хки сва парам транзист

Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики

Работа биполярного транзистора основана на

управлении токами электродов в зависимости от

приложенных к его переходам напряжений.

Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики

В линейном режиме, когда переход база-эмиттер открыт благодаря приложенному к нему напряжению Eб=Uбэ через него протекает ток базы iб. Протекание тока базы

приводит к инжекции зарядов из области коллектора в область базы, причем ток коллектора определяется как

iк=β·iб, где β — коэффициент передачи тока базы.

Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики

Прямое напряжение Uбэ на эмиттерном переходе связано с током коллектора уравнением Эберса-Молла:

−1

где Iкб0 - обратный ток коллекторного перехода при его

обратном смещении, ϕт - тепловой потенциал

Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики

Из уравнения (Эберса-Молла) следует, что при прямом смещении эмиттерного перехода и выполнении

условие Uбэ≥ϕт,ток коллектора растет с ростом напряжения по экспоненциальному закону:

ϕT

Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики

При изменении полярности напряжения на эмиттерном переходе транзистор переходит в режим отсечки и ток коллектора равен обратному току коллекторного перехода Iк.обр=Iкб0. Из уравнения (ЭберсаМолла) легко найти напряжение на эмиттерном переходе:

+1

.0

Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики

Вольт-амперные характеристики

биполярного транзистора

Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики

Выходные вольт-амперные характеристики

Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики

Особенности характеристик транзистора в линейной области:

•Приращение тока коллектора пропорционально изменению тока базы.

•Ток коллектора ik почти не зависит от напряжения на коллекторе Uкэ (в соответствии с уравнением (ЭберсаМолла) такой зависимости вообще нет).

Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики

Из сказанного следует, что в линейном режиме - транзистор для малых приращений тока базы можно заменить - источником тока коллектора, управляемого током базы.

Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики

В результате для линейного режима можно использовать простейшую модель транзистора.

ik=Biб