книги из ГПНТБ / Барсуков Ф.И. Элементы и устройства радиотелеметрических систем
.pdfПогрешности индукционных преобразователей |
опре |
|||||
деляются изменением |
интенсивности |
магнитного |
поля |
|||
с течением времени (эта |
погрешность устраняется пе |
|||||
риодической регулировкой магнитных шунтов) и |
изме |
|||||
нением сопротивления обмотки. |
|
(термопары). |
||||
Термоэлектрические |
преобразователи |
|||||
Принцип действия преобразователей |
этого типа |
основан |
||||
|
на |
явлении термоэлектрического |
||||
|
эффекта. Сущность этого эффек |
|||||
|
та |
состоит в том, |
что если два |
|||
|
разнородных |
проводника |
соеди |
|||
Рис. 2-15. Схема вклю |
нить и место соединения нагреть, |
|||||
чения термопары. |
то на свободных «холодных» кон |
|||||
|
цах этих проводников (рис. 2-15) |
|||||
|
появится э. д. с. Величина |
этой |
э. д. с. зависит от материалов проводников и от разности температур соединенных (/°0) и свободных (А) концов. Два таких спаянных одними концами разнородных про водника называют термопарой.
Зависимость э. д. с. термопары от температуры сое диненных ее концовпри строго постоянной температуре свободных концов определяется путем градуировки. Если такая зависимость известна, то по измеренному значению э. д. с. термопары молено определить темпера-. туру ее соединенных концов, которые помещаются в исследуемую среду.
Для изготовления термопар могут применяться раз нообразные материалы. Выбор их определяется в каждом конкретном случае следующими показателями: механической и химической устойчивостью при высоких температурах; хорошей электропроводимостью; постоян ством термоэлектрических свойств; однозначной зависи мостью термо-э. д. с. от температур; достаточной чув ствительностью термопары. .
Сравнение термочувствительности материалов произ водят по образующейся термо-э. д. с. в паре с платиной (принятой за эталон) при температуре свободных кон цов, равной 0°С, и при температуре соединенных концов 100 °С.
Для измерения высоких температур (температур расплавленных металлов) применяются термопары из жароупорных материалов: -уголь — карбид кремния (до 1800°С) или лее вольфрам-молибден (до 2 100°С). Вольфрамо-молибденовые термопары обладают чувстви-
60
Тельностыо 8 мкв/ 1°С. Высокие температуры измеряются также с помощью вольфрамо-иридиевых сплавов (до 2 100 °С), имеющих высокую чувствительность 25 мкв/ 1 °С.
Температуры до 1800°С измеряются с помощью тер мопар из благородных металлов. Наибольшее примене ние среди них находят платино-платинородиевые термо пары (до 1 600°С), с чувствительностью 9 мкв/\°С.
Для измерения сравнительно низкихтемператур — до 1000°С используются термопары из черных и цвет ных металлов.
Предельные температуры применения термопар за висят не только от свойств ее электродов, но и от кон струкции приемной части преобразователя (армировки), длительности применения и свойств ■среды, в которой опа работает.
Погрешность измерения температур с помощью тер мопар обусловливается в основном изменением темпе ратуры свободных концов термопары. От свободных концов термопары термо-э. д. с. подводится к электри ческому измерительному прибору посредством соедини тельных проводов. Если материалы проводов и соеди няемые с ними материалы электродов термопары разно родны, то в местах соединения также будет возникать термо-э. д. с., величина которой зависит от температуры среды, окружающей выводы. Термо-э. д. с., наведенная на свободных (холодных) концах термопары, будет алгебраически складываться с основной э. д. с.,' харак теризующей измеряемую температуру, и тем самым вно сить искажения в измерения.
Уменьшение погрешности термопары за счет измене ния температуры свободных концов можно получить, используя специальные термокомпенсирующие мостовые схемы.
Инерционность термопар определяется их конструк цией, условиями теплообмена с окружающей средой и свойствами этой среды. Постоянные времени термопар в зависимости от конструкции могут быть от десятка миллисекунд до нескольких сотен секунд.
Для увеличения чувствительности термоэлектрическо го преобразователя в нем используется не одна, а не сколько включенных электрически последовательно тер мопар.
Пьезоэлектрические преобразователи. Некоторые ди электрики под действием механических напряжений или
61
деформаций электризуются. ГІри снятии механических усилий или деформаций диэлектрик снова восстанавли вает свою электрическую нейтральность. Такие диэлек трики называются пьезоэлектриками, а сам эффект воз никновения электрических зарядов в диэлектриках при их механической деформации называется пьезоэффектом.
Наиболее существенно пьезоэффект проявляется у турмалина, кварца, сегнетовой соли, дигидрофосфата аммония, дпгндрофосфата калия и этплеидиаминтетрата. В последнее время получили распространение пьезоэлементы из поляризованной керамики титаната бария и пьезокерамики на основе метаннобатов свинца и ба рия. Наиболее широко в качестве пьезоэлементов ис пользуются пластинки, вырезанные определенным обра зом из кристалла кварца и изготовленные из керамики титаната бария.
Пластинка должна быть вырезана из кристалла та ким образом, чтобы при действии силы образующаяся на гранях разность потенци алов была пропорциональна величине, упругих напряже ний и не зависела от площа
ди пластинки. Конструктивная схема
пьезоэлектрического преоб разователя приведена на рис. 2-16,а.
На рис. 2-16,6 приведена эквивалентная схема пьезо электрического преобразова
Рис. 2-16. Пьезоэлектрический
теля, где Я — результирую
щее сопротивление утечки схема; б — (образуется из поверхностно го и объемного сопротивле ний пьезоэлемента преобра
зователя, сопротивления изоляции и входного сопротивле ния измерителей схемы) и С—Сі + Съ—суммарная емкость преобразователя (Сі — емкость конденсатора, образуемо го электродами и пластинкой; С2 — входная емкость из мерительной схемы датчика).
Через сопротивление R часть зарядов, образуемых на поверхности пьезоэлемента при его деформации, стекает.
Величина разности потенциалов, образующаяся меж ду металлическими электродами, сжимающими пластин-
62
ку, определяется .выражением |
|
|
|
|||
|
|
и=ьв Сі +F |
С2 ’ |
(2-28) |
||
где |
бе — пьезоэлектрический модуль |
(бе=2,1 • ІО-12 |
к/н |
|||
для |
кварца, |
бе= 300 ■10~12 к/н для |
сегнетовой соли |
и |
||
бе== 107 • 10~12 |
к/н для |
керамики |
титаната бария); F — |
|||
усилие. |
|
преобразователи при измерении |
||||
Пьезоэлектрические |
вносят амплитудную, частотную и фазовую погрешности. Амплитудная погрешность вызывается не определенностью сопротивления утечки R. Частотной погрешностью пьезо
электрического |
преобразователя можно |
практически |
пренебречь, если выполняется следующее |
неравенство: |
|
|
со3Я2С2» 1 , |
(2-29) |
где о) — круговая |
частота изменения исследуемого про |
цесса.
Это неравенство может выполняться в двух случаях: при сравнительно небольшой постоянной времени (RC) преобразователя, но при высокой частоте изменения <о •исследуемого процесса; при .исследовании низкочастотно го процесса преобразователем с большой постоянной времени x = RC.
Таким образом, пьезоэлектрические преобразователи могут успешно использоваться при исследовании срав нительно высокочастотных процессов, изменяющихся с частотой до 7—10 кгц (при этом частота собственных колебаний преобразователя должна быть около 100 кгц).
•При использовании преобразователя для исследования низкочастотных процессов надо позаботиться о расшире нии частотного диапазона измеряемых величин в сторо ну низких частот. Для этого следует увеличивать посто янную времени преобразователя. Кроме того, с целью уменьшения частотной погрешности измерения необходи мо, чтобы ѳго постоянная времени была значительно больше периода изменения измеряемой величины.
Постоянную времени преобразователя предпочтитель нее повышать, улучшая изоляцию пластин путем герме тизации, пьезоэлементов и т. п. Это увеличит сопротивле ние утечки R. Постоянную времени преобразователя' можно повысить также, увеличивая входную емкость из мерительной схемы, но при этом уменьшится чувствитель ность преобразовании.
дЗ
Фазовая погрешность возникает из-за того, что вы- -ходной сигнал пьезоэлектрического преобразователя оказывается сдвинутым во времени (по фазе) относи тельно исследуемого воздействия. Величина этого сдвига определяется выражением
<р = —— arctg' mCR, |
(2-30) |
где ер —сдвиг фаз между выходным напряжением преоб разователя и входным преобразуемым воздействием (деформацией пьезоэлемента).
Фазовые искажения выходного сигнала преобразова теля уменьшаются с увеличением со, С и R.
В целях уменьшения погрешности преобразования с помощью пьезоэлектрического преобразователя он дол жен нагружаться на высокоомную цепь.
Пьезоэлектрические преобразователи используются, например, для измерений ускорении, вибраций, давлений и т. п. Погрешность измерений может доходить до не скольких процентов (3—5%).
2-4. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ
Фотоэлектрическими (оптическими) преобразователя ми называются устройства, изменяющие свои параметры под воздействием световой энергии. Фотоэлектрические преобразователи часто называют фотоэлементами. Находят применение три типа фотоэлементов: фотоэле менты с внешним фотоэффектом; фотоэлементы с внут ренним фотоэффектом (фоторезисторы); фотогальвани ческие элементы (фотоэлементы с запирающим слоем).
Основными характеристиками фотоэлементов явля ются следующие:
световая характеристика — зависимость фототока от интенсивности падающего на фотоэлемент светового потока;
спектральная характеристика — зависимость чувстви тельности от длины волны падающих лучей при постоян ной освещенности;
инерционная (частотная) характеристика — зависи мость чувствительности от частоты изменения интенсив ности падающего светового потока;
64
вольт-амперная характеристика; зависимость фототока от величины напряжения, при
ложенного к фотоэлементу.
Фотоэлементы используются в качестве преобразова телей при преобразовании самых разнообразных неэлек трических величин, связанных с изменением параметров светового потока.
Фотоэлементы с внешним фотоэффектом. Под дейст
вием |
света с поверхности |
металлов |
могут |
выбиваться |
||
электроны. Это явление, называе |
cgem |
|
||||
мое |
внешним |
фотоэффектом, |
|
|||
используется в |
фотоэлементах. |
|
|
|
||
Фотоэлемент с внешним фотоэф |
|
|
|
|||
фектом представляет собой ваку |
|
2Л1 |
Схена вклю. |
|||
умную или газонаполненную стек- |
|
|||||
лянную колбу с двумя электрода- |
чения |
фотоэлемента |
||||
ми внутри (рис. |
2-17). Один ИЗ |
С |
внешним фотоэффек- |
|||
электродов — катод представляет |
том. |
|
||||
собой |
фоточувствительный |
(ими |
|
|
|
тирующий) слой, нанесенный на внутреннюю стенку бал
лона |
лампы или на специальный металлический элек |
|||
трод |
(подложку). Другой электрод — анод выполняется |
|||
в виде кольца, пластины и т. п. |
|
|||
Если |
имитирующую |
поверхность использовать |
как |
|
границу |
электрического |
поля (электрод в вакууме), |
то |
при ее освещении в цепи, представленной на рис. 2-17, потечет ток, величина которого будет определяться интен сивностью освещения.
Световая характеристика этого типа фотоэлемента линейна при небольших излучениях (закон Столетова). Из-за малой чувствительности фотоэлементы е внешним фотоэффектом применяются совместно с электронными усилителями. Широкое применение для этих целей нахо дят так называемые фотоумножители — усилители фото
токов, |
основанные |
на |
явлении |
вторично-электронной |
|
эмиссии. |
|
|
|
|
|
Фоторезисторы (ФР). Фотоэлементы этого типа осно |
|||||
ваны |
на |
свойстве |
некоторых полупроводников изме |
||
нять свою |
проводимость (увеличивать количество носи |
||||
телей электрического |
тока) под |
действием светового |
|||
потока. |
|
|
|
|
•В отличие от фотоэлемента с внешним фотоэффектом, в котором электроны покидают освещенную поверхность
5 - 4 3
металла, в фоторезисторе они остаются внутри полу проводника, увеличивая в нем концентрацию носителей
тока.
Схема включения ФР аналогична схеме рис. 2-17. Фоторезисторы могут быть пленочные и монокристаллйческие. Они не требуют вакуума и стеклянных колб, имеют малые, габариты и массу, более чувствительны, чем фотоэлементы с внешним фотоэффектом.
К недостаткам ФР относятся: нелинейность световой характеристики, значительная зависимость чувствитель
ности |
от длины волны воздействующего светового |
излу |
||||||
|
|
|
чения, |
большая |
инерционность, а |
|||
|
|
|
также |
существенная |
зависимость |
|||
|
|
|
фототока от температуры окружаю |
|||||
|
|
J—0 |
щей среды и наличия теневого тока. |
|||||
|
|
Фотогальванические |
элементы. |
|||||
Рис. 2-18. Схема |
На р-п |
переходах |
полупроводнико |
|||||
вых приборов образуется слой с од |
||||||||
включения |
фото |
|||||||
диода. |
|
|
носторонней проводимостью |
(запи |
||||
ход |
|
|
рающий |
слой). |
Если |
р-п |
пере |
|
облучить светом, то возникнет э. д. с., плюс кото |
||||||||
рой |
оказывается |
приложенным к слою р, |
а минус — |
к слою п. Следовательно, полупроводник с р-п переходом при определенной его конструкции может быть использо ван как фотодатчик генераторного типа—фотогальва нический элемент (ФГЭ). Величина э. д. с. на выходных
.зажимах ФГЭ пропорциональна логарифму облученности
иуменьшается с увеличением нагрузки. ФГЭ обладают существенной инерционностью, определяемой типом ис пользуемого полупроводника', и может работать как фоторезистор. В этом случае его называют фотодиодом. Схема включения фотодиода приведена на рис. 2-18. Как следует из этой схемы, для обеспечения работы ФГЭ в режиме фотодиода внешний источник подключается так, чтобы увеличить потенциал (высоту) запорного слоя (плюс подключается к слою.п, а минус — к слою р).ФТЭ более чувствительны к длинноволновому участку светово го излучения, прилегающему к инфракрасной области спектра.
Внастоящее время в качестве фотоэлектрических преобразователей широко используются германиевые фототриоды, напоминающие собой по принципу действия
иконструкции обычные транзисторные триоды только без базового отвода.
66
Чувствительность фототриодов значительно превосхо дит чувствительность всех фотоэлементов и может дости гать 10—20 а/лм при рабочих токах до нескольких десят ков миллиампер.
2-5. ИОНИЗАЦИОННЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ
Принцип действия ионизационных преобразователей основан на использовании воздействия входной измеря емой величины на интенсивность проникающего излуче ния («-, Iß- и у-излучений и потока нейтронов).
Основными элементами ионизационного преобразова теля являются источник и приемник проникающего из
лучения. |
Простейшая |
схема |
|
|
|
||||
преобразователя |
этого |
вида |
|
|
|
||||
представлена |
на |
рис. |
2-19. |
|
|
|
|||
Работает она следующим обра |
|
|
|
||||||
зом. |
|
|
|
|
|
излу |
|
|
|
Поток проникающего |
|
|
|
||||||
чения, |
испускаемый |
источни |
|
|
|
||||
ком 1, |
пронизывает испытывае |
Рис. 2-19. Ионизационный |
|||||||
мый |
объект |
2 |
и |
попадает |
преобразователь. |
|
|||
в приемник 3. Чем больше |
1 — источник ядерного |
излуче |
|||||||
ния; |
2 — исследуемый |
мате |
|||||||
поглощение |
излучения в объ |
риал; |
3 — приемник излучения; |
||||||
екте, |
тем |
меньшая |
часть по |
4 — индикатор. |
|
тока излучения попадает в при емник, тем меньше, следовательно, будет показание
выходного прибора 4 приемника. Величина поглощения проникающего излучения зависит от толщины объекта, плотности и однородности его материалов. Если два из указанных параметров остаются постоянными, то по вы ходному напряжению приемника излучения можно су дить о величине третьего параметра.
В качестве источников излучения применяются естест венные и искусственные радиоактивные изотопы.
Источниками a-излучения являются обычно элементы, находящиеся в конце таблицы Менделеева. Альфа-излу чение представляет собой поток летающих с большой скоростью ядер гелия (а-частиц), образующихся в ре зультате радиоактивного распада ядер источника излучения.
Всякое проникающее излучение характеризуется энергией, которой обладают частицы потока этого излу чения. Чем больше энергия частиц, тем более проникаю-
5* |
67 |
щим оказывается такое излучение. Энергия излучении, применяемых в устройствах измерения неэлектрических величин, обычно составляет миллионы или тысячи элек трон-вольт (мегаэлектронвольт или килоэлектронвольт). Так, например, при a-излучении энергия частиц может составлять 3—11 Мэв.
Длина пробега а-частиц в воздухе составляет не сколько сантиметров, а в твердом материале — несколько единиц или десятков микрон. Поэтому «-излучение при меняется при анализе параметров газовой среды (газо вом анализе): давления, расхода, плотности и т. п.
Бета-излучение образуется при превращении нейтро нов ядер в протоны. При этом выделяются электроны (,ß-частицы).
Бета-частицы пробегают в газах несколько метров, а в жидких и твердых телах — несколько миллиметров. Бета-излучение в основном используется в устройствах для измерения толщины плотности или массы матери алов.
Гамма-излучение представляет собой поток электро магнитных импульсов (гамма-квантов). Образуется это излучение в результате сложных радиоактивных превра щений. Гамма-излучение в отличие от альфа- и бетаизлучений сравнительно слабо поглощается веществом и может проникать в твердые тела на глубину до несколь ких десятков сантиметров. Поэтому гамма-излучение ис пользуется в тех устройствах, где требуется прохождение излучения через сравнительно толстые поглотители.
В ионизационном преобразователе излучение, прошед шее через исследуемый поглотитель, поступает в прием ник. Приемники излучения преобразуют энергию посту пившего ядерного излучения в электрические сигналы. В качестве приемников проникающего излучения исполь зуются: ионизационные камеры, пропорциональные счет чики, счетчик Гейгера-Мюллера, сцинтилляционные и кристаллические счетчики.
В первых трех видах приемников энергия ядерного излучения непосредственно преобразуется в электриче скую, В сцинтилляционных счетчиках используется явле ние люминесценции кристаллов некоторых веществ под воздействием альфабета- и гамма-излучений. Возникаю щий при этом световой поток измеряется с помощью фотоэлемента (фотоумножителя). Действие кристалличе ских счетчиков основано на явлении возникновения про-
68
. йодимости із кристаллах неко* |
|
|
|
|
|||
торых веществ |
при их облуче |
|
|
|
|
||
нии жесткими лучами (у-излу- |
|
|
|
|
|||
чение). |
качестве |
примера |
на |
|
|
|
|
В |
|
|
|
|
|||
рис. 2-20 приведена схема |
рас |
|
|
|
|
||
пространенного |
приемника |
|
|
|
|
||
проникающего |
излучения — |
|
|
|
|
||
ионизационной |
камеры 1. |
Ка |
|
|
|
|
|
мера представляет собой сосуд, |
|
|
|
|
|||
заполненный газом. Внутри ка |
Рис. 2-20. Ионизационный |
||||||
меры помещается изолирован |
|||||||
ный электрод 2. Корпус каме |
преобразователь |
с иониза |
|||||
ционной камерой. |
|
|
|||||
ры служит вторым электродом. |
I — ионизационная |
камера; |
2 — |
||||
К обоим электродам прикла |
электрод; |
3 — исследуемый |
ма |
||||
териал; |
4 — радиоактивный |
||||||
дывается напряжение. Под дей |
источник |
излучения. |
|
||||
ствием |
проникающего излуче |
|
|
|
|
ния газовая среда в камере ионизируется, в результате по электрической цепи потечет ионизационный ток. Величина его будет зависеть от степени ионизации газовой среды, т. е. от интенсивности излучения, попадающего в камеру.
Интенсивность излучения радиоактивного вещества не зависит от температуры, давления и других внешних факторов окружающей среды. Это позволяет использо-
.вать их в условиях высоких температур и давлений. Ионизационные преобразователи широко используют
ся для автоматических систем измерения и контроля геометрических размеров и плотности тел, перемещений, температуры газовых сред и других измерений.
2-6. ПРИМЕРЫ ПОСТРОЕНИЯ НЕКОТОРЫХ ТЕЛЕМЕТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ
Многие преобразователи представляют собой устройства, в которых значение измеряемой иеэлектрической величины превра щается в электрическую путем многократного преобразования. Такие Преобразователи используются в тех случаях, когда измеряемая неэлектрическая величина из-за своей природы не может быть пре вращена в электрическую однократным преобразованием,- В подав ляющем большинстве случаев используются преобразователи только с двойным преобразованием.
Устройство, осуществляющее первое преобразование, называют первичным измерительным преобразователем или чувствительным элементом. Как правило, чувствительный элемент осуществляет пред варительное преобразование измеряемой величины в величину дру гого вида с тем, чтобы последнюю можно было проще и удобнее
69