Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Фудим Е.В. Пневматическая вычислительная техника. Теория устройств и элементов

.pdf
Скачиваний:
34
Добавлен:
25.10.2023
Размер:
16.26 Mб
Скачать

260

ЭЛЕМЕНТЫ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНОЙ Т Е Х Н И К И

[Гл. m

В связи с этим при малых RyT и даже небольших пе­ репадах Др погрешность Д у т растет со временем запоми­ нания, и необходимо предпринимать специальные меры для уменьшения утечек.

Для снижения утечек необходимо уменьшить перепад Др между давлением в камере и окружающей ее средой. С этой целью в [118] используют дополнительный пере­ ключатель, который во время запоминания уменьшает

1Реш

Рис. 9.28. Схема элемента памяти с уменьшенными утечками.

перепад на контакте за счет введения на его вход выхода задержки, и камеру ^помещают в полость с выходным дав­ лением (рис. 9.28).

Уменьшение погрешности от изменения температуры газа в камере и атмосферного давления может быть до­ стигнуто за счет усложнения повторителя и введения до­ полнительного контакта, работающего синхронно с основ­ ным и предназначенного для запоминания атмосферного давления при начальной температуре 6И (рис. 9.29). Для диапазона избыточных давлений 0,2—1 кгс/см2 мини­ мизация абсолютной ошибки от температуры достигается при отношении 1,6 : 1 эффективной площади для давле­ ния Ратм.н к эффективной площади для запоминаемого давления * ) . При этом погрешность равна нулю в середи­ не рабочего диапазона (для давления, в 1,6 раза превы­ шающего атмосферное), а при крайних давлениях рабо­ чего диапазона погрешность снижается примерно в 3 -=- 5 раз и равна при комнатных температурах примерно

*) При этом эффективная площадь средней мембраны в 2,6 раза больше эффективной площади каждой крайней мембраны.

В С П О М О Г А Т Е Л Ь Н Ы Е Э Л Е М Е Н Т Ы

261

1 мм рт. ст./°К. Уравнение, реализуемое таким повтори­ телем элемента памяти, имеет вид:

Рвых — Рпх"т;

1)6ратм.н"рГ ^братм-

 

и п

° п

При р~атм =

const

 

 

 

О — 0„

 

Рвых = Pux Н

н (Рвх — 0,6рП ти),

 

о — о„

 

А-атм — fj

(Рвх 0,6ра тм)-

Е С Л И р а

т м = 1 кгс/см2

и 9Ц = 290 °К, максимальная по­

грешность при изменении температуры на 1 °К составляет

 

Рис. 9.29. Схема элемента памяти

с

уменьшенны­

 

ми погрешностями

от изменении

температуры и

 

 

 

атмосферного давления.

 

 

+4000/290 «

+ _ 13 ,6 ли» вод. C T ^

K

^ + I

ММ рт. с т . / ° К .

Это

в ( р в х

Н- Ратм)/(Рвх

— 0, 6 р а т м )

раз

меньше, чем

в обычной

схеме;

для р в х = 1 кгс/см2

температурная

погрешность

снижается в 5 раз. Попутно

снижается на

40%

и изменяет знак на противоположный погрешность

от атмосферного давления. Если 9 =

const, то

 

 

Рвых =

Рвх

1)6ратм.н ~Ь 1>6ра т м)

 

 

Рвых =

Рвх

1,6ра т м.н ~Ь О^Ратм,

 

Аатм — Рвых

Рвх =

0,6 (Ратм

Ратм.н) =

0,6Дра тм.

Достаточно полная компенсация температурной по­ грешности может быть получена за счет применения ем­ кости, объем которой изменяется пропорционально аб­ солютной температуре. На рис. 9.30 показана схема, в которой для изменения объема применена герметизи­ рованная газонаполненная камера 2, расположенная

262

ЭЛЕМЕНТЫ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНОЙ Т Е Х Н И К И

[ГЛ. I I I

между двумя сильфонами. Давление р2 и эффективная площадь s2 в камере 2 выбраны достаточно большими,

Рис. 9.30. Схема элемента памяти с компенсацией температурной погрешности посредством измене­ ния объема камеры запоминания.

так что перемещение h дна сильфонов можно

считать

зависящим только от давления р2 в камере 2:

 

hzzszpjc,

(9.5)

где с — жесткость пары сильфонов.

Перемещение h незначительно влияет на объем V2

камеры 2 * ) , и

поэтому

 

 

Р ъ - ^ в ,

(9.6)

где N — количество молекул газа в камере

2.

Объем камеры 1 элемента памяти выполняется таким

образом, чтобы

он был пропорционален h:

 

где Sx — сечение камеры 1; V10 — •^^/>атм.ор.

При этом, используя уравнения

(9-5) и (9.6) и учиты­

вая, что р2

= рг

+ Ратм. имеем:

 

 

 

 

 

 

„ _

Sisu

/ Ж й

\ S,S2

 

_

 

 

 

 

' 1

~

\

D

Ратм I "1

7Q Рати., ср —

 

 

 

 

 

 

 

 

 

SiSzNk

1S1S2

, -

 

-

v

 

 

 

 

у^с

0

~

(.Ратм

Ратм. cpj-

Ч л е н — ^ ^ - ( ^ " а т м — Р а т м . с р )

указывает

на

возможность

частичной компенсации погрешности от колебаний атмо­ сферного давления. Если же камера 3 соединена с источ-

*) К камере может быть подсоединен сосуд с достаточно боль­ шой емкостью.

ВСПОМОГАТЕЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ

263

пиком абсолютного давления или вакуумирована, то при соответствующем значении Vl0 ^

хVic

Если непрерывный сигнал должен быть запомнен на очень большое время, то целесообразно запоминать не

Pt

1*Р

Рь

а)

Pt

[7> р~1

П Рйш

Pt)

1 >

t>— 4

Рис. 9.31. Структурные схемы элемента памяти с запоминанием перемещения.

давление, а перемещение. Такой элемент памяти должен, естественно, содержать преобразователь давления в пере­ мещение, преобразователь перемещения в давление и пе­ реключатель П, который в зависимости от управляющего сигнала пропускает на выход текущее значение или запом­ ненное значение давления (рис. 9.31, а).

Преобразование перемещения в давление чаще всего осуществляется с помощью усилителя, входами которого являются перемещения, а выходом — давление, в резуль­ тате чего структура элемента памяти имеет вид, показан­ ный на рис. 9.31, б. Применяя один преобразователь.

264

ЭЛЕМЕНТЫ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНОЙ Т Е Х Н И К И

[ГЛ. I I I

р -*-1 вместо двух, приходим к структуре 9.31, в, приме­ ненной в элементе памяти, описанном в [85]. Конструк­ тивная схема этого элемента памяти приведена на р и с 9.32. Преобразование давления в перемещение выполня­ ется с помощью сильфопа 1, крышка 3 которого переме­ щает стержень 5, и пружины 2. Стержень 5 прижимается

-X-

У/Л -///

Рис. 9.32. Конструктивная схема элемента памяти с запоминанием перемещении.

к крышке 3 пружиной 4. Запоминание перемещения (фиксация стержня 5) осуществляется цанговым зажимом 6, который сжимается под воздействием пружины 8 фигур­ ным жестким центром 7 при pt = 0, т. е. когда усилие от давления pt в камере 10 на мембрану 9 отсутствует.

Схема преобразователя перемещения в давление выне­

сена на рис. 9.33. Разность

запомненного

перемещения

Z3 a n и Z, пропорционального

давлению р,

преобразуется

в сопротивление с помощью

узла сопло-шарик. Это со-

ВСПОМОГАТЕЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ

265

противление вместе с нерегулируемым сопротивлением Рц образует делитель, выходное давление pt которого опре­ деляется разностью I — Z3 a n . В установившемся состоя­ нии мембрана усилителя 11 уравновешена:

 

 

р , + F/S =

рп „т,

где S — эффективная площадь

 

мембраны; F — усилие

пружины усилителя

11.

 

 

 

Охват усилителя

отри­

р*1

Я,

цательной обратной связью

 

 

осуществляется с помощью

 

 

I f *

преобразователя

р

-»- Z,

 

 

определяющего

перемеще­

 

 

 

ние сопла 12 относительно

 

 

 

шарика 13.

 

 

Рис. 9.33. Схема преобразователя пере­

В элементе памяти, опи­

 

 

мещения в давление.

 

 

 

санном в [42], избыточное давление преобразуется в количество газа, которое запоми­

нается. Это позволило хранить газ при атмосферном дав­ лении, что практически устраняет утечки и погрешность от колебаний атмосферного давления и частично снижает

температурную погрешность. Считывание результатов в виде давления осуществляется по специальной команде

посредством преобразования

запомненного

количества

газа в давление.

 

 

Схема элемента памяти приведена на рис. 9.34. Для

преобразования давления в

количество газа

применен

266

ЭЛЕМЕНТЫ

ВЫЧИСЛИТЕЛЬНОЙ Т Е Х Н И К И

[ Г Л .

l i t

преобразователь по

рис. 8.13, а. Камера 8 и контакт

7

введены для считывания результата в виде давления

рвых-

Переключатель 6 служит для сообщения входа клапана 2 с атмосферой во время запоминания с целью повышения надежности клапана.

Работает элемент памяти следующим образом. После считывания и сброса замыкается контакт 1 и емкость 5

кг

кг И гИ f-1

Рпс. 9.35. Элемент памяти с хранением количества газа, пропорционального абсолютному давлению: а) схема; б) циклограмма.

(верхняя полость) заполняется газом с атмосферным дав­ лением. Когда при разомкнутом контакте 1 замыкается контакт 2 и нижняя полость емкости 5 сообщается с дав­ лением рвх, в ней оказывается количество газа NBX рвхУ/Ы, которое и запоминается после размы­ кания контакта 2. Во время хранения порции газа NBX контакт 1 замкнут и давление в нижней полости практи­ чески равно атмосферному. Утечки из этой полости пре­ небрежимо малы, так как на клапанах 2 и 4 и других элементах перепад давлений близок к нулю.

Считывание результата запоминания в виде давления Рвы* выполняется посредством вытеснения газа в каме­ ру 8 при подаче сигнала pt4. Заметим, что при объеме камеры 8 Va =f= V выходное давление может отличаться от входного в требуемое количество раз.

При запоминании количества газа, пропорционального абсолютному давлению, погрешности от колебаний атмо­ сферного давления и температуры не устраняются, однако схема проще (рис. 9.35). От простейшего элемента памяти (рис. 9.27, а) данный отличается наличием емкости с вялой мембраной, которая предназначена для установления во время хранения газа атмосферного давления, и переключа­ теля П для уменьшения утечек по контакту.

Запоминание количества газа открыло возможность создания достаточно простой и точной линии задержки —

ВСПОМОГАТЕЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ

267

она содержит ряд емкостей с вялой мембраной, через ко­ торые последовательно передается порция газа, пропор­ циональная входному давлению. Схема с так называемыми диодными емкостями, пропускающими газ только в одном направлении [81], приведена на рис. 9.36. Управляющие камеры У емкостей через одну соединены между собой и с источниками управляющих тактовых сигналов pt и pt.

Pt

 

Рис. 9.36. Схема линии задержки.

 

При р г =

0 входная порция газа./УВ Х ) 1

проходит в ниж­

нюю полость емкости 1, так как давление

в ее управляю­

щей полости

У равно нулю. При pt =

1 порция i V B X ) 1

из нижней полости емкости 1 вытесняется в нижнюю по­ лость емкости 2, поскольку давление в ее полости У равно нулю. В последующем такте в нижнюю полость емкости 1 поступает порция NnXt2, а порция NBXyl перейдет в ниж­ нюю полость емкости 3. В результате через п тактов сигнала pt порция, поступающая на вход, проходит на выход линии.

Присоединив на входе такой линии задержки преобра­ зователь давления в количество газа, а на выходе — пре­ образователь, количества газа в давление, получаем блок прерывистого запаздывания, реализующий уравнение

Рвых {t +

пх) = Рвх (*),

где т — постоянный период сигнала

pt.

Рассмотренная линия

задержки

количества газа по­

строена по структуре с последовательным соединением задержек на такт. Каждая пара емкостей с диодными свой­

ствами

является

задержкой на такт количества газа, в

которой

одна из

емкостей помнит в

полутакте,

когда

pt 0,

а другая

— в полутакте, когда

р, = 1 (pt

= 0).

Блок запаздывания, описанный в [93], представляет собой последовательную цепочку из п задержек на такт

268

ЭЛЕМЕНТЫ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНОЙ Т Е Х Н И К И

[ГЛ. I I I

по рис. 9.27, г. В целях уменьшения погрешности от после­ довательного прохождения давления через 2п повтори­ телей можно строить блок запаздывания по схеме с па­ раллельным соединением задержек на такт и общим вы­ ходным повторителем [93] (рис. 9.37). Задержки на такт

Рок J \ l 4

II

ТТ

Ре>,

P n c .

9.37. Схема блока

запаздывания,

построен­

ного

пз параллельной

цепочки задержек

на такт.

в этой схеме управляются не общим сигналом, а разными кратковременными сигналами, поступающими от обе­ гающего устройства и сдвинутыми на постоянный интер­ вал времени т. Клапаны одной и той же задержки на такт (i и i + п) открываются со сдвигом

/ на интервал времени пх, который

 

представляет собой время запаздыва­

 

ния — в

моменты

sx

запоминается

 

входное давление, в моменты (i

+ п)%

 

оно передается

на выход.

 

 

 

У с т р о й с т в а

д л я

 

к о м ­

 

м у т а ц и и

в р у ч н у ю

(«п р о-

Рис. 9.38. Схема для ком­

з в о н а » )

и

 

а в т о м а т и ч е ­

с к и . Поскольку

изолятором в пне­

мутации с помощью иглы

(J) и самоуплотняющего­

вматике

являются

твердые

тела,

ся участка (2) канала (з).

 

организация новых

подсоединений

к пневматическим

линиям усложнена. Наиболее

простым

представляется выполнение небольшого участка линий из самоуплотняющегося материала, который позволил бы организовать коммутацию за счет введения иглы с осе­ вым каналом (рис. 9.38).

Широко применяется, например, при монтаже регуля­ торов завода «Тизприбор» и элементов фирмы «3iemens» штеккерная коммутация, при которой уплотнение иглы

ВСПОМОГАТЕЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ

269

осуществляется с помощью резинового кольца, а само­ уплотнение после вывода иглы — шариком, прижимае­ мым пружиной к кольцу.

Возможен «прозвон» с помощью простых управляемых вручную клапанов, например, на основе упругой проги­

баемой

стенки.

Такое

кон­

 

 

структивное решение показа­

 

 

но на

рис.

9.39;

когда

винт

 

 

1 вывернут, упругая стенка-

 

 

заслонка 2 находится на не­

 

 

котором

расстоянии от

мяг­

 

 

кого сопла 3 — линии 4

и 5

 

 

соединены;

при

ввернутом

 

 

винте 1 линии не соединены

 

 

между

собой.

 

 

Рис. 9.39. Схема для

«прозвопа» с

В тех

случаях, когда до­

помощью клапана о

прогибаемой

пустимо

прекращение работы

вручную заслонкой.

 

 

схемы, применяют узлы типа переключателей с переме­ щаемой колодкой 1 (рис. 9.40). При положении колодки,

[Рис. 9.40. Схема переключателя с перемещаемой колодкой.

показанном на рис. 9.40, а, паз 4, выполненный в колодке 1, соединяет линии 2 и 3 корпуса 5. При положении колодки, показанном на рис. 9.40, б, линии 2 и 3 не соединены.

При другом выполнении пазов и соответствующем количестве отверстий, ведущих к линиям, можно осуще­ ствлять вручную перекоммутацию требуемого количества линий (см., например, регуляторы АУС и «Старт»). Пере­ коммутация ряда линий без останова работы схемы воз­ можна при применении устройств для «прозвона» по одно­ му на каждую входную линию. Реализуемы, естественно,

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ