хки сва парам транзист

Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики

Усилительные свойства транзистора учтены крутизной S его ВАХ (проводимостью прямой передачи), а частотная зависимость усилительных свойств определяется учётом емкостей между базой и коллектором – Ск и базой и

эмиттером Сэ.

Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики

Схема замещения транзистора Джиаколетто

Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики

Достоинство этой схемы - для практических

расчетов с достаточной точностью отражает реальные свойства транзисторов на высоких частотах.

Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики

Точки Б, К и Э - являются реальными выводами базы, коллектора и эмиттера транзистора.

Точка Б’ находится внутри транзистора и,

следовательно, доступа к ней нет.

Сопротивление rб, разделяющее точки Б и Б', называют распределенным сопротивлением базы.

Активная проводимость gэ и емкость Сэ совместно

отражают полную проводимость эмиттерного перехода.

Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики

Отношение Сэ к gэ называется постоянной времени эмиттерного перехода τэ, и от режима работы транзистора

практически не зависит.

Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики

Влияние коллекторного перехода учтено его полной

проводимостью состоящей из gк и Ск.

Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики

Наличие связи между эмиттером и коллектором

учтено в схеме замещения активной проводимостью gэк.

Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики

Причины, приводящие к уменьшению усиления транзистора с повышением частоты:

1.С ростом частоты увеличивается полная проводимость

эмиттерного перехода, что приводит к увеличению тока iб и увеличению падения напряжения на rб. Таким образом, управляющее напряжение uб’э, для источника тока уменьшается с ростом частоты и, следовательно, уменьшается усиление транзистора;

Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики

2.Снижение усиления обусловлено влиянием коллекторной проводимости, которая тоже увеличивается с ростом частоты. В результате ток базы еще больше увеличивается, что приводит к дополнительному снижению напряжения uб’э.

Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики

Аппроксимация зависимости коэффициента передачи тока базы от частоты