
книги из ГПНТБ / Клейнер, Э. Ю. Основы теории электронных ламп учебное пособие
.pdfV. Простейшие методы определения статических параметров пентода
Для определения статических параметров пентода применяются те же методы, что и для параметров триода: графический по характе ристикам и метод двух точек. Но при определении параметров этими методами в случае пентода может возникнуть следующее затруднение. В реальных условиях пентоды обычно работают в режиме перехвата, т. е. на пологом участке анодной характеристики. При очень большом значении Rt наклон этого участка может стать настолько малым,
Рис. 4.27. К |
методике определения параметров пентода |
по |
характеристическому треугольнику |
что не удается построить на нем |
характеристический |
треугольник, |
а также выполнить по замкнутому циклу измерения по методу двух |
||
точек. Это видно по рис. 4.27, где изображены анодные характеристи |
||
ки пентода с большим Rt и для сравнения—триода, а также показаны |
||
характеристические треугЬльники |
для определения |
параметров в |
заданной. точке А (треугольники АВС). Для получения большего соответствия в их расположении треугольник для триода построен над характеристикой, а не под ней, как обычно. Вершина С характе ристического треугольника при графическом построении находится как точка пересечения горизонтальной линии, проведенной через точку В, с соседней характеристикой. В случае высокочастотного пентода она в большинстве случаев будет лежать вправо далеко за
пределами рисунка, т. е. |
практически ее получить нельзя. Поэтому |
|
в этом случае Sacl и R t |
не определяются из общего |
треугольника. |
Sacl определяется из точек А и В, соответствующих |
одному и тому |
же значению /Уа, a Rt — из специального треугольника ADE. Так как характеристики очень пологие, то при определении R t для получения достаточно большого приращения анодного тока (Д/а) приращение анодного напряжения (Д£/а) приходится делать большим (до 100— 150 В). Треугольник при этом нужно располагать так, чтобы не за ходить в крутую начальную область характеристики. Поэтому прира щение A t/a рекомендуется брать в сторону увеличения Uа. .
261
Если нельзя получить точку С, т. е. замкнуть характеристический треугольник и определить ц непосредственно по характеристикам, то р, находят путем расчета по (4.57) на основании ранее полученных значений 5 ас) и R t.
4.4.6. Между электродные емкости и рабочие параметры пентода
Согласно определению, данному в 3.13.7, |
междуэлектродные ем |
|||
кости пентода запишутся как |
|
|
|
|
Свх = Сак + Сс2 С1 + |
Сс3 с1, |
(4.58) |
||
СВЫх = |
Сак + СаС2 + |
Сас3, |
|
(4.59) |
Спр0х = С ас1, |
|
|
(4.60) |
|
где CCiK, Сс2с1 и т. д. — частичные емкости между парами |
электро |
|||
дов соответственно индексам. |
|
только их |
активных |
|
-Определение частичных емкостей (однако |
||||
составляющих) производится |
по (4.12). |
При плоской системе элек |
||
тродов и площади катода F исходное выражение для расчета, |
||||
например, емкости Cc2cj будет |
|
|
|
|
п |
е0 F |
dUd2 |
|
|
^с2 cl — °1 |
ди,. |
|
|
|
|
и с2 С1 |
|
|
Отсюда, используя (4.29) для Ud2 и пренебрегая малыми величи нами второго порядка,
Сс2 cl — °1 08 Cq2 cl
где _ . 0 — емкость между сплошными электродами на мес-
“ С2 С1
те сеток Сг и С2. Аналогично
dUa2
С а м ~ |
° i С с2 с! |
dU, |
|
откуда с учетом (4.29) |
|
|
|
CacJ — а1°2аз D2D3Сс2 с1. |
(4.61) |
||
Из этого уравнения видно, что в пентоде благодаря экранирующе |
|||
му действию второй и третьей |
сеток |
Спрох значительно |
меньше, чем |
в триоде. Однако согласно (4.58) и (4.59) за счет частичных емкостей
между -этими сетками и входным и выходным электродами |
Свх и |
СВых здесь по сравнению с триодом заметно возрастают. |
по фор |
Рабочие параметры пентода определяются, как и в триоде, |
мулам (3.258), (3.261) и (3.262). Однако в случае пентода с очень боль шим внутренним сопротивлением (это обычно имеет место у пентодов
252
для усиления высокой частоты) можно считать, что |
R a/Ri С 1 и, |
следовательно, S p ^ S. Тогда (3.261) принимает вид |
|
ku = ~ S R a. |
(4.62) |
Этим во многих случаях значительно упрощаются радиотехниче ские расчеты.
4.4.7. Триодное включение пентода
Для унификации ламп в аппаратуре или при отсутствии триодов с подходящими параметрами в качестве триода иногда используют пентод в триодном включении, соединяя вторую сетку с анодом. Третью сетку, если она имеет отдельный вывод, лучше присоединять не к катоду, а также к аноду, так как при этом получаются меньшая входная емкость и меньший ток второй сетки.
Все характеристики здесь, как и в триоде, определяются законом степени 3/2.
Параметры лампы в триодном включении (индекс «т») следующим образом связаны с параметрами ее как пентода. Так как анодный ток при триодном включении равен катодному току пентода, то три-
одная крутизна 5Т равна крутизне катодного тока |
пентода 5 кс1, а |
|
коэффициент усиления |
при триодном включении р т — коэффициенту |
|
усиления второй сетки |
по первой при постоянстве |
катодного тока. |
В режиме перехвата, где коэффициент токораспределения почти по стоянен, анодный ток можно считать пропорциональным катодному. Это дает возможность приравнять р т коэффициенту р с2с1, отнесенному к постоянному анодному току. Значение р с2с1, где это требуется, при водится в справочниках, a Rir определяется по известным 5т’и р т из внутреннего уранения триода.
4.4.8. Применение пентодов
Установим сначала, способствует ли наличие в системе электродов защитной сетки дальнейшему улучшению, по сравнению с тетродом, тех показателей, которые ограничивали возможности использования триодов:
1) поскольку потенциал защитной сетки постоянен, то за счет нее достигается лучшая, чем у тетрода, экранировка анода от управ ляющей сетки, что ведет к дальнейшему снижению проходной ем кости;
2)так как защитная сетка дополнительно ослабляет по сравнению
стетродом влияние потенциала анода на токораспределение и поле
перед катодом, то р |
при прочих равных условиях становится больше; |
3) в связи с тем, |
что Uc3 обычно равно нулю и множитель, стоящий |
при Uа в уравнениях для Udv как в случае тетрода, так и в случае пентода очень мал, то напряжение запирания по управляющей сетке при прочих равных условиях в обоих случаях практически одно и то же.
Таким образом, пентоды имеют все достоинства тетродов, не обла дая при этом основным его недостатком — динатронным эффектом.
253
Это дает возможность использовать их в качестве активного элемента при решении большинства задач, возникающих в схемной электронике. Благодаря такой универсальности пентод в настоящее время является самым распространенным видом электронных ламп.
В связи с малой проходной емкостью, даже меньшей, чем у тетро да, пентод является наиболее подходящей лампой для усиления коле баний высокой частоты.
Возможность получить достаточно «левые» анодно-сеточные харак теристики одновременно с большим р, позволяет эффективно исполь зовать пентоды для усиления колебаний низкой частоты как по напряжению, так и мощности. Перед триодами они в этом случае обла дают тем преимуществом, что позволяют благодаря большому р по лучать большой коэффициент усиления по напряжению, перед тетро дами — что дают возможность усиливать сигналы большой амплиту ды без того, чтобы возникала опасность появления существенных нелинейных искажений.
Пентоды широко используются и в качестве генераторных ламп. Как и триоды, пентоды различного назначения конструктивно вы полняются по-разному для получения оптимального значения того па раметра, который в данном случае является решающим. Так, пентоды для усиления напряжения высокой частоты выполняются с особенно густой второй сеткой, чтобы уменьшить активную составляющую проходной емкости, а для уменьшения ее пассивной составляющей — снабжаются системой внутренних экранов. У пентодов для усиления колебаний низкой частоты, где не нужна малая величина проходной емкости, вторую сетку можно делать более редкой. Благодаря этому возрастает коэффициент токопрохождения и при том же катодном
токе увеличиваются анодный ток и выходная мощность.
§ 4.5. ТЕТРОДЫ С ПОДАВЛЕННЫМ ДИНАТРОННЫМ ЭФФЕКТОМ
Как уже указывалось в 4.4.1, для подавления динатронного эф фекта, имеющего место в тетроде, необходимо между его второй сет кой и анодом создать достаточно глубокий минимум потенциала. Одно из решений этой задачи уже рассматривалось и заключалось в введении между этими электродами дополнительной, третьей сетки с достаточно низким (обычно нулевым) потенциалом. Это решение при вело к пятиэлектродной лампе, пентоду. Однако минимум потенциала между двумя положительными электродами, в данном случае второй сеткой и анодом, можно получить, не используя дополнительную сетку, если между ними создать достаточно плотный отрицательный объемный заряд.
Условия существования минимума потенциала в пространстве между двумя положительными электродами рассматривались в § 3.9. Там было показано, что минимум потенциала будет тем глубже, чем больше:
а) плотность электронного потока, входящего в рассматриваемы междуэлектродный промежуток;
254
б) расстояние между обоими положительными электродами. Исходя из этого необходимую плотность отрицательного объемного
заряда в пространстве между второй сеткой и анодом можно получить
следующими |
путями: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
i) |
|
фокусировкой электронного потока в продольном сечении лампы |
||||||||||||||||
путем выполнения первой и второй сеток с одинаковым шагом навив |
||||||||||||||||||
ки и расположением их друг относительно друга так, |
чтобы их витки |
|||||||||||||||||
находились в створе, т. е. были расположены на одинаковых |
уровнях |
|||||||||||||||||
(рис. 4.28,я); просветы между |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
витками |
первой сетки при этом |
|
о |
в-- |
С, |
Сг |
|
|
||||||||||
действуют |
как |
цилиндрические |
|
-J>, |
о |
|
|
|||||||||||
собирательные |
линзы |
и в |
ре |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
зультате этого электронный по |
|
|
|
<5_ф |
|
|
||||||||||||
ток с |
катода |
разбивается |
|
на |
|
О |
Gf- |
'о ” |
в |
|
|
|||||||
отдельные |
электронные лучи |
с |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
повышенной |
плотностью |
элект |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
ронов; |
|
|
|
расположением |
|
между |
|
|
|
|
|
|
||||||
2) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
второй |
сеткой |
и |
анодом |
|
по |
|
|
|
|
|
|
|
||||||
сторонам |
|
от |
системы |
электро |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
дов так называемых лучеобра- |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
зующих пластин, боковых эк |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
ранов, |
имеющих потенциал ка |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
тода и сжимающих электронный |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
поток |
в |
|
поперечном |
сечении |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
лампы (рис. 4.28,6); |
|
|
анода |
на |
|
|
|
|
|
|
||||||||
3) |
|
расположением |
|
|
|
|
|
|
||||||||||
достаточно |
большом |
расстоя |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
нии |
от второй |
сетки. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
В |
зависимости от требуемой |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
глубины |
минимума |
’ указанные |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
возможности |
используются |
од |
Рис. 4.28. |
Устройство лучевого |
тетро |
|||||||||||||
новременно или только частично. |
|
|
|
да: |
|
|
|
|||||||||||
Так, |
например, в лампах для уси |
а — продольное сечение; б — поперечное сечение: |
||||||||||||||||
ления напряжения высокой час |
ЛП — лучеобразующне пластины |
|
||||||||||||||||
тоты, |
где |
|
размах |
изменения |
|
велик, |
можно |
ограни |
||||||||||
Uя в |
рабочем |
режиме |
не |
особенно |
||||||||||||||
читься |
|
третьей |
возможностью. Использование |
первого |
пути |
|||||||||||||
здесь нежелательно, |
так как при выборе шага второй сетки, |
равным |
шагу первой, вторая сетка становится довольно редкой и проходная емкость лампы — большой. В лампах для усиления мощности низкой частоты в связи с большой амплитудой усиливаемых сигналов ис пользуются все три возможности одновременно. Тетроды, в которых электронный поток в результате использования всех трех возможнос тей собран в отдельные лучи с повышенной плотностью электронов, называются лучевыми. Условное обозначение такой системы показано на рис. 4.29.
Рассмотрим некоторые особенности лучевых тетродов. Особое взаимное расположение витков обеих сеток кроме того, что способст
£55
вует возникновению минимума, еще приводит и к тому, что витки второй сетки оказываются как бы в «электрической тени» витков
первой |
и поэтому на них |
попадает |
мало |
электронов. Отсюда |
/с2 в |
|||||
|
|
|
этих лампах значительно меньше, чем в |
|||||||
|
|
|
обычных тетродах, |
а коэффициент |
токорас- |
|||||
|
|
|
пределения k соответственно |
больше (обычно |
||||||
|
|
|
в 2—3 раза). |
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
Статические характеристики лучевых тет |
||||||
|
|
|
родов мало |
отличаются |
от |
характеристик |
||||
|
|
|
пентодов. |
Характеристики |
по напряжению |
|||||
|
|
|
первой и второй сеток почти такие |
же, |
как |
|||||
Рис. 4.29. Условное обо |
соответствующие |
характеристики |
пентодов. |
|||||||
значение |
лучевого |
тет |
Небольшое отличие состоит лишь |
в том, что |
||||||
|
рода: |
плас- |
U |
вследствие отсутствия |
третьей |
сетки |
нес |
|||
ЛП — лучеобразующне |
колько сильнее влияет на |
их ход. |
|
|
||||||
|
|
|
|
|
Рис. 4.30. Анодные характеристики |
Рис. 4.31. Сравнение |
анодных ха |
|||
лучевого тетрода типа 6ПЗС |
|
рактеристик: |
|
|
|
|
/ — пентода; 2 — лучевого |
тетрода |
|||
Особенности их анодных -характеристик |
следующие |
(рис. |
4.30). |
||
1. Так как минимум потенциала |
между |
второй сеткой |
и |
анодом |
возникает не за счет третьей сетки, а за счет отрицательного объемного заряда, то электрическое поле в плоскости минимума более равномер ное, чем в пентоде. Поэтому электроны около минимума слабее откло няются в сторону,тангенциальные составляющие их скоростей мень ше и возврат их на вторую сетку прекращается при меньших значе ниях U3. Это приводит к более крутому начальному подъему харак
теристик и более раннему |
их переходу в режим перехвата (рис. 4.31). |
|
2. |
При малых / а пространственный заряд перед анодом может |
|
быть |
недостаточным Для |
полного подавления динатронного эффекта. |
Поэтому характеристики для больших отрицательных Ucl в началь
ной части могут иметь небольшие провалы (см. рис. 4.30, |
кривые для |
||
Ua = — 15В и — 20 В). |
характеристики на |
начальном |
|
3. У |
некоторых лучевых тетродов |
||
подъеме |
прогибаются к оси абсцисс и для различных Ucl переплета |
||
ются (см. рис. 4.30, кривые для Ucl = |
+ 5 В и + 10 В). Это связано с |
256.
возникновением в этих режимах виртуального катода в плоскости минимума.
Лучевые тетроды используются в качестве генераторных ламп и ламп для усиления мощности низкой частоты; из-за редкой второй сетки они для усиления напряжения высокой частоты мало подходят. Особенно широкое распространение они получили для усиления мощ ности низкой частоты, почти полностью вытеснив применявшиеся ранее для этой цели пентоды. Это вызвано более благоприятной фор мой их анодных характеристик в связи с более ранним переходом их из режима возврата в режим перехвата. Последнее дает возможность получать от лампы при прочих равных условиях большую выходную мощность, так как удлиняется (см. рис. 4.31) на отрезок АА' участок нагрузочной, прямой, который можно использовать при работе.
§4.6. ЭЛЕКТРОННЫЕ ЛАМПЫ С КАТОДНОЙ СЕТКОЙ
I. Действие катодной сетки
Для некоторых целей требуются лампы малых габаритов, имеющие в нормальных рабочих режимах очень большую крутизну характерис тики (до 50 мА/В) или пригодные для работы при пониженных на пряжениях электродов (U <
<100 В). В лампах, у которых первая сетка управляющая, большую крутизну можно по лучить или увеличением раз меров электродов, или умень шением расстояния между первой сеткой и катодом. Практически чаще использует ся второй способ, так как пер
вый |
обычно |
ведет |
к увеличе |
|
|
|
|
|
|||||
нию габаритов |
ламп и мощнос |
|
|
|
|
|
|||||||
ти накала. |
Однако |
при |
малых |
|
|
|
|
|
|||||
междуэлектродн ых |
расстояниях |
|
|
|
|
|
|||||||
увеличивается опасность |
корот |
|
|
|
|
|
|||||||
ких |
замыканий |
между электро |
|
|
|
|
|
||||||
дами в |
результате- |
их |
дефор |
|
|
|
|
|
|||||
мации |
под |
действием нагрева |
|
|
|
|
|
||||||
во время работы. Поэтому |
воз |
|
|
|
|
|
|||||||
можности |
уменьшения |
между- |
Рнс. |
4.32. |
Распределение |
потока |
|||||||
электродных |
расстояний |
|
огра |
электронов |
на электроды (а) и рас |
||||||||
ничены. |
|
|
|
|
|
|
|
пределение |
потенциала |
с |
учетом |
||
|
|
|
выше |
задачу |
объемных |
зарядов (б) |
в пентоде с |
||||||
Указанную |
катодной сеткой и лучеобразующими |
||||||||||||
можно |
решить, |
не |
прибегая к |
--------- |
|
пластинами: |
|
|
|||||
малым |
междуэлектродным |
рас |
— распределение потенциала в про |
||||||||||
дольном сечении по виткам сеток;--------- — |
|||||||||||||
стояниям, |
если |
между |
первой |
то же. |
через просветы между витками сеток; |
||||||||
сеткой |
и |
катодом |
поместить |
ЛП — лучеобразующие пластины; |
вк— вир |
||||||||
туальный катод; dQK3— электрически дейст |
|||||||||||||
сетку, |
на |
которую |
подан |
не |
вующее расстояние управляющая сетка — ка |
||||||||
большой |
положительный |
по |
тод (стрелки на рис. а указывают |
направле |
|||||||||
ние движения потоков электронов) |
тенциал (<10 В). Такую сетку называют к а т о д н о й . При нали чии ее управляющей становится вторая сетка. Назначение катодной сетки заключается в том, чтобы создавать в непосредственной бли зости перед управляющей сеткой виртуальный катод. Это достигает ся следующим образом (рис. 4.32). За счет положительного потенциа ла катодной сетки электроны с катода на пути до этой сетки сильно ускоряются и поэтому входят в пространство между катодной и управ ляющей сетками с большой скоростью. В этом пространстве они силь но тормозятся, так как вторая сетка как управляющая имеет отрица тельный потенциал. В результате при соответствующих величинах действующих напряжений в плоскостях первой и второй сеток, а так же значений плотности проходящего тока перед второй сеткой воз никает виртуальный катод. Таким образом как бы переносится эмиттирующая поверхность катода с его геометрической поверхности в непосредственную близость второй сетки.
Условия возникновения виртуального катода и законы токопрохождения при его наличии применительно к триоду подробно рассмат
ривались |
в § 3 .9 . |
При переносе этих закономерностей на лампу с |
||||
катодной |
сеткой |
использованным там величинам |
Ud, £/а, /, / а |
и с/а0 |
||
соответствуют, сохраняя |
последовательность перечисления, |
Ugi — |
||||
действующее напряжение в плоскости катодной сетки, |
Идг — дейст |
|||||
вующее напряжение в плоскости управляющей |
сетки, |
/ СкПр — ток, |
||||
соответствующий |
потоку |
электронов, проходящих через плоскость |
||||
катодной |
сетки, |
/ супр — ток соответствующий |
потоку электронов, |
|||
проходящих 'через плоскость управляющей сетки, |
dCKCy — расстояние |
катодная сетка — управляющая сетка. Так как в формулах для рас чета тока с виртуального катода в сторону анода в качестве междуэлектродного фигурирует расстояние от виртуального катода до
следующего за ним электрода |
[ср. |
(3 .1 9 6 )], то благодаря катодной |
|
сетке можно получить малое электрически действующее |
расстояние |
||
катод — управляющая сетка |
при |
больших реальных |
расстояниях |
между всеми электродами. В |
данном случае электрически действу |
ющее расстояние катод — управляющая сетка dCK3 равно dCKCy — д^,,
где |
Хт — расстояние виртуального катода от катодной сетки |
(рис. |
4 .3 2 ,6 ) . |
II. Статические характеристики ламп
скатодной сеткой
Внастоящее время используются лампы с катодной сеткой, си стемы электродов которых имеют две сетки (тетроды с катодной сет кой), три сетки (пентоды с катодной сеткой) и три сетки с лучеобразующими пластинами (пентоды с катодной сеткой и лучеобразующнми пластинами) (рис. 4.33). По своим свойствам эти лампы аналогич ны лампам без катодной сетки, имеющим на одну сетку меньше, т. е. тетроды с катодной сеткой — триодам, пентоды с катодной сеткой — тетродам и т. д. Характеристики анодного тока этих ламп в основных чертах подобны характеристикам аналогичных им ламп без катодной сетки, но в их деталях есть различия.
258
Рассмотрим их на примере характеристик пентода с катодной сеткой и лучеобразующими пластинами. Начнем с зависимостей от напряжения второй сетки, которая при наличии катодной сетки явля-
Рис 4.33. Системы электродов ламп о катодной сеткой:
а — тетрод с катодной сеткой; |
б — пентод с катодной сет |
кой; о — пентод с катодной |
сеткой н лучеобразующими |
пластинами (ЛП)
ется управляющей (рис. 4.34). На катодный ток / к вторая сетка в-, принципе должна влиять слабо, так как между первой и второй сетка ми имеется виртуальный катод. Наблюдаемые практически изменения
/к объясняются так же, |
как в случае катодно-анодной характеристики, |
||||||||||||
пентода. |
|
Ток катодной сетки / ск равен |
|
|
|
||||||||
/к, пока лампа заперта, |
и становится |
|
|
|
|||||||||
меньше / н |
при появлении |
анодного |
|
|
|
||||||||
тока. Кривые анодного тока |
/ а и то |
|
|
|
|||||||||
ка экранирующей |
сетки /сз начина |
|
|
|
|||||||||
ются при |
|
отрицательных |
значениях |
|
|
|
|||||||
Uc2, величина |
которых |
определяется |
|
|
|
||||||||
условием |
|
Ug2 =0. |
Дальнейший |
их |
|
|
|
||||||
ход соответствует анодной характе |
|
|
|
||||||||||
ристике |
|
триода при |
наличии |
вирту |
|
|
|
||||||
ального |
|
|
катода |
между |
сеткой и |
|
|
|
|||||
анодом |
(см. |
рис. |
3.53). При при |
|
|
|
|||||||
ближении |
к |
оси |
ординат |
они |
ста |
|
|
|
|||||
новятся |
|
более |
пологими |
|
и |
при |
Рис. |
4.34. Характеристики |
пен |
||||
£/с2 > 0 |
идут |
почти |
горизонтально. |
тода |
с катодной сеткой по |
пап |
|||||||
Это обусловлено тем, |
что напряжение |
|
ряжению второй сетки |
|
|||||||||
|
|
|
управляющей сетки вследствие экрани рующего действия катодной сетки слабо влияет на поле перед като
дом и ток катода в основном зависит от напряжения катодной сетки. При переходе к положительным значениям Ue2 почти все электроны, прошедшие катодную сетку, попадают на экранирующую сетку и анод
и дальнейшее увеличение |
напряжениях управляющей сетки не при |
водит к заметному росту |
/ сз и / а. |
Анодные характеристики пентода с катодной сеткой и лучеобра зующими пластинами почти такие, как у обычного пентода. Однако, несколько отлично их взаимное расположение в семействе, где пара метром является напряжение управляющей сетки UC2 (рис. 4.35). В то время как у обычного пентода расстояние между уровнями поло
25&
|
|
гих |
участков |
характерис |
||||
|
|
тик |
с ростом |
напряжения |
||||
|
|
управляющей |
сетки моно |
|||||
|
|
тонно |
увеличивается, |
оно |
||||
|
|
здесь |
при |
приближении к |
||||
|
|
нулю |
опять |
уменьшается. |
||||
|
|
Это |
объясняется |
различи-' |
||||
|
|
ем |
в |
ходе |
зависимости |
|||
|
|
анодного тока от напряже |
||||||
|
|
ния управляющей сетки. |
||||||
|
|
Существенный |
недоста |
|||||
Рис, 4.35. Анодные характеристики пен |
ток |
ламп |
с катодной сет |
|||||
тода с катодной |
сеткой и лучсобразую- |
кой |
|
заключается |
в |
том, |
||
щими |
пластинами |
что ток катодной |
сетки в |
|||||
|
|
нормальных рабочих усло |
||||||
виях обычно в 2—3 раза превышает анодный, |
|
т. е. |
катодный ток у |
|||||
этих ламп очень |
плохо используется. |
|
|
|
|
|
|
|
§ 4.7. ЛАМПЫ С УСИЛЕНИЕМ ЗА СЧЕТ
ВТОРИЧНОЙ ЭМИССИИ
Получить большую крутизну, не прибегая к малым междуэлектродным расстояниям, можно не только при помощи катодной сетки, но и путем использования явления вторичной эмиссии электронов. В от личие от предыдущего, когда вторичная эмиссия приводила к появлению неже лательного явления, динатронного эф
фекта, она |
здесь |
играет |
положитель |
|
|
||||||
ную роль, давая возможность улучшить |
|
|
|||||||||
параметры лампы. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
с |
Принципиальное |
устройство |
лампы |
|
|
||||||
внутренним |
усилением |
за |
счет вто |
|
|
||||||
ричной эмиссии следующее (рис. |
4.36). |
|
|
||||||||
Кроме группы электродов, соответству |
|
|
|||||||||
ющей системе |
тетрода |
или |
пентода, в |
|
|
||||||
лампе содержится |
сплошной |
электрод |
|
|
|||||||
D, |
предназначенный |
|
для |
получения |
Рнс, 4.3G. Система электродов |
||||||
вторичных |
электронов |
и |
называемый |
пентода со вторичной |
эмисси |
||||||
д и н о д о м. |
Он |
должен |
иметь |
высо |
ей и принципиальная |
схема |
|||||
кий положительный |
потенциал |
по от |
его включения (стрелки внут |
||||||||
ри баллона показывают нап |
|||||||||||
ношению |
к катоду, |
чтобы |
обеспечить |
равление движения |
потоков |
||||||
достаточно |
большой |
коэффициент вто |
электронов) |
|
|||||||
ричной эмиссии (ббычно~3), |
однако его |
|
|
||||||||
потенциал должен быть ниже потенциала |
|
|
анода (обычно на 30—50%;. Динод располагается в системе электродов за сетками рядом с анодом. Конструктивно система электродов выпол няется так, чтобы поток электронов, проходящий через плоскость последней сетки системы электродов, не мог попасть на анод, минуя динод. Динод, таким образом, играет роль анода пентодной или тет-
260