентной зоной и зоной проводимости.
Диагностика наноматериалов и их свойства |
A ll |
через запрещенную зону сильно зависят от размеров, даже для кристаллитов, со стоящих из 10 000 атомов. Для диэлектриков ширина запрещенной зоны велика уже в объемной форме.
Квантоворазмерный эффект более выражен у полупроводниковых наночастиц, у которых ширина запрещенной зоны увеличивается с уменьшением размера, что приводит к сдвигу межзонных переходов к большим частотам [138-141]. В полу проводнике ширина запрещенной зоны, то есть разность энергий между потолком полностью заполненной валентной зоны и дном пустой зоны проводимости, име ет порядок нескольких электрон-вольт и резко увеличивается с уменьшением раз мера [138]. На рис. 8.23 представлены спектры поглощения и фотолюминесценции нанокристаллических частиц InP разных размеров [13]. Очевидно, что как край по глощения, так и положение максимума фотолюминесценции сдвигаются к большим энергиям с уменьшением размера частиц. Такая размерная зависимость положения полосы поглощения широко используется для определения размера нанокристал лов. На рис. 8.24 представлены экспериментальная [142] и расчетная [143, 144] за висимости ширины запрещенной зоны кремниевых нанонитей от их диаметра.
Рис. 8.23. Зависимость оптического поглощения и спектров фотолюминесценции нано кристаллов InP от размеров частиц. Спектры ФЛ содержат высокоэнергетичную краевую полосу излучения и низкоэнергетичную полосу, связанную с ловушками. На врезке даны нормированные спектры ФЛ последовательности образцов с уменьшающимися размера ми, на которых виден постепенный голубой сдвиг краевой полосы излучения с уменьше нием размеров нанокристаллов. Образцы были обработаны в дециламине и выдержаны на воздухе [A.A. Guzelian, J.E.B. Katari, А.V. Kadavanich, U. Banin, К. Hamad, E. Juban, A.P. Alivizatos, R.H. Wolters, C.C. Arnold, and J.R. Heath, J. Phys. Chem. 100, 7212 (1996)].
428 |
|
|
Глава 8 |
|
|
|
|
|
4-1 |
|
+ |
|
| |
Эта работа |
|
||
- |
|
|
~ |
(эксперимент) |
|
|||
3- |
|
|
|
^ Расчеты |
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
03 |
|
|
|
|
|
|
|
|
Г) |
|
|
|
|
|
|
|
|
2 - |
|
|
|
|
|
|
|
|
О) |
|
|
+Ф |
|
|
|
|
|
ш |
|
|
|
|
|
4. |
|
|
1 - |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0 - "1 Г Н ...Г"ТЧ" Т"1" 1..Т"|""Г |
1...11 |
|||||||
0 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
d (нм)
Рис. 8.24. Зависимости ширины запрещенной зоны кремниевых нанонитей от их диаме тра, в том числе экспериментальные результаты [D.D.D. Ма, C.S. Lee, F.C.K. Au, S.Y. Tong, and S.T. Lee, Science 299, 1874 (2003)]и результаты расчета [AJ. Read, RJ. Needs, KJ. Nash, L.T. Canham, P.D.J. Calcott, and A. Qteish, Phys. Rev. Lett. 69,1232 (1992) and B. Delley and E.F. Steigmeier, Appl. Phys. Lett. 67, 2370 (1995)].
Аналогичный квантоворазмерный эффект известен для металлических на ночастиц [145, 146], но для того чтобы наблюдать в этом случае локализацию энергетических уровней, размер их должен быть меньше 2 нм, так как расстояние между уровнями должно быть больше тепловой энергии (~26 мэВ). В металле зона проводимости наполовину заполнена и плотность энергетических уровней настолько велика, что заметное разделение энергетических уровней внутри зоны проводимости (определяемое по внутризонным переходам) наблюдается только тогда, когда наночастица состоит из — 00 атомов. Если размер металлической на ночастицы удается сделать достаточно малым, непрерывная плотность электрон ных состояний распадается на дискретные энергетически уровни. Расстояние д между энергетическими уровнями зависит от величины уровня Ферми металла Ер
иот числа электронов в металле N следующим образом [147]:
ауровень Ферми Ер в большинстве металлов приблизительно равен 5 эВ. Дис кретные электронные энергетические уровни в металлических наночастицах на блюдались в экспериментах по поглощению золотых наночастиц в далекой инфра красной области [148]. При конечных размерах наблюдается эволюция свойств металлов от атомного уровня до объемного твердого состояния.
Диагностика наноматериалов и их свойства |
429 |
Когда диаметр нанонитей или наностержней становится меньше длины волны де Бройля, размерное ограничение начинает играть в них такую же важную роль в определении положений энергетических уровней, как и в нанокристаллах. На пример, край поглощения кремниевых нанонитей претерпевает заметный голубой сдвиг, вблизи него появляются узкие дискретные особенности, кроме того, в крем ниевых нанонитях также наблюдается относительно сильная «краевая» фотолю минесценция [149-151].
В дополнение в размерному ограничению свет, излучаемый из нанонитей, сильно поляризован вдоль их оси [152-154]. На рис. 8.25 видна отчетливая ани зотропия интенсивности ФЛ, зарегистрированной при поляризациях, параллель ной и перпендикулярной большей оси отдельных изолированных нанонитей фосфида индия (InP) [152]. Величина анизотропии поляризации может быть ко личественно объяснена большим различием между диэлектрическими проница емостями нанонити и окружающей среды, в отличие от квантовомеханических эффектов, таких как смешение валентных зон. Как отмечалось в главе 3, при опи сании наночастиц часто используются другие термины. Так, нанокристаллами называют одиночные монокристаллические наночастицы. Квантовыми точками называют маленькие частицы, в которых наблюдаются квантоворазмерные эф фекты. Аналогично квантовыми нитями называются нанонити, в которых наблю даются квантовые эффекты.
1_1__ I___I__ I___I__ I___,|Ц _________I___I__ I___I__ I___I—
1.21.4 1.6 1.8 1.2 1.4 1.6 1.8
Энергия (эВ) |
Энергия (эВ) |
Рис. 8.25. Спектры возбуждения (А) и фотолюминесценции (В) отдельной нанонити фос фида индия диаметром 15 нм. Поляризация возбуждающего лазерного излучения соответ ствует ориентации вектора напряженности вдоль (сплошная линия) и перпендикулярно (штриховая линия) большой оси этой нанонити соответственно. На врезке представлена зависимость отношения спектров, зарегистрированных при разных поляризациях, от энер гии [J.F. Wang, M.S. Gudiksen, X.F. Duan, Y. Cui, and C.M. Lieber, Science 293,1455 (2001)].
430 |
Глава 8 |
8.4.4. Элект ропроводност ь
Влияние размера на электропроводность наноструктур и наноматериалов является сложным, так как основано на различных механизмах. Эти механиз мы можно разделить на четыре группы: поверхностное рассеяние, включая рас сеяние на границах зерен, квантование проводимости, включая баллистическую проводимость и кулоновскую блокаду, уширение и дискретизация запрещенной зоны и изменение микроструктур. Кроме того, более высокое совершенство, а именно - меньшее количество примесей, структурных дефектов и дислокаций, также влияет на электропроводность наноструктур и наноматериалов.
Поверхностное рассеяние
Проводимость в металлах, или омическая проводимость, может быть объясне на различными видами рассеяния электронов, а полное удельное сопротивление рТметалла является суммой двух независимых вкладов, что известно как правило Маттиссена:
Рт = Р т н + Ро |
(8-22) |
где рп - тепловая составляющая удельного сопротивления, а р - удельное со противление вследствие рассеяния на дефектах. Столкновения электронов с ко леблющимися атомами (фононами), смещающимися из положений равновесия в решетке, являются источником теплового или фононного вклада, который ли нейно увеличивается с температурой. Атомы примесей, дефекты типа вакансий и границы зерен локально нарушают периодический электрический потенциал решетки и вызывают эффективное рассеяние электронов, которое не зависит от температуры. Очевидно, удельное сопротивление вследствие рассеяния на дефек тах можно далее подразделить на удельное сопротивление, вызванное примесями, дефектами решетки и границами зерен. Если считать, что каждая составляющая электрического удельного сопротивления прямо пропорциональна соответствую щей средней длине свободного пробега (Я) между столкновениями, правило Мат тиссена может быть переписано в следующем виде:
_L-_L _L |
(8.23) |
^ Т A T h |
|
Теория предполагает, что Хтизменяется от нескольких десятков до сотен на нометров. Уменьшение размеров вещества окажет двоякое влияние на прово димость. Одно из них заключается в увеличении совершенства кристалла или уменьшении количества дефектов, что проявится в уменьшении рассеяния на дефектах и, таким образом, уменьшении удельного сопротивления. Однако рас сеяние на дефектах дает малый вклад в полное удельное сопротивление металлов
Диагностика наноматериалов и их свойства |
431 |
при комнатной температуре и, таким образом, уменьшение количества дефектов оказывает малое влияние на удельное сопротивление, которое часто не обнаружи вается в эксперименте. Другое влияние заключается в появлении дополнительно го вклада в полное сопротивление из-за рассеяния на поверхности, которое играет очень важную роль в полном удельном сопротивлении материалов нанометровых размеров. Если средняя длина свободного пробега электрона Лу, определяемая по верхностным рассеянием, имеет наименьшее значение, то она будет определять и величину полного удельного сопротивления:
_L-_L |
_L J_ |
(8.24) |
^ Т ^T h |
AS |
|
В нанонитях и тонких пленках поверхностное рассеяние электронов приво дит к снижению удельной электропроводности. Когда критический размер тон ких пленок или нанонитей становится меньше средней длины свободного пробега электрона, движение электрона прерывается при столкновениях с поверхностью. Электроны претерпевают упругое или неупругое рассеяние. При упругом рассея нии, также известном как зеркальное, электроны отражаются так же, как фотоны отражаются от поверхности зеркала. В этом случае электроны не теряют своей энергии и их импульс и скорость в направлении, параллельном поверхности, со храняются. В результате электропроводность остается такой же, как в объеме, и в электропроводности не проявляется размерный эффект. Когда рассеяние полно стью неупругое, иначе называемое незеркальным, или диффузным, средняя длина свободного пробега электрона определяется столкновениями с поверхностью. По сле соударений траектория электрона не зависит от направления падения, а угол рассеяния является случайной величиной. Следовательно, рассеянный электрон теряет компоненту своей скорости, параллельную поверхности, и электропровод ность уменьшается. В этом случае в поведении электропроводности наблюдается размерный эффект.
На рис. 8.26 изображена модель Томпсона [155] неупругого рассеяния электро нов на поверхности пленки при толщине пленки d, меньшей средней длины сво бодного пробега электронов л0 в объеме. Средняя величина Я дается выражением:
|
1 |
fd |
dz Г Asin Odd, |
(8.25) |
*/ = |
— |
Г |
||
2 d Jo |
Jo |
|
После интегрирования мы получаем:
1 |
3 |
(8.26) |
2d |
+ - |
|
K d ) 2 |
|
Окончательно отношение удельных сопротивлений пленки и объема вещества равно