хки сва парам транзист
.pdf
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Пользуясь этой моделью, можно легко рассчитать коэффициент усиления каскада
|
|
|
|
|
Rб |
|
|
|
iк |
iб |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Rн
Uc
Еэ Ек
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Заменить транзистор его моделью, получим эквивалентную схему
Rб |
ik |
|
|
||
iБ |
Biб |
|
Uн |
||
|
||
Uc |
Rн |
|
|
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Для этой схемы находим:
i
б
Rн
Dn = μnkT / q
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
откуда
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Для проведения более точного расчёта необходимо воспользоваться более точной схемой замещения биполярного транзистора.
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Более точная схема замещения транзистора
iб |
Н11 |
iк |
|
Uбэ |
Н21iб |
Uкэ |
|
|
Н22 |
|
Н12Uкэ |
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Этой схеме замещения соответствуют уравнения, которые называются уравнениями
транзистора в Н-параметрах.
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Уравнения Н-параметров для вышеприведённой
схемы замещения транзистора
12 uкэ
= uкэ
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Физический смысл параметров, приведенных в системе уравнений (Н-параметров), можно легко установить, если воспользоваться режимами холостого хода на входе схемы и короткого замыкания на ее выходе.
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
При холостом ходе на входе i 0, откуда находим
б
два параметра:
ik
= uкэk