Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Барсуков Ф.И. Элементы и устройства радиотелеметрических систем

.pdf
Скачиваний:
11
Добавлен:
24.10.2023
Размер:
10.81 Mб
Скачать

Число диодов, необходимое для образования двухступенчатой матрицы, определяется из соотношения

 

ЛІ2~Л'/іа

Л'/[б "Ь 2діаДіО,

(5-9)

где Міа

и Лію — число диодов,

используемых соответственно

в ма­

трицах 1а и Ій-

 

 

 

При

идентичных матрицах

и 1о

выражение (5-9) перепишет­

ся в следующем виде:

 

 

 

 

Мг = 2Л',+ | (/Vj +

2"')-

(5-Ю)

Две двухступенчатые матрицы могут использоваться в качестве коммутирующих устройств матрицы третьей ступени.

Таким образом, используя матрицы предварительных ступеней для коммутации логических элементов И высшей ступени, можно образовывать многоступенчатые матрицы.

Число выходов у многоступенчатой матрицы, у которой в каж­ дой из нижних ступеней используются по две идентичных коммути­ рующих матрицы, определяется из следующего выражения:

 

„ 3 =

(5-11)

где q — число ступеней в

-многоступенчатой матрице.

 

Из выражения (5-11)

следует, что число выходов

многоступен­

чатой матрицы может быть увеличено как за счет увеличения числа триггерных ячеек в матрице первой ступени A4, так и за счет уве­ личения числа ступеней. Можно также, не меняя величины nq, умень­ шить Л'і и одновременно увеличить q. В ряде случаев последнее обстоятельство позволяет при заданном числе выходов коммутирую-

а)

Рис. 5-12. Матрица с двумя кольцевыми распределителями.

а — функциональная схема; б — схема логического элемента И.

Ідей матрицы путем подбора значений h'i п q обеспечить зпачигольное уменьшение числа диодов, необходимое для образования матри­

цы с q ступенями.

общее чи­

В выражении (5-11) показатель степени определяет

сло триггерных ячеек в многоступенчатой матрице

 

Nq = 2*-'N1,

(5-12)

Необходимое число диодов для формирования q ступеней ма­ трицы, у которой q— 1 пижиих ступеней идентичны, может быть определено из выражения

 

Мі = 2 і~ 1 ЛГі+ S

-2

 

 

(5-13)

 

 

;=2

 

 

 

 

где Пі — число

выходов у матрицы і-й ступени.

 

 

 

Если в первой ступени используются матрицы с Nі триггерны­

ми ячейками,

то выражение (5-13) может

быть

переписано

в

сле­

дующем виде:

 

 

 

 

 

 

 

Mq = 2<t~*

<7

 

 

 

(5-14)

(V,• 2Nl + Ц

-22~*-2

 

 

 

<=2

 

 

 

 

У многоступенчатой матрицы число диодов на один канал во

всех случаях

оказывается

меньшим,

чем

у одноступенчатой

ма­

трицы.

 

 

 

 

 

 

-!

Наиболее экономичной по числу расходуемых на один канал

диодов является матрица с двумя кольцевыми

регистрами

сдвига

'на триггерах,

функциональная схема

которой

приведена

на

рис.

5-12,а. Элементы И этой матрицы имеют по два

входа (рис. 5-12,6).

Выход каждого из элементов И является одним из выходов матри­

цы. Общее число

выходов, матрицы подобного типа составляет

n=NiNz,

где Ni и Nz— число выходов

соответственно первого и

второго кольцевых

регистров

сдвига.

для формирования матри­

Число

диодов,

которое

необходимо

цы с двумя кольцевыми триггерными распределителями, определя­ ется из выражения

Mzii=2n=2NiNг.

(5-15)

Матрицы с двумя кольцевыми распределителями

в сравнении

с другими рассмотренными выше матрицами формируются из мень­ шего числа диодов. Однако для ее коммутации требуется два коль­

цевых

триггерных

распределителя

с общим числом триггеров Nі +

+ N 2 ,

которое при

равном числе

каналов

значительно превосходит

число триггеров, используемых в

матрицах

других типов.

Логический элемент И в схемах распределителей. Одним из важных элементов распределителей является

151

 

 

 

логический

элемент

И,

 

 

 

обеспечивающий

форми­

 

 

 

рование импульса на сво­

 

 

 

ем

выходе

при

одновре­

 

 

 

менном поступлении им­

 

 

 

пульсов на все его т вхо­

 

 

 

дов. На рис. 5-13 приведе­

 

 

 

на

логическая

схема

с

 

 

 

т входами и одним выхо­

Рис. 5-13. Схема логического эле­

дом.

Она

образуется

из

резистора

R, диодов

Д и

мента И.

 

 

 

 

Дг, ■■ Дт и внутренних

 

 

 

сопротивлений Rmih RBa2,

. . . ,

Дввт и с т о ч н и к о в входных напряжений соответствен­

но

Uвх-^і UBX^] • ■

UBXM.

 

 

 

 

 

 

 

Если элементы схемы выбраны так, что выполняется

соотношение

R ^iR i+ R nu),

 

 

(5-16)

 

 

 

 

где

RBU~ R BHI — RBH2 = ... =^ви?п,

то

остаточное

(посто­

янное) напряжение на выходе схемы при отсутствии входных напряжений будет весьма незначительным. Его величина определяется из соотношения

^ в ы х ^ о ^ Г ^

(5‘ 17)

В большинстве практических случаев этим напряже­ нием можно пренебречь.

Когда на входы схемы подаются напряжения поло­ жительной полярности, то она выполняет функции логи­ ческого элемента И. Напряжение на выходе схемы в этом случае появляется только при одновременной по­ даче напряжений на все входы.

Если

положительное

напряжение подано только на

d входов, то выходное напряжение будет равно:

 

! 1

U

R i “Ь ^вн

 

‘-'визе..-— -Со

(m — d)R

Так как в схеме имеет место соотношение R^> (Ri +

+ R BO),

т о даже при отсутствии только одного входного

сигнала выходное напряжение будет незначительным и равным

(5-18)

152

При подаче напряжений положительной полярности на все входы схемы выходное напряжение можно опре­ делить из следующего выражения:

^ П Ы Х ---------- ( Е 0

R i +

R K

•£/.

(5-19)

• ^ в х . м і ш )

R

 

 

 

 

где Unv »um — наименьшее по величине из входных напря­ жений.

Если на все входы схемы подаются одинаковые на­ пряжения Uвх, Т О ГД а Uвых— 'Евх-

5-5. К Л

Ю Ч Е В Ы Е

У С Т Р О Й С Т В А

Э Л Е К Т Р О Н Н Ы Х

К О М М У

Т А Т О Р О В

 

 

Под воздействием управляющих импульсов, по­ ступающих с выходов распределителя, ключевые устрой­ ства осуществляют в кодере поочередное подключение выходов отдельных источников сигналов ко входу сумми­ рующего устройства, а в декодере производится распре­ деление общего сигнала с выхода приемника по соответ­ ствующим каналам.

Вотсутствие управляющего сигнала ключевое ка­ нальное устройство должно быть закрытым и не про­ пускать сигнал со входа на выход. При поступлении уп­ равляющего сигнала ключевое устройство открывается и входной сигнал проходит на выход.

Важнейшим требованием, предъявляемым к ключе­ вым схемам, является требование возможно меньшего искажения того параметра входного сигнала, который несет информацию о значении телеметрируемой величи­ ны. В большинстве случаев, особенно в кодерах, на ка­ нальные входы коммутатора подаются постоянные или медленно изменяющиеся напряжения, которые преобра­ зуются коммутатором в импульсные напряжения. Ампли­ туда импульсов в этом случае отражает значение телеметрируемых величин.

Вкоммутаторе, осуществляющем такое преобразова­ ние, ключевые устройства выполняют одновременно функции амплитудных модуляторов импульсов. Поэтому

они должны иметь линейную амплитудную характеристи­ ку, протяженность которой должна быть не меньше диа­ пазона изменения величины входного сигнала. Коэффи-

153

Рис. 5-14. Схемы диод­ ных ключей.
а, б— мостовые схемы; вна логическом элементе И.

циент передачи ключевого устройства Ккл в таком ком­ мутаторе, представляемый как отношение амплитуды выходного импульса к величине входного напряжения (Ккл—и вых/ и вх), стремятся сделать возможно большим и независимым от величины входного сигнала и ампли­ туды управляющих импульсов.

Как «в кодерах, так и в декодерах РТС с ВРК комму­ тируются сигналы одной полярности и сигналы с изменя­ ющейся полярностью. В первом случае можно применить более простые схемы ключевых устройств. Для комму-

Аі

0

UB*

0 i

(+)

 

 

- 0 + Е

тации же сигналов с изменяю­

 

 

щейся полярностью используются

 

 

 

1*1

 

 

более сложные ключевые схемы—

 

 

■At и.

биполярные ключи-.

Ri Ri

 

В электронных коммутаторах

 

 

 

кодеров и декодеров используют­

R,

 

uy

ся диодные ключевые схемы, клю­

 

чевые схемы на транзисторах и

 

i

- 0

электронных лампах.

 

 

На рис. 5-14,а приведен бипо­

e)лярный ключ, выполненный по

мостовой схеме на диодах Ді—Д4. К диагонали моста а и Ь подво­ дится коммутируемое напряже­ ние UBX, а к диагонали e n d ,—

управляющее напряжение Uy. Если полярность управ­ ляющего напряжения будет такой, как показано на рис. 5-14,а, то ключ будет открыт и на его выходной на­ грузке Ra выделится напряжение UBUX, пропорциональ­ ное напряжению t/Bx.

!54

При смене полярности коммутирующего напряжения Uy ключ закроется и напряжение ІІВЫХ значительно упадет.

•В случае идентичных вольт-амперных характеристик всех четырех диодов ключа коэффициенты передачи на­ пряжения UBX со входа ключа на его выход будут:

при замкнутом ключе

Дкл.з---

ип

 

(5-20)

 

и*

Я»

А .

 

+

 

при разомкнутом

1______

 

' К

(5-21)

Я и х I

Я і о б р

 

 

я _г я н

где RBX— внутреннее • сопротивление источника UBX; R i —внутреннее сопротивление открытого диода; Діобр— внутреннее сопротивление закрытого диода в обратном направлении.

В реальных условиях подобрать диоды с идентичными вольт-амперными характеристиками не удается, в ре­ зультате на сопротивлении нагрузки напряжение UBhlx не будет соответствовать коммутируемому напряжению UBX. Величина этого несоответствия оценивается величи­ ной искажения (помехой), которая определяется сте­ пенью неидентичности характеристик диодов. Для умень­ шения искажений, вносимых подобным ключом, необхо­ димо стремиться как можно лучше сбалансировать его схему.

На рис. 5-14, б приведена мостовая схема биполяр­ ного ключа, балансируемая посредством потенцио­ метра R .

На рис. 5-14, в приведена диодная ключевая схема, представляющая собой двухдиодный (с двумя входами) логический элемент И. На один из его входов подается коммутируемое напряжение UBXj а на другой — управля­ ющее напряжение Uy с распределителя. Для обеспечения нормальной работы элемента И сопротивления резисто­ ров схемы и внутренние сопротивления открытых диодов ( R i ) выбираются из соотношения Ri^> (Ri + Rz). Величи­ ны же напряжений, подаваемых на входы схемы, должны удовлетворять неравенству Uy> U BX.M&KC, где Двх.мако— максимально возможное значение входного напряжения. При одновременном воздействии UBX и Uy на выходе

155

ключевой схемы будет появляться напряжение, величина которого будет определяться значением входного напря­ жения. В этой схеме управляющее напряжение может по­ даваться вместо источника питания Е.

Если изменение входного напряжения будет происхо­ дить в пределах линейной части характеристики диода, то зависимость между выходным и коммутируемым на­ пряжением будет линейной.

Диоды, используемые в ключевых схемах, должны иметь большое обратное сопротивление, малое прямое

Рис. 5-15. Схемы транзисторных ключей.

а — мостовая (компенсированная) схема; б, в — некомпенси­ рованные схемы.

сопротивление, стабильную характеристику при измене­ нии внешних условий и малую емкость. Этим условиям удовлетворяют в лучшей степени вакуумные и кремние­ вые плосткостные диоды. В качестве электронных ключей

широко

используются разнообразные транзисторные

схемы.

х

В транзисторных ключах по сравнению с диодными

можно

значительно уменьшить уровень напряжения

помех.

 

156

На рис. 5-15, а приведена одна из схем компенсиро­ ванного ключа с последовательно встречным включением транзисторов. При идентичных параметрах обоих тран­ зисторов обеспечивается идеальная коммутация напря­ жения UBX. Однако из-за невозможности получить пол­ ностью сбалансированную схему ключа в его выходном напряжении будет присутствовать составляющая помехи.. Величину этой помехи можно значительно уменьшить за счет подбора величин сопротивлений базовых резисторов.

На рис. 5-15,6, е приведены две схемы некомпенси­ рованных транзисторных ключей. Если на базу транзисто­ ра (рис. 5-15, б) подать управляющее напряжение Uy отрицательной полярности и достаточной величины, то транзистор окажется в режиме насыщения и напряжение на его выходе UBBlx практически будет равно нулю. При подаче управляющего напряжения Uy положительной полярности транзистор закрывается и входной сигнал UBX проходит на его выход.

Работая в режиме ключа, транзистор должен обла­ дать малой разностью потенциалов между эмиттером и коллектором в открытом состоянии и в режиме размыка­ ния (транзистор закрыт) не должен добавлять замет­ ного тока в нагрузочную цепь. Вместе с тем управляю­ щий ток цепи базы транзистора не должен замыкаться через цепь измеряемого сигнала или нагрузки и вносить тем самым искажения в измерения.

Первым двум требованиям лучше всего удовлетворя­ ют германиевые транзисторы типа р = п —р, имеющие самое низкое сопротивление постоянному току в режиме насыщения и позволяющее использовать их для комму­ тации-напряжений низкого уровня. Для исключения за-' мыкания управляющего тока базы по цепи нагрузки и улучшения тем самым точности воспроизведения выход­ ного напряжения управляющий сигнал в цепь базы ком­ мутирующего транзистора подается через трансформатор (рис. 5-15, в).

Коммутируемое напряжение Uвх подводится к коллек­ тору транзистора, работающего в режиме эмиттерного повторителях нагрузкой RB-

В цепь базы транзистора включена ^С-цепочка, на которой образуется напряжение автоматического смеще­ ния, надежно запирающее транзистор после снятия им­ пульса управляющего напряжения. Заряд конденсатора в этой цепочке происходит за счет тока базы во время

157

действия управляющего импульса. Работа ключевых схем, использующих электронные лампы, основана на запирании анодного тока лампы при одновременном воздействии на один или два электрода (сетки) лампы управляющего и коммутирующего напряжении.

Ламповые и транзисторные ключевые схемы позволя­ ют наряду с коммутацией производить усиление комму­ тируемых сигналов. Достоинством таких схем являются также малые значения коммутируемых и управляющих напряжении.

5-6. ИМПУЛЬСНЫЕ МОДУЛЯТОРЫ И ДЕМОДУЛЯТОРЫ, ПРИМЕНЯЕМЫЕ В РТС С ВРК

В качестве модуляторов АИМ используются раз­ личного вида ключевые схемы, в том числе и рассмотрен­ ные выше. На выходе коммутирующих устройств ампли­ тудно-импульсная модуляция образуется автоматически. В спектре АИМ (при передаче сигнала синусоидальной формы) содержится составляющая полезного модули­ рующего сигнала с амплитудой

 

Uü — таи и-~-,

(5-22)

 

 

1 О

 

 

где Шд —коэффициент модуляции;

Uu, tu — амплитуда'

и длительность

модулируемых

импульсов; Т0— период

следования опросных импульсов.

 

сигнала

Амплитуда

составляющей

модулирующего

в спектре сигналов АИМ оказывается очень небольшой, составляющей 1 2 % амплитуды ^смодулированных

. импульсов.

При демодуляции АИМ попользуется линейная филь­ трация с применением узкополосных фильтров низкой частоты. С целью повышения амплитуды выделяемого при фильтрации сигнала увеличивают амплитуду или длительность модулированных импульсов. .

Для демодуляции импульсов с АИМ применяются обычные пиковые детекторы. Типовая схема такого де­ тектора показана на рис. 5-16,а. На выходе детектора устанавливается фильтр нижних частот. Периодическая последовательность амплнтудно-модулированных им­ пульсов информационного капала подается на вход_ детектора Д, в катодную цепь которого включены соеди-~ ценные параллельно конденсатор С и резистор R. Во вре­ мя действия импульса конденсатор С сравнительно быст-

158

ро заряжается через малое внутреннее сопротивление диода, а в промежутках между импульсами медленно разряжается через большое сопротивление резистора R. В результате на RC-цепочке образуется напряжение «зубчатой» формы (рис. 5-16,6). Фильтр нижних частот сглаживает это напряжение так, что его форма прибли­ жается к форме модулирующего сигнала. При идеальной П-образной частотной характеристике ФНЧ выходное напряжение оказывается в каждый данный момент про-

*)

б)

Рис. 5-16. Пиковый детектор.

а — схема;

б — эпюры напряженіи'!.

порциональным телеметрируемой величине, если частота опроса Fо вдвое превышает максимальную частоту спек­ тра сигнала FмаксПри этом полоса пропускания филь­ тра должна быть равна FMaKC-

Обычно на практике реальная характеристика филь­ тра, отличается от П-образной, поэтому параметры филь­ тра выбраны, исходя из условия •

F (2,5н-4)і7макс-

Параметры пикового детектора для обеспечения его нормальной работы выбираются так, чтобы постоянная времени заряда тг3 =С7?г-, где Ri—внутреннее сопротивле­ ние диода в прямом направлении, конденсатора С была значительно меньше длительности приходящих импуль­ сов (ти), а постоянная времени разряда (тP = CR) значи­ тельно превышала время интервала между импульсами. При этом скорость спадания напряжения на конденсато­ ре С за время паузы между импульсами не должна быть меньше наибольшей скорости спадания огибающей вход­ ных импульсов.

При выборе элементов пикового детектора для не­ искаженного воспроизведения синусоидального напряже-

15?