хки сва парам транзист
.pdf
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Пока происходит рассасывание неосновных носителей заряда в базе, этот ток не меняет своего значения. Это время называется временем рассасывания tрас. После окончания процесса рассасывания происходит спад тока базы, который продолжается в течение времени tсп.
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Таким образом, время выключения транзистора равно
tсп
где tвыкл - время выключения транзистора.
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
•Время рассасывания сильно зависит степени насыщения транзистора перед его выключением.
•Минимальное время выключения получается при
граничном режиме насыщения.
•Процесс рассасывания можно ускорить пропустив в базу обратный ток, который зависит от обратного напряжения на базе.
•Прикладывать к базе большое обратное напряжение нельзя, так как может произойти пробой перехода базаэмиттер (не более 5…7 В).
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
iб
iб.вкл. 
t
ЕП |
Uкэ |
iк |
||||
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
t |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
tвкл |
tрас tсп |
|||
|
|
|
tвыкл |
|||
|
|
|
|
|
|
|
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Если к базе транзистора в процессе запирания не
прикладывается обратное напряжение (например, база
замыкается на эмиттер), то такое запирание транзистора
называется пассивным.
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
При пассивном запирании время рассасывания значительно увеличивается, а обратный ток базы уменьшается.
Форма импульса тока коллектора не только изменяется за счет растягивания длительности фронтов, но и сам импульс увеличивается по длительности на время tрас.
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
В справочных данных обычно приводят времена включения, спада и рассасывания.
Для наиболее быстрых транзисторов время рассасывания имеет значение 0,1...0,5 мкс, однако для многих силовых транзисторов оно достигает 10 мкс.
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Динамические свойства транзистора
в усилительном режиме
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Характеризуются не временем включения или
выключения, а его частотными характеристиками, а именно
зависимостью коэффициента передачи тока базы от частоты.
B = B(f)
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Существует много различных моделей транзисторов,
работающих на высоких частотах, однако наиболее
распространенными являются модели, основанные на схеме
замещения Джиаколетто и аппроксимации зависимости
коэффициента передачи тока базы на высокой частоте.