Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Проблемы кинетики элементарных химических реакций к семидесятилетию акад. В. Н. Кондратьева [сборник]

.pdf
Скачиваний:
1
Добавлен:
24.10.2023
Размер:
9.51 Mб
Скачать

 

Роль туннельных переходов в реакциях переноса электрона

69

Рис. 1. Температурная зависимость скорости

 

реакций

по

закону Аррениуса (I) и с учетом

 

туннельного

эффекта ( I I — барьер

вида 1/ch

 

— , I I I

— параболический барьер)

 

 

 

1 — а

-

Ѵ г ѴЩк = к V l j - V W v -

= 50;

 

2 — а =

25

 

 

 

 

 

 

Как известно, вероятность тун­

 

нельного эффекта очень резко па­

 

дает с увеличением массы тунне­

 

лирующей частицы.

Это

обстоя­

 

тельство

 

находит свое отражение

 

и в уменьшении «туннельной» тем­

 

пературы с ростом массы р. При

 

d = 2А и Е = 0,5эв, Tq = 60°К для

 

атомов D и около 80° К для

ато­

 

мов Н. Таким образом, особенно

 

сильные

 

(экспоненциальные)

изо­

 

топные

эффекты при

переходе от водорода к дейтерию должны

наблюдаться в области температур ниже 60—80° К. Значительно выше «туннельная» температура для таких своеобразных легких «изотопов» водорода, как мюонийМи(Г,г — 240° К) и особенно по­ зитроний Ps (Tg — 2400° К), а также, конечно, для электрона (Тд ~ 3600° К).

Картину туннельного проникновения позитрония в чистом виде можно будет, по-видимому, наблюдать лишь в газофазных реак­ циях, в водных же растворах атомы позитрония гидратированы, хотя и с небольшой энергией гидратации. Это обстоятельство, од­ нако, не помешало провести с помощью позитрония интересные эксперименты в водных растворах, ответившие на вопрос большой общей принципиальной значимости — имеет ли место дальнее туннелирование электронов от восстановителей к окислителям при жидкофазных окислительно-восстановительных реакциях.

В работе [5] были определены константы скорости тушения позитрония в водных растворах ионами Fe2+ и ионами Fe3+. Срав­ нение полученных констант с данными радиационно-химических экспериментов, посвященных взаимодействию ионов Fe2+ и Fe3+ с атомами водорода, показало, что для обоих этих ионов скорость

взаимодействия с Ps примерно в 100 раз больше, чем

с Н.

Механизм взаимодействия ионов Fe2+ с атомами Н

известен —

реакция идет через образование комплекса:

 

Fe2+ + H -^Fe2+H,

 

Fe-+H + Н+ — Fes+ + Н3.

(2)

70 В. И. Гольданский, К. И. Замараев, А. II. Михайлов, Р. Ф. Хайрутдинов

В случае же Fe3+ предполагались альтернативные варианты:

Fe3+ -f- II (Fe3+H) —>Fo2+ + Н+ (образование комплекса)

или

 

(3)

Fe3+ -|- Н —>Fe2+ + Н+

(дальний

туннельный

 

перенос электрона).

Равенство отношений скоростей реакций

Ps и II с Fe2+ и Fe3+

позволяет отбросить механизм

туннельного

переноса электрона

и принять образование в окислительно-восстановительном про­ цессе промежуточного комплекса.

Экспериментальное обнаружение туннельного эффекта в реак­ циях переноса электрона в газовой и жидкой фазе, как правило, затруднено тем, что на скорость реакции здесь обычно сильно влия­ ют подвижность реагентов, изменение межатомных расстояний в ходе реакции, перестройка сольватных оболочек и т. д.

Однако, как показано Михайловым [6], переход в твердую фазу повышает чувствительность реакции к туннельной проницаемости барьера на 10—15 порядков. Действительно, вероятность наблю­

даемого туннельного перехода (тт1) должна быть сравнима с об­

ратным временем взаимного контакта реагентов (т„). Если для газа и жидкости тт — ІО"13—10-10 сек, то для твердого тела хт

— 1—ІО-5 сек. Чувствительность к столь малой величине прозрач­ ности барьера (Р — (ѵ0тт)-1 —• ІО-20 при ѵ0 — ІО15 сек'1) может позволить обнаружить туннелирование электрона на весьма боль­ шие расстояния: 20—30 и даже 50—100 Â. Такую ситуацию очень важно учитывать в радиационной химии при рассмотрении реак­ ций ионов, стабилизированных при низкотемпературном радиоли­ зе органических соединений.

Примем, что электрон отрицательного иона А" стабилизирован в «потенциальной яме» (для простоты в одномерной и прямоуголь­ ной) глубиной / 0 (энергия сродства к электрону) и находится в кулоновском поле положительного иона В+ (рис. 2). Если потен­ циал ионизации / + больше, чем І 0, то туннельный переход элек­ трона может привести к рекомбинации ионов (А- -f- В+ —> А + В). Действительно, в [6] показано, что предельные концентрации ио­ нов, получаемые в рамках даже простой модели Гамова (при упо­ мянутых выше расстояниях туннелирования) близки к эксперимен­ тально наблюдаемым величинам [/]пр — Ю1В — ІО17 см'3. Это означает, что именно при низкотемпературном твердофазном радиолизе разумно предпринять поиски эффектов туннельного переноса электронов, что подтвердилось первыми же аккуратно поставленными экспериментами такого рода [7].

В качестве пробного объекта была выбрана классическая мо­ дель — захваченный электрон (еГг), стабилизированный при низ-

Роль туннельных переходов в реакциях переноса электрона

71

котемпературном радиолизе застеклованных воднощелочных

растворов. Образование е^ при радиолизе и его дальнейшие ре­ акции хорошо изучены метода­ ми ЭПР (рис. 3) и оптической спектроскопии. Считают, ч?о при разогреве образца до 140—

150° К etr рекомбинирует с ча­ стицами О- (также регистрируе­ мых в ЭПР спектрах, см. рис. 3)

собразованием О2- и возможно

сдальнейшим превращением в

два гидроксил-аниона:

ejr + О" —»О2'

2 ОН-. (4)

В наших опытах захваченные электроны генерировались пу­ тем облучения при 77° К застеклованных 10 М растворов NaOH в воде 4,5 Мэв электронами или у-излучением 60Со (мощность дозы 12 Мрад/час). Концентра­

ция егг определялась по спектрам ЭПР при помощи спектрометра ЭПР-2 ИХФ. Этим же методом фиксировалось и образование анион-радикалов О- . Таким спо­ собом было показано, что, кроме обычной «высокотемпературной»

гибели е(г,некоторая часть е(г гибнет непосредственно при тем­ пературе облучения. Более того,

такая гибель е^ наблюдается даже в случае, если образцы, облученные при 77° К, хранить в жидком гелии (рис. 4). Ско­ рость этой «низкотемператур­

ной» рекомбинации е(г не зави­ сит от температуры в интервале 4,2—120° К, и все эксперимен­ тальные кинетические кривые описываются одной и той же

Рис. 2. Схема потенциального барьера для туннельного перехода электрона, стабили­ зированного в «ловушке» А — при низко­ температурном радиолизе

1+ — потенциал

ионизации

донорной

молекулы В;

 

U — глубина

ловушки

(сродство

к электрону акцептора А); U (г) — кулоновский потенциал;

Н — расстояние между ионами В+

и А -

Рис. 3. Спектр ЭПР уоблученного 10 Ш

NaOH при 77°

Вертикальная черта указывает положение линии а,а'-днфенилпикрилгидразила

72 В. ІІ.Гольданский,К. IL Замарасв, А. И. Михайлов, Р. Ф. Хайрутдинов

Рис. 4. Кривые гибели e (r (I) и 0 ~ (2) в щелочном льде

о — ß-радиолиз,

0,5

Мрад, 77° К;

лись при 4,2° К, спектры ЭПР запи­

б — ß-радиолиз,

6 Мрад, 77° К;

сывались при 77° К);

в — ß-радиолиз,

2

Мрад, 120° К;

д — ß-радиолиз, 2 Мрад, 77° К;

г — Y-радиолиз,

2

Мрад (образцы храни­

е — Y-радиолиз, 2 Мрад, 77° К

функциональной зависимостью. Симбатно с гибелью е(г настолько

же уменьшается и концентрация О", т. е. и здесь etr рекомбини­ рует, по-видимому, по реакции (4). С другой стороны, согласно различным оценкам (по диполь-диполыюму взаимодействию и др.)

среднее расстояние между частицами е;г и О" составляет гср~ 35'А. Следовательно, в нашей работе [7] впервые продемонстрировано протекание химической реакции частиц сильно пространственно разделенных друг от друга реагентов со скоростью, не зависящей от температуры = 4 -т- 120° К).

Таким образом, впервые получено прямое и однозначное под­ тверждение наличия туннельного механизма в реакциях переноса

электронов в твердой фазе. Очевидно, в разных парах (О- ... е(г) электрону приходится туннелировать на различные расстояния (г), и суммарный процесс должен складываться из целого ряда эле­ ментарных реакций, обладающих различными константами ско­

рости т,,1]/-):

[е-] = [е7г] ^ /( г ) е х р { - г /т г (г)} d m ' 1 Ä v„ exp (— r/a).

(5)

Возможны и другие причины неоднородности тт — туннелиро­ вание под барьером разной высоты и прочие, однако на них мы сейчас останавливаться не будем.

Формально-математическая теория такой кинетики была сфор­ мулирована Примаком [12] и развита в работах [13—15] для раз­ личных бимолекулярных реакций в твердой фазе. В приближении прямоугольной функции распределения / (г) = (г2 — гх)-1 при

Роль туннельных переходов в реакциях переноса электрона

73

гг «s: г <; г2 получается характерное логарифмическое

убывание

концентрации захваченных электронов во времени

 

7г] = [е7г]д а/(га — п) (Ыа — ln v0t),

(6)

которая действительно наблюдается на опыте (см. рис. 4). Полагая

гі + г2

— 2 гср =

70 Â (на основании данных о диполь-дипольном

взаимодействии),

из рис. 4,

согласно [7],

получаем

гг = 20 А;

r2 ÄS 50

Â; 0,7 Â

а ^ 0,9

Â, что, как и

следует

по смыслу,

близко по величине к параметру затухания атомных волновых функций.

В рамках использованной в работе Михайлова [6J модели полу­

ченные на опыте времени жизни е(г при ширине барьера 35 А от­ вечают его глубине 2,2 эв, что характерно для оптической глубины ловушек.

На основании полученных результатов естественно ожидать, что туннельный эффект может играть решающую роль в различных низкотемпературных превращениях активных частиц в твердых матрицах. В последние годы в литературе появлялись данные о низкотемпературной (— 77° К) гибели различных парамагнитных центров ион-радикалыюй природы [17, 18, 18а]. Однако для на­ дежного установления факта туннелирования необходимо прово­ дить кинетические исследования в широком температурном интер­ вале. В этой связи следует отметить недавнюю очень интересную

Рис. 5. Расчетные (сплошные линии) и экспериментальные (точки) тем­ пературные зависимости констант скоростей для реакций превращения пар 2—4 в 2—6 в диметилглиоксиме

(I) и дейтерированном ДМГ (ГТ)

Обозначения пар см. в [19]

работу Якимченко и Лебедева [19] по обнаружению туннельного эффекта (на сей раз для атома Н) при перемещении свободно­ радикального состояния в радикальных парах у-облученного диметилглиоксима. В этой работе показано не только существование большого отрицательного компенсационного эффекта (константа скорости достигает величины к — 1,5-10° ехр [—1400/А?У], сек-1), но и огромного изотопного эффекта (около 3—5 порядков) при Н —D-замещении гидроксильных групп. Рисунок 5 демонстрй-

74 В. И. Гольданский, К. И. Замараев, А. И. Михайлов, Р. Ф. Хайрутдинов

рует, как хорошо экспериментальные данные ложатся на теорети­ ческую кривую (при dt/, = 0,6 Â и Ец = 15 ккал/молъ), получен­ ную В. И. Гольданским в 1959 г. [4], и показывает, что измеряемый аррениусовский параметр Е3ф$ Е 0 — истинной высоты актива­ ционного барьера. При этом следует подчеркнуть, что уже при небольших отклонениях от выбранных для сравнения с теорией параметров (на величины — 0,1 Â и 1 ккал/молъ) совпадения экспе­ риментальных значений с расчетными не будет.

Вернемся, однако, к туннельному переносу электронов. Не­ давно была предпринята попытка выявить туннельный эффект для

предшественника частицы е~т— термализованного, но еще не за­ хваченного электрона (et) — по его взаимодействию с акцепторами на больших расстояниях непосредственно в ходе радиолиза [20]. Для этого была изучена зависимость радиационного выхода G ста­

билизированных электронов е/г от концентрации акцептора А. В качестве акцепторов использовались некоторые хорошо известные

комплексы

переходных

металлов Сош (еп)3, Cun(en)2, Шп(еп)2,

РЬІГ(ЭДТА)

и Feni(CN)e

(еп — этилендиамин, ЭДТА — этилен-

диаминтетраацетат-ион).

 

Как известно, реакции захвата ef акцепторами А конкурируют с реакцией их захвата ловушками Т щелочной матрицы [21, 22]

е7 + А -£і—>А-; ej + Т JEL _, е<" .

(7)

Исходя из этой схемы можно получить простое уравнение

 

G0/Gі = ki [A]/fe [T].

(8)

Типичные концентрационные зависимости параметра (G0/G — 1) от [А] для исследованных акцепторов приведены на рис. 6. Как видим, при малых [А] эта зависимость является линейной. Однако при дальнейшем увеличении [А] она становится более крутой. При этом отклонение от линейности наблюдается тем раньше, чем 'больше наклон соответствующей кривой на линейном участке. Аналогичный эффект наблюдался ранее [21, 22] для других акцеп­ торов (KN03, NaN02 и акриламида (АА)) в различных матрицах. Данные для акриламида [22] также приведены на рис. 6. В случае РЬП(ЭДТА), Nin (en)2, Fein(CN)eHe удается выйти за пределы ли­ нейного участка из-за ограниченной растворимости соответствую­ щих соединений.

В работах [21, 22] отклонение от линейности формально объяс­ нилось уменьшением концентрации ловушек при увеличении кон­ центрации акцептора. Однако физической модели, позволяющей

понять природу такого воздействия акцептора на выход ejr, в этих работах предложено не было. Между тем, наблюдаемые зависи­ мости G от [А] можно объяснить, предположив, что акцепторы мо-

Роль туннельных переходов в реакциях переноса электрона

75

(&0/(г)-1

Рис. 6. Зависимость G<JQ От концентрации добавленного ак- ^^ цептора в стеклообразном ще­ лочном льду (10 М NaOH, 77° К)

а

— случайное распределение;

g

 

б — равномерное распределение;

 

 

1—СоШ(еп)3;

 

 

2

— Сип (еп)2;

^

 

3

— акриламид;

 

 

4

Nln (en)j

£

1

 

 

4 с-10г,мольІ/і

гут захватывать электроны на больших расстояниях. Пусть А яв­ ляется значительно более сильным акцептором, чем ловушки Т,

так что Т не может конкурировать с А за захват электрона2 ej, если расстояние между Т и А будет меньше некоторой величины

R *. Тогда качественно ясно, что радиационный выход ejr должен резко устремиться к нулю при таких концентрациях акцептора, при которых могут перекрываться эффективные реакционные объе­ мы V * — (R *)3 соседних частиц А, т. е. при выполнении условия V * [А] — 1. Для наиболее сильных акцепторов резкое уменьше­ ние G наблюдается уже при [А] — ІО“2 молъ/л (см. рис. 6), откуда следует что R * должно достигать десятков ангстрем. Фактически такая модель также предполагает уменьшение концентрации ло­ вушек [Т], если считать, что они «выбывают из игры», попадая в

окрестность акцептора А объемом FA-

В предположении о хаотическом (а) или равномерном (б) рас­ пределении ловушек и частиц акцептора в образце для зависимос­

ти радиационно-химического выхода еГг от [А] вместо формулы (8) получаются следующие выражения:

Уд [А] ехр (— Ут[Т])

GolG = 1/Р = ехр (Уд [А]) 1

> А [А ]+ У ;[Т ]ехр (— Уд [А])

GJG = І/Р = 1

Ут [Т ](1 -У д[А ])

(9а)

(96)

Как

видно из

этих уравнений, при FÂ [А] / FT [Т]

1 (а);

F A[A]

1 (б),

т. е. при очень низких концентрациях акцептора

1 Это условие выполняется для всех акцепторов, использованных в работе

120].

76 В. И. Гольданский, К. И. Замараев, А. И. Михайлов, Р. Ф. Ханрутдпнов

зависимости между GJG и [А] должны быть линейными:

Go/G = 1 -f к [А].

(10)

Однако при увеличении [А] должно иметь место отклонение от линейности, что и наблюдается в действительности.

С помощью формулы (10) из линейного участка кривых рис. 1 можно определить параметр

у. =

exp [ - F ;[T ] )F ;[ A ]/F T [T]

(а)

и =

F > * r [Т].

(б)

Затем, зная и, с помощью формул (9а) и (96) из одной точки не­

линейного участка найти порознь значения FA и FT [Т]. После такого определения параметров все экспериментальные точки хо­ рошо ложатся на теоретическую кривую. Более того, как и следо­ вало ожидать, истинная концентрация ловушек и их реакционный объем не зависят от природы и концентрации вводимых комплексов и определяются лишь свойствами матрицы. Так, для всех раство­ ров (10 М NaOH) при 77° К было получено одно и то же значение

FT[T] = 0,25.

 

Значения FA = 4/з я

(і?а)3 для разных акцепторов, соответст­

вующие им радиусы R*

эффективного захвата еГ, а также кон­

центрации, при которых акцепторы будут захватывать практичес­

ки все электроны образца (сд ~ 1/FA ), суммированы в таблице. Для сравнения в той же таблице приведены константы скорости к реакций тех же акцепторов с сольватированными электронами

Параметры Ѵ*А, с*, В * и к

для различных акцепторов

Акцептор

Ѵд-10*, Â3

с*, моль/л

я *, А

к-ІО-*0,

 

 

 

 

 

 

а

б

а

б

а

б

л-моль~1‘Сек

 

 

Сош (еп)з

21

13

0,008

0,013

37

31

8,2

Сип (еп)2

9,2

5,8

0,02

0,03

28

25

Акриламид

3,3

2,3

0,042

0,07

20

17

1,8

Nin (en)a

2,4

1,5

0,06

0,11

18

15

0,8

РЬП(ЭДТА)

1,8

1,1

0,09

0,15

16

13

0,38

Fel n (CN)6

1,5

0,95

0,10

0,17

15

12

0,3

Примечание:

а —хаотическое

распределение; б —равномерное распределение.

Роль туннельных переходов в реакциях переноса электрона

77

в жидких водных растворах. Из таблицы видно, что значения FÂ и R*, полученные в рамках различных моделей, совпадают по по­ рядку величины. При этом для всех исследованных акцепторов R* значительно превосходит их ван-дер-ваальсовский радиус (г —

— 3,5 А), а также характерный размер элементарной ячейки мат­ рицы >, — 3 Â.

Большие значения R A естественно объяснить переносом элект­ рона по туннельному механизму, тем более, что отсутствует кор­ реляция между R* и зарядом комплекса. Например, Л* ^> 3 А даже и в случае комплекса Fe111 (CN)e, который заряжен отрица­ тельно. Очевидная из таблицы корреляция между значениями к

и Ид указывает на возможность туннельного механизма и в слу­ чае реакций сольватированного электрона в жидкостях (см. также [16, 16а]).

Таким образом, выполненные в ИХФ АН СССР в последнее время эксперименты показали, что туннельный эффект существен­ но сказывается в реакциях переноса электрона. Это открывает богатые перспективы поисков целого ряда новых кинетических явлений. Так, например, при низкотемпературном радиолизе твердых органических веществ при увеличении концентрации ловушек сверх предельных концентраций ионов ([Т] [І]Пр) должно наблюдаться уменьшение вероятности стабилизации элект­ рона, так как, если расстояние между ловушками меньше рас­ стояния эффективного туннельного переноса, электрон, туннели­ руя из одной ловушки в другую, будет скатываться к катиону В+. Другой — более «химический» — эффект связан с тем, что пере­ мещение реагентов в твердофазных реакциях обычно происходит с весьма малыми частотами (ѵт — 1 сек-1), поэтому частицы с разноименными зарядами (А- , В4) будут взаимно нейтрализо­ ваться, благодаря туннельному переходу электрона, прежде,

чем они встретятся в реакционной клетке FABJ т. е. пока между ними еще находится несколько слоев нейтральных молекул матрицы М:

А- + М + В+ А + М + В.

Дальнейшая реакция, если она и произойдет, будет идти уже по гомолитическому механизму. Таким образом, обеспечивая про­ текание реакций между пространственно удаленными частицами в твердой фазе, туннельный эффект может изменить механизм реак­ ции и даже образование конечных продуктов радиолиза. Оценки показывают возможность подобного перехвата электрона и раз­ деления во времени зарядовой рекомбинации и дальнейшей хи­ мической реакции даже в вязких жидкостях. Вообще же в жидкой фазе туннельный эффект существенно ослабляет влияние электро­ статического взаимодействия между одноименно заряженными реа-

103
т т ; к
Рис. 7. Температурная зависимость радиационного выхода твердофазной полимеризации формальдегида
ю°

78 В. И. Гольданский, К. И. Замараев, А. И. Михайлов, Р. Ф. Хайрутдинов

тентами. При этом перенос элект­ ю' рона может происходить гораздо быстрее, чем конформационные из­ менения окружающей матрицы, и реакционный центр окажется в не­ равновесном конформационном со­

стоянии.

В химии полимеров и биохи­ мии туннельный эффект может обеспечить перенос электрона меж­ ду такими фрагментами макромо­ лекул, столкновение которых не­ возможно, например из-за стерических препятствий. Весьма инте­ ресно отметить в этой связи, что,

по данным Чанса [23] и Григорова [24], скорость переноса электрона от цитохрома С к хлорофиллу практически не зависит от температуры в интервале 4,2—77° К.

Использовавшиеся до сих пор модели, конечно, весьма просты. Следовало бы, например, рассмотреть в общем виде трехмерный случай, учесть периодический потенциал решетки, учесть эффекты связанного состояния. В последнем случае в выражение для ве­ роятности туннельного перехода войдут члены, обусловленные электрон-вибронным (фононным) взаимодействием. Однако, как и для оптических переходов, вследствие огромной плотности уров­ ней у больших молекул можно ожидать, что они окажутся заметно отличными от нуля.

Можно надеяться, что появление первых четких эксперимен­ тальных доказательств протекания туннельных процессов в хи­ мии низких температур привлечет более активное внимание тео­ ретиков к этой проблеме.

В заключение упомянем здесь о фундаментальных результатах, полученных в самое последнее время в филиале ИХФ АН СССР

[25]. Калориметрическим путем показано протекание реакции ра­ диационной полимеризации формальдегида в твердой фазе в ши­ роком интервале низких температур вплоть до температуры жид­ кого гелия и определены кинетические параметры процесса. От 77 до 5° К радиационный выход полимеризации упал лишь на два порядка — от G ~ ІО5 до G ~ ІО3 (рис. 7), а время роста одного звена цепи выросло в 1000 раз от 10“4 до 10_1 сек. Таким образом, впервые прямо продемонстрирован рост цепи при такой низкой температуре, когда существование даже небольшой энергии акти­ вации должно было бы заморозить все химические процессы. Один из наиболее правдоподобных вариантов объяснения наблюдаемого факта и в этом случае — туннельный эффект.

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ