хки сва парам транзист
.pdf
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Схема замещения транзистора в режиме отсечки
R0
|
|
|
S |
|||||
К |
|
|
|
|
|
|
|
Э |
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Iут
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Всоответствии с этой схемой замещения транзистор
врежиме отсечки имеет некоторое достаточно большое
сопротивление Ro и параллельно включенный ему генератор
небольшого тока утечки I =I .
ут кб.0
На ВАХ транзистора режиму отсечки соответствует
горизонтальная линия при i =0.
б
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Вывод:
Два противоположных (ключевых) режима работы
транзистора - режимы насыщения и отсечки - позволяют
использовать биполярный транзистор как замкнутый или
разомкнутый ключ S.
Остальные элементы на схемах замещения
соответствуют неидеальности транзисторного ключа.
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Динамические характеристики биполярного транзистора
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Динамические характеристики транзистора описывают его поведение в различных режимах его
работы:
•для ключевых режимов очень важным является время
переключения транзистора из одного состояния в другое;
•для усилительного режима транзистора более важными
являются его свойства, которые показывают возможность
транзистора усиливать сигналы различных частот.
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Ключевой режим, время включения
При включении транзистора в его базу попадается
прямоугольный импульс тока с крутым фронтом. Ток
коллектора достигает установившегося значения не сразу
после подачи тока в базу. Имеется некоторое время
задержки tзад, спустя которое появляется ток в коллекторе.
Затем ток в коллекторе плавно нарастает и после времени
tн достигает установившегося значения.
ар
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
iб
iб. вкл. |
|
t |
|
|
|
ik |
|
|
|
iк. вкл. |
t |
|
|
|
tзад tнар |
|
|
tвкл |
|
|
|
|
|
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Таким образом включения транзистора можно определить по формуле:
нар
где tвкл - время включения транзистора.
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Процесс выключения
транзисторного ключа
При выключении транзистора на его базу подастся
обратное напряжение, в результате чего ток базы меняет
свое направление и становится равным iбвыкл.
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
iб
iб.вкл. |
t |
|
iб.выкл |
||
|
||
ik |
|
|
iк. вкл. |
t |
|
tрас |
tсп |
|
tвыкл |
|
|
|
|